Титульные страницы и содержание
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100557 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 1-2. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-100557 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1005572016-05-24T03:02:07Z Титульные страницы и содержание 2015 Article Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 1-2. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100557 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| title |
Титульные страницы и содержание |
| spellingShingle |
Титульные страницы и содержание Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| title_short |
Титульные страницы и содержание |
| title_full |
Титульные страницы и содержание |
| title_fullStr |
Титульные страницы и содержание |
| title_full_unstemmed |
Титульные страницы и содержание |
| title_sort |
титульные страницы и содержание |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2015 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100557 |
| citation_txt |
Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 1-2. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed |
2025-07-07T09:00:40Z |
| last_indexed |
2025-07-07T09:00:40Z |
| _version_ |
1836978113436712960 |
| fulltext |
ТЕХНОЛОГИЯ
И
КОНСТРУИРОВАНИЕ
В
ЭЛЕКТРОННОЙ
АППАРАТУРЕ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
Год издания 39-й
№ 5-6
ÑÎÄÅÐÆÀÍÈÅ
2015
© Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2015.
Ýëåêòðîííûå ñðåäñòâà: èññëåäîâàíèÿ, ðàçðàáîòêè
Îïòèìèçàöèя êîìïëåêñíîãî ïîêàçàòåëя íàäåæíîñòè ðàäèî
òåõíèчåñêèõ óñòðîéñòâ ïóòåì èçìåíåíèя èõ òîïîëîãèè.
Á. Ì. Óâàðîâ, Ю. Ô. Çèíüêîâñêèé
Àíàëèç íåñóùèõ êîíñòðóêöèé 19äþéìîâîé è ìåòðèчåñêîé
ñèñòåì äëя ýëåêòðîííûõ ñðåäñòâ. À. À. Åôèìåíêî, À. Ï.
Êàðëàíãà÷
ÑВЧ-òåõíèêà
Ðàäèîìåòðèчåñêèé ïðèåìíûé êîìïëåêñ è ïóòè ñíèæåíèя
âíîñèìîé èì ïîãðåøíîñòè â ðàäèîìåòðèчåñêèå èçìåðåíèя.
À. Ì. Ïèëèïåíêî, È. Ê. Ñóíäó÷êîâ, В. В. ×ìèëü, В. Ì.
×ìèëü, Ï. À. ßöûê
Ñèñòåìû ïåðåäà÷è è îáðàáîòêè ñèãíàëîâ
Èññëåäîâàíèå îáúåìíûõ àêóñòèчåñêèõ âîëí СВ×äèàïàçîíà,
âîçáóæäåííûõ âñòðåчîøòûðåâûì ïðåîáðàçîâàòåëåì. À. Ã.
Ðåøîòêà, В. Ã. Ãàéäó÷îê, Í. Ì. Вàêèâ
Ýíåðãåòè÷åñêàÿ ýëåêòðîíèêà
Ìîäåëèðîâàíèå õàðàêòåðèñòèê òàíäåìíîãî ìîíîëèòíîãî
ñîëíåчíîãî ýëåìåíòà Si/Ge ñ áóôåðíûì ñëîåì Si1–õGeõ.
À. Á. Ãíèëåíêî, Ю. Í. Ëàâðè÷, Ñ. В. Ïëàêñèí
Îáåñïå÷åíèå òåïëîâûõ ðåæèìîâ
Îõëàæäåíèå ñâåòîäèîäíîãî ìîäóëя ñ ïîìîùüþ ðàçëèчíûõ
òåïëîîòâîäîâ. À. Í. Íàóìîâà, Ю. Å. Íèêîëàåíêî, В. Ю.
Êðàâåö, В. Ì. Ñîðîêèí, À. Ñ. Îëåéíèê
Òåõíîëîãè÷åñêèå ïðîöåññû è îáîðóäîâàíèå
Ôîðìèðîâàíèå íàíîïëåíîê Cu, Ag, Au ïîä âîçäåéñòâèåì
àòîìîâ âîäîðîäà. Å. Ë. Æàâæàðîâ, В. Ì. Ìàòþøèí
Ìàòåðèàëû ýëåêòðîíèêè
Èññëåäîâàíèå êðèñòàëëîâ Cu2ZnSnTe4 è ãåòåðîïåðåõîäîâ
íà èõ îñíîâå. Ò. Ò. Êîâàëþê, Ì. Í. Ñîëîâàí, À. È.
Ìîñòîâîé, Ý. В. Ìàéñòðóê, Ã. Ï. Ïàðõîìåíêî, Ï. Ä.
Ìàðüÿí÷óê
Вëèяíèå îòæèãà íà âàõ ãåòåðîïåðåõîäà nZnO—pInSe.
Ç. Ä. Êîâàëþê, В. Í. Êàòåðèí÷óê, Ç. Ð. Êóäðèíñêèé,
Á. В. Êóøíèð, В. В. Íåòÿãà, В. В. Õîìÿê
Ìåòðîëîãèÿ. Ñòàíäàðòèçàöèÿ
Ðàñчåò õàðàêòåðèñòèê ðåíòãåíîâñêèõ óñòàíîâîê. À. Í.
Îðîáèíñêèé
Сïîñîá àíàëèòèчåñêîãî îïðåäåëåíèя êîîðäèíàò èñòîчíèêà
èçëóчåíèя â îäíîðîäíîé ñðåäå. Å. В. Вåëè÷êî
Ñïèñîê ðåöåíçåíòîâ íîìåðà
Íîâûå êíèãè
Вûñòàâêè
ÃËÀВÍÛÉ ÐÅÄÀÊÒÎÐ
Ê.ò.í. В. Ì. ×ìèëü
ÐÅÄÀÊÖÈÎÍÍÛÉ СÎВÅÒ
×ë.-êîðð. ÍÀÍÓ,
ä.ô.-ì.í. À. Å. Áåëÿåâ (ã. Êèåâ)
Ä.ò.í. Í. Ì. Вàêèâ (ã. Ëüâîâ)
Ä.ò.í. В. Í. Ãîäîâàíþê (ã. ×åðíîâöû)
Ê.ò.í. À. À. Äàøêîâñêèé (ã. Êèåâ)
Ä.ò.í. Ã. À. Îáîðñêèé (ã. Îäåññà)
Å. À. Òèõîíîâà (ã. Îäåññà)
ÐÅÄÀÊÖÈÎÍÍÀß ÊÎËËÅÃÈß
Ä.ò.í. Ñ. Ã. Àíòîùóê (ã. Îäåññà)
Ä.ò.í. À. À. Àùåóëîâ (ã. ×åðíîâöû)
Ä.ò.í. В. В. Áàðàíîâ (ã. Ìèíñê)
Ä.ò.í. À. Ï. Áîíäàðåâ (ã. Ëüâîâ)
Ê.ò.í. Ý. Í. Ãëóøå÷åíêî,
çàì. ãëàâíîãî ðåäàêòîðà (ã. Êèåâ)
Ä.ô.-ì.í. В. В. Äîëæèêîâ (ã. Хàðüêîâ)
Ê.ò.í. È. Í. Åðèìè÷îé (ã. Îäåññà)
Ä.ò.í. À. À. Åôèìåíêî,
çàì. ãëàâíîãî ðåäàêòîðà (ã. Îäåññà)
Ä.ô.-ì.í. Ä. В. Êîðáóòÿê (ã. Êèåâ)
Ä.ò.í. Ñ. È. Êðóêîâñêèé (ã. Ëüâîâ)
Ä.ò.í. Ñ. Ю. Ëóçèí (ã. С.Ïåòåðáóðã)
Ê.ò.í. È. Ë. Ìèõååâà (ã. Êèåâ)
Ä.ò.í. È. Ø. Íåâëþäîâ (ã. Хàðüêîâ)
Ä.ò.í. Ю. Å. Íèêîëàåíêî (ã. Êèåâ)
Ä.ô.-ì.í. Ñ. В. Ïëàêñèí
(ã. Äíåïðîïåòðîâñê)
Ê.ô.-ì.í. À. В. Ðûáêà (ã. Хàðüêîâ)
Ê.ò.í. В. В. Ðþõòèí (ã. ×åðíîâöû)
Ä.ô.-ì.í. Ì. È. Ñàìîéëîâè÷ (ã. Ìîñêâà)
Ä.ò.í. В. Ñ. Ñèòíèêîâ (ã. Îäåññà)
Ä. ò. í. ß. Ñòåâàíîâè÷ (ã. Áåëãðàä)
Ä. ò. í. Ç. Ñòåâè÷ (ã. Áåëãðàä)
Ä.õ.í. В. Í. Òîìàøèê (ã. Êèåâ)
Ê.ò.í. В. Å. Òðîôèìîâ (ã. Îäåññà)
Ó×ÐÅÄÈÒÅËÈ
ÌÏÏ Óêðàèíû
Èíñòèòóò ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ
èì. В. Å. Ëàøêàð¸âà
Íàóчíîïðîèçâîäñòâåííîå
ïðåäïðèяòèå «Сàòóðí»
Îäåññêèé íàöèîíàëüíûé
ïîëèòåõíèчåñêèé óíèâåðñèòåò
Èçäàòåëüñòâî «Ïîëèòåõïåðèîäèêà»
Îäîáðåíî ê ïåчàòè
Óчåíûì ñîâåòîì ÎÍÏÓ
(Ïðîòîêîë ¹ 3 îò 8.12 2015 ã.)
Îòâ. çà âûïóñê: Å. À. Òèõîíîâà
3
9
14
22
28
35
41
45
46
55
64
68
21, 27, 34
54
(in Russian)
