Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возмож...
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100465 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |