Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit

von Kashirina, N.I., Kislyuk, V.V., Sheinkman, M.K.
Veröffentlicht 1998

Properties of the shallow D-centers in semiconductors with polar and covalent binding

von Kashirina, N.I., Lakhno, V.D., Sychyov, V.V., Sheinkman, M.K.
Veröffentlicht 2003

The nature of red emission in porous silicon

von Khomenkova, L.Yu., Korsunska, N.E., Bulakh, B.M., Sheinkman, M.K., Stara, T.R.
Veröffentlicht 2005

Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II-VI compounds

von Korsunskaya, N. E., Markevich, I. V., Dzhumaev, B. R., Borkovskaya, L. V., Sheinkman, M. K.
Veröffentlicht 1999

Influence of cation vacancy related defects on the self-assembly processes in CdSe/ZnSe quantum dot heterostructures

von Borkovska, L.V., Korsunska, N.O., Kushnirenko, V.I., Sadofyev, Yu.G., Sheinkman, M.K.
Veröffentlicht 2003

About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals

von Borkovskaya, L.V., Dzhumaev, B.R., Khomenkova, L.Yu., Korsunskaya, N.E., Markevich, I.V., Sheinkman, M.K.
Veröffentlicht 2000