Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур - Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Корецкий, Р.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возможность их использования в качестве элементов твердотельной электроники, работоспособных при криогенных температурах.