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P. I. Baranskii
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Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
von
P. I. Baranskii
,
G. P. Haidar
Veröffentlicht 2012
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2
Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
von
P. I. Baranskii
,
G. P. Gaidar
Veröffentlicht 2012
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Anisotropic scattering theory and relevant problems of the kinetics of electron processes in many-valley semiconductors
von
P. I. Baranskii
,
G. P. Haidar
Veröffentlicht 2013
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Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von
P. I. Baranskii
,
G. P. Gaidar
Veröffentlicht 2012
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5
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
von
G. P. Gaidar
,
P. I. Baranskii
Veröffentlicht 2017
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6
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
von
P. I. Baranskii
,
G. P. Gaidar
Veröffentlicht 2016
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Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
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G. P. Gaidar
,
P. I. Baranskii
Veröffentlicht 2016
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8
Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
von
G. P. Gaidar
,
P. I. Baranskii
Veröffentlicht 2015
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9
Anisotropy of thermoelectric properties of multi-valley semiconductors of cubic symmetry under the influence of external directional effects
von
P. I. Baranskii
,
G. P. Haidar
Veröffentlicht 2014
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10
Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si...
von
G. P. Gaidar
,
P. I. Baranskii
Veröffentlicht 2014
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