Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г.
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100480 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 59-62. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-100480 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1004802016-05-23T03:02:24Z Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. Библиография 2015 Article Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 59-62. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100480 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Библиография Библиография |
| spellingShingle |
Библиография Библиография Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| format |
Article |
| title |
Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. |
| title_short |
Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. |
| title_full |
Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. |
| title_fullStr |
Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. |
| title_full_unstemmed |
Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. |
| title_sort |
указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2015 |
| topic_facet |
Библиография |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100480 |
| citation_txt |
Указатель статей, опубликованых в журнале в 2014 г. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 59-62. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed |
2025-07-07T08:52:52Z |
| last_indexed |
2025-07-07T08:52:52Z |
| _version_ |
1836977616922345472 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2015, ¹ 1
59ISSN 2225-5818
Электронные средства: исследования,
разработки
Классификация методов измерения вольт-
амперных характеристик полупроводнико-
вых приборов. Ермоленко Е. А.
Экспресс-метод оценки изменений темпера-
туры элементов РЭА. Оборский Г. А., Са ве
ль е ва О. С., Шихирева Ю. В.
Моделирование технического ресурса радио-
электронных средств. Невлюдова В. В.
Поиск оптимальных размеров печатных
плат для несущих конструкций электронных
средств. Ефименко А. А., Карлангач А. П.,
Лазарев С. Н.
СВЧ-техника
Компенсация паразитных элементов тран-
зистора с настройкой импедансов на гармо-
никах в усилителе класса F. Ефимович А. П.,
Крыжановский В. Г.
Поглотители СВЧ-энергии с высокой тепло-
проводностью на основе AlN и SiC с добав-
ками молибдена. Часнык В. И., Фесенко И. П.
Использование щелевых резонаторов для
проектирования усилителя мощности с ма-
ни пу ля цией гармоник. Рассохина Ю. В.,
Крыжановский В. Г., Коваленко В. А.,
Colantonio P., Giofre R.
Двухканальный переключатель СВЧ-мощ-
ности на основе электрически активных по-
лу про вод ни ко вых структур. Лаврич Ю. Н.,
Плаксин С. В., Крысь В. Я., Погорелая Л. М.,
Со ко лов ский И. И.
Поглотители СВЧ-энергии на основе нитри-
да алюминия с высоким уровнем поглоще-
ния. Ча с нык В. И.
Системы передачи и обработки сигналов
Инвариантность текущего энергетическо-
го Фурье-спектра действительных дискрет-
ных сигналов на конечных интер валах.
Пономарев В. А., Пономарева О. В.
Локальная оценка параметров траекто-
рии и обнаружение двужущихся целей на
фоне релеевской помехи. Прокопенко И. Г.,
Вовк В. Ю., Омельчук И. П., Чирка Ю. Д.,
Прокопенко К. И. (на английском языке)
Система передачи данных с шифрованием
хаотическими последовательностями. По
ли та н ский Р. Л., Шпатарь П. М., Гресь A. B.,
Верига А. Д.
Кодер и декодер фрактальных сигналов
гребенчатой структуры. Политанский Р. Л.,
Верига А. Д.
Новый импульсный модулятор с малой ча-
стотой переключений. Голуб В. С.
Энергетическая электроника
Схемотехника источников питания для
импульсно-дуговой сварки с хаотическими
ко ле ба ни я ми тока. Сидорец В. Н., Бушма
А. И., Жерносеков А. М.
Гибридные энергонакопители на основе ак-
кумуляторов и суперконденсаторов для кон-
тактной микросварки. Бондаренко Ю. В.,
Сафронов П. С., Бондаренко А. Ф., Сидорец
В. Н., Рогозина Т. С.
Сенсоэлектроника
Трехпараметрический генераторный датчик.
Филинюк Н. А., Лищинская Л. Б., Лазарев
О. О., Тка чук Я. С.
Биомедицинская электроника
Термоэлектрический источник питания
для электронного медицинского термоме-
тра. Анатычук Л. И., Кобылянский Р. Р.,
Константинович И. А.
