Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe

Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO—p-InSe. Приведены температ...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2015
Hauptverfasser: Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Кудринский, З.Р., Кушнир, Б.В., Нетяга, В.В., Хомяк, В.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Schriftenreihe:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:
Материалы электроники
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100566
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, Б.В. Кушнир, В.В. Нетяга, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge