Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
Проведены комплексные исследования акустических и акустооптических свойств стекол GexS100–x. Определены их основные параметры, такие как показатель преломления, плотность, скорости продольной и поперечной ультразвуковых волн, упругооптические коэффициенты, коэффициенты акустооптического качества. По...
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | Блецкан, Д.И., Вакульчак, В.В., Феделеш, В.И. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100462 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе / Д.И. Блецкан, В.В. Вакульчак, В.И. Феделеш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 24-31. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2009) -
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010) -
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012) -
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2012) -
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)