Функциональная микро- и нано-
электроника
Кинетика деформации ВАХ оксидных ва-
ристорных структур, обусловленная пе-
ре за ряд кой локализованных состояний.
Тонкошкур А. С., Иванченко А. В.
Акустооптические свойства стекол GexS100–x
и акустооптический модулятор на их осно-
ве. Блецкан Д. И., Вакульчак В. В., Феделеш
В. И.
Обеспечение тепловых режимов
Коаксиальная тепловая труба для охлаж-
дения отражателя лазера. Гершуни А. Н.,
Нищик А. П.
Физическое представление и расчет начала ки-
пения в пульсационной тепловой трубе. Наумова
А. Н., Кравец В. Ю., Николаенко Ю. Е.
БИБЛИОГРАФИЯБИБЛИОГРАФИЯ
УКАЗАТЕЛЬ СТАТЕЙ,
ОПУБЛИКОВАННЫХ В ЖУРНАЛЕ В 2014 г.
2–3
2–3
4
5–6
1
1
2–3
2–3
4
1
1
2–3
4
5–6
2–3
4
4
4
5–6
5–6
2–3
2–3
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2015, ¹ 1
60 ISSN 2225-5818
Исследование рабочих характеристик тепло-
вых труб для светодиодных осветительных
приборов. Лозовой М. А., Николаенко Ю. Е.,
Рассамакин Б. М., Хайрнасов С. М.
Технологические процессы
и оборудование
Разработка процесса глубокого плазменно-
го травления кремния для технологии трех-
мерной интеграции кристаллов. Голишников
А. А., Путря М. Г.
Безадгезивные акустические мембраны на
полиимидной основе. Воробьев А. В., Жора
В. Д., Баклаев К. К., Грунянская В. П.
Получение соединений повышенной плот-
ности термозвуковой микросваркой в 3D
ин те г ра ль ных микросхемах. Ланин В. Л.,
Петухов И. Б.
Получение, свойства и применение тонких нано-
неоднородных пленок Ge на GaAs-подложках.
Вен гер Е. Ф., Литвин П. М., Матвеева Л. А.,
Митин В. Ф., Холевчук В. В.
Особенности трансформации примесно-
дефектных комплексов в CdTe:Cl под воз-
действием СВЧ-облучения. Будзуляк С. И.,
Корбутяк Д. В., Лоцько А. П., Вахняк Н. Д.,
Калитчук С. М., Дем чи на Л. А., Конакова Р. В.,
Шинкаренко В. В., Мельничук А. В.
Влияние параметров ВЧ-разряда и параме-
тров нагревателя на температуру подложки
в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для
синтеза углеродных алмазоподобных пле-
нок. Гладковский В. В., Костин Е. Г., Полозов
Б. П., Федорович О. А., Петряков В. А.
Материалы электроники
Магнитные и кинетические свойства кристал-
лов Hg1–x–yCdxDyySe. Ковалюк Т. Т., Майструк
Э. В., Марьянчук П. Д.
Физические свойства и зонная структура кри-
сталлов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных
мар ган цем. Марьянчук П. Д., Дымко Л. Н.,
Романишин Т. Р., Ковалюк Т. Т., Брус В. В.,
Со ло ван М. Н., Мостовой А. И.
Формирование резких границ раздела в эпи-
таксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs
методом МОС-гидридной эпитаксии. Вакив
Н. М., Круковский С. И., Ларкин С. Ю., Ав к
се н тьев А. Ю., Круковский Р. С.
Гибкие фольгированные диэлектрики: клас-
сификация и анализ направлений примене-
ния и со вер шен ст во ва ния. Воробьев А. В.,
Жора В. Д.
Ионизационный отжиг полупроводниковых
кристаллов.
Часть первая: Теоретические пред по сы л ки.
Часть вторая: Эксперимент.
Гаркавенко А. С., Мокрицкий В. А., Банзак
О. В., Завадский В. А.
Элементы твердотельной электроники на
основе КНИ-структур и нитевидных кри с та л-
лов Si для криогенных температур. Дружинин
А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н.,
Корецкий Р. Н.
