Маматкаримов, О., Хамидов, Р., Жабборов, Р., Туйчиев, У., & Кучкаров, Б. (2012). Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Маматкаримов, О.О, Р.Х Хамидов, Р.Г Жабборов, У.А Туйчиев, та Б.Х Кучкаров. Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Маматкаримов, О.О, et al. Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2012.