Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном...
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100544 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 24-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-100544 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
|
| spelling |
irk-123456789-1005442016-05-23T03:03:13Z Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Кулиев, Ш.М. Функциональная микро- и наноэлектроника Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном режиме при подсветке базовой области приобретает свойства фототранзистора. The present work is devoted to investigate the photovoltaic characteristics of semiconductor thin base transistor structure based on germanium, which is superior the silicon counterparts by speed and gain. 2015 Article Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 24-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2015.4.24 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100544 621.315.592.2:546.681'19 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Кулиев, Ш.М. Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном режиме при подсветке базовой области приобретает свойства фототранзистора. |
| format |
Article |
| author |
Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Кулиев, Ш.М. |
| author_facet |
Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Кулиев, Ш.М. |
| author_sort |
Абдулхаев, О.А. |
| title |
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| title_short |
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| title_full |
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| title_fullStr |
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| title_full_unstemmed |
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| title_sort |
высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2015 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100544 |
| citation_txt |
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 24-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT abdulhaevoa vysokočuvstvitelʹnyjfotopriemniknaosnovegermanievojdvuhbarʹernojstrukturyséffektomsmykaniâ AT ëdgorovadm vysokočuvstvitelʹnyjfotopriemniknaosnovegermanievojdvuhbarʹernojstrukturyséffektomsmykaniâ AT karimovav vysokočuvstvitelʹnyjfotopriemniknaosnovegermanievojdvuhbarʹernojstrukturyséffektomsmykaniâ AT kulievšm vysokočuvstvitelʹnyjfotopriemniknaosnovegermanievojdvuhbarʹernojstrukturyséffektomsmykaniâ |
| first_indexed |
2025-07-07T08:59:08Z |
| last_indexed |
2025-07-07T08:59:08Z |
| _version_ |
1836978011696529408 |