Выставки и конференции
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100571 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Выставки и конференции // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 54, 69-70. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-100571 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2015, ¹ 5–6
54
МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
ISSN 2225-5818
by the method of high-frequency magnetron sputtering. Sensitivity spectral areas were identified by MDr-3
monochromator with a resolution of 2.6 nm/mm.
The current-voltage characteristics of the n-ZnO — p-InSe heterostructures showed a clearly pronounced diode
character. In the forward bias of the initial samples, the diode factor had the value 3.7 at room temperature.
It is shown that vacuum low-temperature annealing reduces shunt currents of the heterojunction, which is
reflected in the decrease in the values of n from 3.7 to 2.7.
Keywords: indium selenide, ZnO, thin film, heterojunction, cvc, spectral photosensitivity.
rEFErENCES
1. Ellmer K., Klein A., Rech B. Transparent conductive
zinc oxide: Basics and applications in thin film solar cells.
Springer, 2008, 446 p.
2. Song D., Aberle A., Xia I. Optimisation of ZnO:Al films
by change of sputter gas pressure for solar cell application.
appl. Surf. Sci., 2003, vol. 195, no. 3, pp. 291-296.
3. Shtepliuk I., Lashkarev G., Lazorenko V., Ievtushenko
A. [Technological and material science aspects of obtaining
light-emitting devices based on ZnO]. Physics and chemistry
of solid state, 2010, vol. 11, no. 2, pp. 277-287. (Ukr)
4. Jagadish C., Pearton S.J. (Eds.) Zinc oxide bulk, thin
films and nanostructures: processing, properties, and applica-
tions. Amsterdam, Elsevier, 2006, 600 p.
5. Kovalyuk Z.D. [Features of physical properties of
layered crystals]. In book: Physical basis of semiconductor
material. Kiev, Naukova dumka, 1986, pp. 7-9. (rus)
6. Milnes A.G., Feucht D.L. heterojunction and metal-
semiconductor junction. New York, Academic Press, 1972, 408 p.
7. Katerynchuk V.M., Kudrynskyi Z.r., Khomyak V.V.,
Orletsky I.G., Netyaga V.V. [Properties of anisotype n-CdO—
p-InSe heterojunctions]. Physics and chemistry of solid state,
2013, vol. 14, no. 1, ðð. 218-221. (Ukr)
8. Katerynchuk V.M., Kudrynskyi Z.r., Kovalyuk Z.D.
Photopleochroism coefficient and its temperature dinamics in
natural oxide—p-InSe heterojunctions. Semiconductors, 2014,
vol. 48, iss. 6, pp. 776-778. http://dx.doi.org/10.1134/
S1063782614060153.
9. Brus V.V., Ilashchuk M.I., Khomyak V.V., Kovalyuk
Z.D, Maryanchuk P.D., Ulyanytsky K.S. Electrical pro-
perties of anisotype heterojunctions n-CdZnTe/p-CdTe.
Semiconductors, 2012. vol. 46, iss. 9, pp. 1152-1157.
10.1134/S1063782612090059.
10. Lampert M.A., Mark P. current injection in solids.
New York, Academic Press. 1970, 351 p.
выставки
20-я международная выставка
elcomUkraine 2016
19 – 22 апреля 2016
|
| spelling |
irk-123456789-1005712016-05-24T03:02:15Z Выставки и конференции 2015 Article Выставки и конференции // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 54, 69-70. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100571 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| title |
Выставки и конференции |
| spellingShingle |
Выставки и конференции Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| title_short |
Выставки и конференции |
| title_full |
Выставки и конференции |
| title_fullStr |
Выставки и конференции |
| title_full_unstemmed |
Выставки и конференции |
| title_sort |
выставки и конференции |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2015 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100571 |
| citation_txt |
Выставки и конференции // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 54, 69-70. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed |
2025-07-07T09:01:50Z |
| last_indexed |
2025-07-07T09:01:50Z |
| _version_ |
1836978180925161472 |