Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe - Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Кудринский, З.Р.; Кушнир, Б.В.; Нетяга, В.В.; Хомяк, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO—p-InSe. Приведены температурные зависимости ВАХ гетероперехода до и после отжига. Установлена область спектральной фоточувствительности гетероструктуры n-ZnO—p-InSe.