Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

von Марончук, И.Е., Дображанский, Ю.А.
Veröffentlicht 2008

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

von Марончук, И.Е., Дображанский, Ю.А.
Veröffentlicht 2008

Технология изготовления лазерных красителей для диапазона 472-600 нм

von Кругленко, В.П., Марончук, И.Е., Повстяной, М.В.
Veröffentlicht 2002

Технология изготовления лазерных красителей для диапазона 472-600 нм

von Кругленко, В.П., Марончук, И.Е., Повстяной, М.В.
Veröffentlicht 2002

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

von Марончук, И.Е., Курак, В.В., Андронова, Е.В., Баганов, Е.А.
Veröffentlicht 2003

Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления

von Марончук, И.Е., Кучерук, А.Д., Ерохин, С.Ю., Чорный, И.В.
Veröffentlicht 2002

Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V

von Марончук, И.Е., Кулюткина, Т.Ф., Марончук, И.И., Быковский, С.Ю.
Veröffentlicht 2012

Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления

von Марончук, И.Е., Кучерук, А.Д., Ерохин, С.Ю., Чорный, И.В.
Veröffentlicht 2002

Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III—V

von Марончук, И.Е., Кулюткина, Т.Ф., Марончук, И.И., Быковский, С.Ю.
Veröffentlicht 2012

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

von Марончук, И.Е., Курак, В.В., Андронова, Е.В., Баганов, Е.А.
Veröffentlicht 2003

Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги

von Марончук, И.Е., Масенко, Б.П., Повстяной, М.В., Завадский, В.А., Соловьев, О.В.
Veröffentlicht 2003

Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги

von Марончук, И.Е., Масенко, Б.П., Повстяной, М.В., Завадский, В.А., Соловьев, О.В.
Veröffentlicht 2003