Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами - Стороженко, И.П. (Радиофизика и радиоастрономия, 2006)
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений AlxGa1-xAs при x=0-0.2.