Tekhnologiya
i
konsTRuiRovanie
v
elekTRonnoi
appaRaTuRe
scienTific and Technical jouRnal
Publication year 39th
N 5-62015
Electronic devices: research, development
Optimization of complex reliability indicator of
wireless devices by changing their topology. B. M.
Uvarov, Yu. F. Zin'kovs'kii (3)
Analysis of 19inch and metric mechanical structures
for electronic equipment. A. A. Yefimenko, A. P.
Karlangach (9)
Microwave engineering
Radiometric receiving complex and ways to reduce the
radiometric measurements error. À. M. Pylypenko,
I. K. Sunduchkov, V. V. Chmil, V. M. Chmil, P. O.
Yatsyk (14)
Signals transfer and processing systems
Investigation of bulk acoustic microwaves excited by
an interdigital transducer. O. G. Reshotka, V. G.
Hayduchok, N. M. Vakiv (22)
Power electronics
Simulating characteristics of SI/GE tandem monolith
ic solar cell with Si1xGex buffer layer. A. B. Gnilenko,
Ju. N. Lavrich, S. V. Plaksin (28)
Thermal management
Cooling of led module by various radiators. A. M.
Naumova, Yu. E. Nikolaenko, V. Yu. Kravets, V. M.
Sorokin, O. S. Oliinyk (35)
Production technology and equipment
Formation of Cu, Ag and Au nanofilms under the in
fluence of hydrogen atoms. E. L. Zhavzharov, V. M.
Matyushin (41)
Materials of electronics
Research on Cu2ZnSnTe4 crystals and heterojunc
tions based on such crystals. T. T. Kovaliuk, M. N.
Solovan, A. I. Mostovyi, E. V. Maistruk, G. P.
Parkhomenko, P. D. Maryanchuk (45)
Annealing effect on I—V characteristic of nZnO—pInSe
heterojunction. Z. D. Kovalyuk, V. M. Katerynchuk, Z.
R. Kudrynskyi, B. V. Kushnir, V. V. Netyaga, V. V.
Khomyak (50)
Metrology. Standardization
Calculation of characteristics of Xray devices. A. N.
Orobinskyi (55)
Analytical method for determining coordinates of the
radiation source in a homogeneous medium. H. V.
Velichko (64)
Åëåêòðîííі çàñîáè: äîñëіäæåííÿ, ðîçðîáêè
Îïòèì³çàö³я êîìïëåêñíîãî ïîêàçíèêà íàä³éíîñò³
ðàä³îòåõí³чíèõ ïðèñòðîїâ øëяõîì çì³íè їõ òîïîëîã³ї.
