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1
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
von
Ju. G. Arapov
,
S. V. Gudina
,
A. S. Klepikova
,
V. N. Neverov
,
G. I. Kharus
,
N. G. Shelushinina
,
M. V. Jakunin
Veröffentlicht 2015
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Artikel
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2
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
von
Ju. G. Arapov
,
S. V. Gudina
,
V. N. Neverov
,
S. G. Novokshonov
,
A. S. Klepikova
,
G. I. Kharus
,
N. G. Shelushinina
,
M. V. Jakunin
Veröffentlicht 2013
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3
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
von
A. S. Klepikova
,
Ju. G. Arapov
,
S. V. Gudina
,
V. N. Neverov
,
G. I. Kharus
,
N. G. Shelushinina
,
M. V. Jakunin
,
B. N. Zvonkov
Veröffentlicht 2017
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