Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором - Баранов, В.В.; Боровик, А.М.; Ловшенко, И.Ю.; Стемпицкий, В.Р.; Чан Туан Чунг; Шелибак, И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
Реализована процедура оптимизации порогового напряжения биполярного транзистора с изолированным затвором. Посредством проведения отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые входные параметры. Проведены экспериментальные исследования с использованием метода поверхности откликов для определения разброса значений выходной характеристики посредством анализа в цикле Монте-Карло, а также расчета допустимых отклонений входных параметров, в наибольшей степени влияющих на пороговое напряжение.