Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны - Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю.; Эркабоев, У.И. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Ge при низких температурах обусловлена наличием энергетических уровней, в запрещенной зоне вблизи разрешенных зон. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными.