Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Опубліковано 2014

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Опубліковано 2015

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Опубліковано 2009

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания...

за авторством Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Кулиев, Ш.М.
Опубліковано 2015

Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения...

за авторством Абдулхаев, О.А., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каманов, Б.М., Каримов, А.В.
Опубліковано 2012

Фототранзистор составной на полевых транзисторах

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Каманов, Б.М., Гиясова, Ф.А.
Опубліковано 2012

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

за авторством Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Якубов, А.А., Кулиев, Ш.М.
Опубліковано 2018

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Гиясова, Ф.А., Назаров, Ж.Т.
Опубліковано 2009

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Каримов, А.А., Асанова, Г.О.
Опубліковано 2011

Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур...

за авторством Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н., Каримов, А.В.
Опубліковано 2011

Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами...

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Якубов, Э.Н., Юлдашев, Ш.Ш., Тураев, А.А.
Опубліковано 2012

Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки...

за авторством Каримов, А.В., Рахматов, А.З., Абдулхаев, О.А., Арипова, У.Х., Хидирназарова, А.Ю., Кулиев, Ш.М.
Опубліковано 2018

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Рахматов, А.З., Скорняков, С.Л., Петров, Д.А., Абдулхаев, О.А.
Опубліковано 2012

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре

за авторством Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.А., Каримов, А.В.
Опубліковано 2011

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами...

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Зоирова, Л.Х., Абдулхаев, О.А., Джураев, Д.Р.
Опубліковано 2009

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния...

за авторством Рахматов, А.З., Скорняков, С.Л., Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Бузруков, У.М.
Опубліковано 2010

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе

за авторством Каримов, А.В., Джураев, Д.Р., Ёдгорова, Д.М., Рахматов, А.З., Абдулхаев, О.А., Каманов, Б.М., Тураев, А.А.
Опубліковано 2011

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами...

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Мирджалилова, М.А., Асанова, Г.О., Абдулхаев, О.А., Мухутдинов, Ж.Ф.
Опубліковано 2013