Á. Ì. Óâàðîâ, Ю. Ô. Çіíüêîâñüêèé (3)
Àíàë³ç íåñóчèõ êîíñòðóêö³é 19äþéìîâîї òà ìåò
ðèчíîї ñèñòåì äëя åëåêòðîííèõ çàñîá³â. À. À. ªôі-
ìåíêî, Î. Ï. Êàðëàíãà÷ (9)
ÑВЧ-òåõíіêà
Ðàä³îìåòðèчíèé ïðèéìàëüíèé êîìïëåêñ òà øëяõè
çíèæåííя âíîñèìîї íèì ïîõèáêè ó ðàä³îìåòðèчí³
âèì³ðþâàííя. Î. Ì. Ïèëèïåíêî, ². Ê. Ñóíäó÷êîâ,
В. В. ×ìіëü, В. Ì. ×ìіëü, Ï. Î. ßöèê (14)
Ñèñòåìè ïåðåäà÷і òà îáðîáêè ñèãíàëіâ
Äîñë³äæåííя îá’єìíèõ àêóñòèчíèõ õâèëü ÍВ×
ä³àïàçîíó, çáóäæåíèõ çóñòð³чíîøòèðüîâèì
ïåðåòâîðþâàчåì. Î. Ã. Ðåøîòêà, В. Ã. Ãàéäó÷îê,
Ì. Ì. Вàêіâ (22)
Åíåðãåòè÷íà åëåêòðîíіêà
Ìîäåëþâàííя õàðàêòåðèñòèê òàíäåìíîãî ìîíîë³ò
íîãî ñîíячíîãî åëåìåíòà Si/Ge ç áóôåðíèì øàðîì
Si1–xGeõ. Î. Á. Ãíèëåíêî, Ю. Ì. Ëàâðі÷, Ñ. В.
Ïëàêñіí (28)
Зàáåçïå÷åííÿ òåïëîâèõ ðåæèìіâ
Îõîëîäæåííя ñâ³òëîä³îäíîãî ìîäóëя çà äîïîìîãîþ
ð³çíèõ òåïëîâ³äâîä³â. À. Ì. Íàóìîâà, Ю. ª.
Íіêîëàєíêî, В. Ю. Êðàâåöü, В. Ì. Ñîðîêіí, Î. Ñ.
Îëіéíèê (35)
Òåõíîëîãі÷íі ïðîöåñè òà îáëàäíàííÿ
Ôîðìóâàííя íàíîïë³âîê Cu, Ag, Au ï³ä ä³єþ àòîì³â
âîäíþ. ª. Ë. Æàâæàðîâ, В. Ì. Ìàòþøèí (41)
Ìàòåðіàëè åëåêòðîíіêè
Äîñë³äæåííя êðèñòàë³â Cu2ZnSnTe4 òà ãåòåðîïåðå
õîä³â íà їõ îñíîâ³. Ò. Ò. Êîâàëþê, Ì. Ì. Ñîëîâàí,
À. ². Ìîñòîâèé, Å. В. Ìàéñòðóê, Ã. Ï Ïàðõîìåíêî,
Ï. Ä. Ìàð'ÿí÷óê (45)
Вïëèâ â³äïàëó íà âàõ ãåòåðîïåðåõîäó nZnO—pInSe.
Ç. Ä. Êîâàëþê, В. Ì. Êàòåðèí÷óê, Ç. Ð. Êóäðèíñüêèé,
Á. В. Êóøíіð,В. В. Íåòÿãà, В. В. Õîìÿê (50)
Ìåòðîëîãіÿ. Ñòàíäàðòèçàöіÿ
Ðîçðàõóíîê õàðàêòåðèñòèê ðåíòãåí³âñüêèõ óñòàíî
âîê. À. Ì. Îðîáіíñüêèé (55)
Сïîñ³á àíàë³òèчíîãî âèçíàчåííя êîîðäèíàò äæåðåëà
âèïðîì³íþâàííя â îäíîð³äíîìó ñåðåäîâèù³. Î. В.
Вåëè÷êî (64)
З̲ÑÒ ÑONTENTS
|