Повышение радиационной устойчивости
кремниевых монокристаллических эпи так-
си а ль ных слоев. Курмашев Ш. Д., Кулинич
О. А., Брусенская Г. И., Веремьева А. В.
Метрология. Стандартизация
Исследование метрологических характеристик
системы измерения малых изменений темпе-
ратуры. Самынина М. Г., Шигимага В. А.
Автоматизированная система определения
глубины выгорания отработавшего ядерно-
го то п лива. Мокрицкий В. А., Маслов О. В.,
Банзак О. В.
К истории науки и техники
Всеукраинскому НИИ аналитического при-
боростроения «Украналит» — 45 лет.
Дашковский А. А., Михеева И. Л.
Библиография
Указатель статей, опубликованных в журна-
ле в 2013 г.
БИБЛИОГРАФИЯБИБЛИОГРАФИЯ
5–6
1
1
2–3
4
4
5–6
1
2–3
2–3
4
4
5–6
5–6
5–6
1
5–6
1
1
61Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2015, ¹ 1ISSN 2225-5818
Electronic devices: research, development
Classification of methods for measuring cur-
rent-voltage characteristics of semiconductor
devices. Iermolenko Ia. O.
Rapid method to estimate temperature chang-
es in electronics elements. Oborskii G. A.,
Savel’eva O. S., Shikhireva Yu. V.
Modeling of useful operating life of radioelec-
tronics. Nevlyudova V. V.
Search for the optimal size of printed circuit
boards for mechanical structures for electronic
equipment. Yefimenko A. A., Karlangach A. P.,
Lazarev S. N.
Microwave engineering
Compensation of parasitic elements of transis-
tor in the class F amplifier with the tuning of
impedances at harmonics. Yefymovych A. P.,
Krizhanovski V. G.
Microwave energy attenuators of high thermal
conductivity based on AlN and SiC with addition
of molybdenum. Chasnyk V. I., Fesenko I. P.
Inverse class F power amplifier using slot reso-
nators as a harmonic filter. Rassokhina Yu. V.,
Krizhanovski V. G., Kovalenko V. A., Colanto
nio P., Giofre R.
Two-channel microwave power switch con-
struction on the basis of electrically active
semiconductor structures. Lavrich Yu. N.,
Plaksin S. V., Kris V. Ya., Pogorelaya L. M.,
Sokolovskiy I. I.
Microwave energy attenuators on the basis of
aluminum nitride with high level of microwave
energy absorption. Chasnyk V. I.
Signals transfer and processing systems
The invariance of current energy Fourier spec-
trum of discrete real signals on finite intervals.
Ponomarev V. A., Ponomareva O. V.
Local trajectory parameters estimation and de-
tection of moving targets in Rayleigh noise.
Prokopenko I. G., Vovk V. Iu., Omelchuk I. P.,
Chirka Yu. D., Prokopenko K. I. (in English)
Data transmission system with encryption by
chaotic sequences. Politans’kyy R. L., Shpatar
P. M., Hres A. V., Verigha A. D.
Coder and decoder of fractal signals of comb-
type structure. Politanskyi R. L., Veryga A. D.
New pulse modulator with low switching fre-
quency. Golub V. S.
Power electronics
Circuitry of power supplies for pulsed arc welding
with chaotic current oscillations. Sidorets V. N.,
Bushma A. I., Zhernosekov A. M.
The hybrid energy storages based on batteries
and ultracapacitors for contact microwelding.
Bondarenko Yu. V., Safronov P. S., Bondarenko
O. F., Sydorets V. M., Rogozina T. S.
Sensors
Generating three-parameter sensor. Filinyuk
M. A., Lishchinska L. B., Lazarev O. O., Tka
chuk Y. S.
Biomedical electronics
Thermoelectric power source for electronic
medical thermometer. Anatychuk L. I., Koby
lianskyi R. R., Konstantinovich I. A.
Functional micro- and nanoelectronics
Kinetics deformation of current-voltage char-
acteristics of the varistor oxide structures
due to overcharging of the localized states.
Tonkoshkur A. S., Ivanchenko A. V.
Acousto-optic properties of GexS100–x glasses
and acousto-optic modulator on their basis.
Bletskan D. I., Vakulchak V. V., Fedelesh V. I.
Thermal management
Coaxial heat pipe for cooling of a laser’s reflec-
tor. Gershuni A. N., Nishchik A. P.
Physical concept and calculation of boiling
point in a pulsating heat pipe. Naumova A. N.,
Kravets V. Yu., Nikolaenko Yu. E.
Research on thermal characteristics of heat
pipes for led lightning devices. Lozovoi M. A.,
Nikolaenko Yu. E., Rassamakin B. M.,
Khairnasov C. M.
Index of articles published in
«Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature»
(«Technology and Design in Electronic Equipment»)
in 2014
2–3
2–3
4
5–6
1
1
2–3
2–3
4
1
1
2–3
4
5–6
2–3
4
4
4
5–6
5–6
2–3
2–3
5–6
62 Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2015, ¹ 1 ISSN 2225-5818
Production technology and equipment
Development of deep silicon plasma etching for
3D integration technology. Golishnikov A. A.,
Putrya M. G.
Nonadhesive acoustic membranes based on
polyimide. Vorob’ev A.V., Zhora V. D., Baklaev
K. K., Grunyanskaya V. P.
Obtaining raised density connections by ther-
mosonic microwelding in 3D integrated micro-
circuits. Lanin V. L., Petuhov I. B.
Fabrication, properties and application of
Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films.
Venger E. F., Lytvyn P. M., Matveeva L. A.,
Mitin V. F., Kholevchuk V. V.
Features of transformation of impurity-defect
complexes in СdTe:Сl under the influence of mi-
crowave radiation. Budzulyak S. I., Korbutyak
D. V., Lots'ko A. P., Vakhnyak N. D., Kalitchuk
S. M., Demchina L. A., Konakova R. V.,
Shinkarenko V. V., Mel'nichuk A. V.
The influence of if discharge parameters and
heater settings on the substrate temperature
in the plasma-chemical reactor «Almaz» for
the synthesis of diamond-like carbon films.
Hladkovskiy V. V., Kostin E. G., Polozov B. P.,
Fedorovich O. A., Petriakov V. A.
Materials of electronics
Magnetic and kinetic properties of crystals
Hg1–x–yCdxDyySe. Kovalyuk T. T., Maistruk E. V.,
Maryanchuk P. D.
Physical properties and band structure of crys-
tals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese.
Maryanchuk P. D., Dymko L. N., Romanishyn
T. R., Kovalyuk T. T., Brus V. V., Solovan M. N.,
Mostovoy A. I.
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial
structures obtained by MOCVD. Vakiv N. M.,
Krukovskii S. I., Larkin S. Yu., Avksent’ev A. Yu.,
Krukovskii R. S.
Flexible foiled dielectrics: classification and
analysis of ways for application and improve-
ment. Vorobyev A. V., Zhora V. D.
Ionization annealing of semiconductor crystals.
Part one: Theoretical background.
Part two: The experiment.
Garkavenko A. S., Mokritskii V. A., Banzak O. V.,
Zavadskii V. A.
Elements of solid state electronics based on
SOI-structures and Si whiskers for cryogenic
temperatures. Druzhinin A. A., Osrovskkii I. P.,
Khoverko Yu. M., Koretskyy R. N.
Increasing the radiation resistance of single-
crystal silicon epitaxial layers. Kurmashev Sh. D.,
Kulinich O. A., Brusenskaya G. I., Verem’eva A. V.
Metrology. Standartization
Investigation of metrological parameters of
measuring system for small temperature chang-
es. Samynina M. G., Shigimaga V. A.
Automated system for determining the burnup
of spent nuclear fuel. Mokritskii V. A., Maslov
O. V., Banzak O. V.
On the history of science and engineering
All-ukrainian research and design institute of
analytical instrumentation “Ukranalyt” cele-
brates its 45th anniversary. Dashkovsky A. A.,
Mikhejeva I. L. (1)
Bibliography
Index of articles published in the journal in 2013
1
1
2–3
4
4
5–6
1
2–3
2–3
4
4
5–6
5–6
5–6
1
5–6
1
1
|