Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания - Абдулхаев, О.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Кулиев, Ш.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном режиме при подсветке базовой области приобретает свойства фототранзистора.