Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре

von Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Veröffentlicht 2014

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах

von Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Veröffentlicht 2015

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

von Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Veröffentlicht 2009

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания...

von Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Кулиев, Ш.М.
Veröffentlicht 2015

Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения...

von Абдулхаев, О.А., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каманов, Б.М., Каримов, А.В.
Veröffentlicht 2012

Фототранзистор составной на полевых транзисторах

von Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Каманов, Б.М., Гиясова, Ф.А.
Veröffentlicht 2012

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

von Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Якубов, А.А., Кулиев, Ш.М.
Veröffentlicht 2018

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура

von Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Гиясова, Ф.А., Назаров, Ж.Т.
Veröffentlicht 2009

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

von Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Каримов, А.А., Асанова, Г.О.
Veröffentlicht 2011

Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур...

von Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н., Каримов, А.В.
Veröffentlicht 2011

Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами...

von Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Якубов, Э.Н., Юлдашев, Ш.Ш., Тураев, А.А.
Veröffentlicht 2012

Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки...

von Каримов, А.В., Рахматов, А.З., Абдулхаев, О.А., Арипова, У.Х., Хидирназарова, А.Ю., Кулиев, Ш.М.
Veröffentlicht 2018

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения

von Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Рахматов, А.З., Скорняков, С.Л., Петров, Д.А., Абдулхаев, О.А.
Veröffentlicht 2012

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре

von Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.А., Каримов, А.В.
Veröffentlicht 2011

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами...

von Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Зоирова, Л.Х., Абдулхаев, О.А., Джураев, Д.Р.
Veröffentlicht 2009

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния...

von Рахматов, А.З., Скорняков, С.Л., Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Бузруков, У.М.
Veröffentlicht 2010

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе

von Каримов, А.В., Джураев, Д.Р., Ёдгорова, Д.М., Рахматов, А.З., Абдулхаев, О.А., Каманов, Б.М., Тураев, А.А.
Veröffentlicht 2011

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами...

von Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Мирджалилова, М.А., Асанова, Г.О., Абдулхаев, О.А., Мухутдинов, Ж.Ф.
Veröffentlicht 2013