Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления

В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамиче...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Маматкаримов, О.О., Хамидов, Р.Х., Жабборов, Р.Г., Туйчиев, У.А., Кучкаров, Б.Х.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Назва видання:	Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101880
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-101880
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1018802016-06-09T03:02:35Z Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления Маматкаримов, О.О. Хамидов, Р.Х. Жабборов, Р.Г. Туйчиев, У.А. Кучкаров, Б.Х. В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамический тензоэффект этих образцов связан 50% от температуры и 50% от колебательных эффектов кристаллической решетки образцов кремния с примесью никеля. У роботі досліджена зміна концентрації та рухливості носіїв заряду в зразках n- і p-типу кремнію з домішкою нікелю при впливі імпульсного гідростатичного тиску й при зміні температури за допомогою електричного нагрівача вбудованого в досліджуваний зразок. Показано, що динамічний тензоефект цих зразків зв’язаний 50% від температури й 50% від коливальних ефектів кристалічної решітки зразків кремнію з домішкою нікелю. In this article have been investigated changes in the concentration and mobility of charge carriers in the samples of n and p type of nickel doped silicon under pulse hydrostatic pressure and with change of temperature by electrical heater integrated to the samples. Has been shown, that the dynamic strain effect of these samples due to 50% of the temperature and 50% of the vibration effects of the crystal lattice of nickel doped silicon. 2012 Article Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101880 539.21:621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n-и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамический тензоэффект этих образцов связан 50% от температуры и 50% от колебательных эффектов кристаллической решетки образцов кремния с примесью никеля.
format	Article
author	Маматкаримов, О.О. Хамидов, Р.Х. Жабборов, Р.Г. Туйчиев, У.А. Кучкаров, Б.Х.
spellingShingle	Маматкаримов, О.О. Хамидов, Р.Х. Жабборов, Р.Г. Туйчиев, У.А. Кучкаров, Б.Х. Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления Физическая инженерия поверхности
author_facet	Маматкаримов, О.О. Хамидов, Р.Х. Жабборов, Р.Г. Туйчиев, У.А. Кучкаров, Б.Х.
author_sort	Маматкаримов, О.О.
title	Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_short	Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_full	Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_fullStr	Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_full_unstemmed	Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
title_sort	релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2012
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101880
citation_txt	Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А. Туйчиев, Б.Х. Кучкаров // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 418-422. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT mamatkarimovoo relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositelejzarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdejstviiimpulʹsnogodavleniâ AT hamidovrh relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositelejzarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdejstviiimpulʹsnogodavleniâ AT žabborovrg relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositelejzarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdejstviiimpulʹsnogodavleniâ AT tujčievua relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositelejzarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdejstviiimpulʹsnogodavleniâ AT kučkarovbh relaksacionnyeizmeneniâpodvižnostiikoncentraciinositelejzarâdavsisglubokimiprimesnymiurovnâmiprivozdejstviiimpulʹsnogodavleniâ
first_indexed	2025-07-07T11:31:01Z
last_indexed	2025-07-07T11:31:01Z
_version_	1836987567407366144
fulltext	418 Известно [1, 2] что полупроводники с глу- бокими уровнями имеет большую чувстви- тельность к внешним воздействиям. Один из таких воздействий является влияние внеш- него давления. Особенно при импульсном гидростатическом давлении в полупровод- никах с глубокими примесными уровнями наблюдается интересные эффекты. Эти эф- фекты до сих пор объяснялись в основном влиянием температуры стимулированной импульсным давлением [3] . В работе [3] показано, что при амплитуде ∆P = 5⋅108 Па импульсного давления со ско- ростью нарастания 82 10P t ∂ = ⋅ ∂ Па/с темпе- ратура образца увеличивается на 7 − 10 °С. Авторы также показали что, при такой амп- литуде и скорости импульсного давления из- менение электрофизических параметров об- разцов с глубокими уровнями становится су- щественным. Если образцы нагревается на 7 − 10 °С с помощью электрического нагре- вателя, изменений электрических парамет- ров в такой степени не наблюдается. Следо- вательно, можно предположить, что при рез- ких изменениях внешнего давления, кроме изменений температуры образца, проявляет- ся и релаксационные эффекты. Авторами [4] были изучены некоторые из этих релаксаци- онных эффектов. Показано, что релаксацион- ные эффекты приводят к существенному из- менению электрических параметров образ- цов. В связи с этим в настоящей работе рас- сматривается вклад релаксационных эффек- тов в общие тензосвойства кремния компен- УДК: 539.21:621.315.592 РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ И КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В Si С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСНОГО ДАВЛЕНИЯ О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А.Туйчиев, Б.Х. Кучкаров Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан Поступила в редакцию 29.09.2012 В работе исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в образцах n- и p-типа кремния с примесью никеля при воздействии импульсного гидростатического давления и при изменении температуры с помощью электрического нагревателя встроенного в исследуемый образец. Показано, что динамический тензоэффект этих образцов связан 50% от температуры и 50% от колебательных эффектов кристаллической решетки образцов кремния с примесью никеля. Ключевые слова: тензосвойства, компенсированный кремний, концентрация носителей, под- вижность носителей, импульсное давление, гидростатическое давление, примеси никеля, дина- мический тензоэффект, глубокие уровни. У роботі досліджена зміна концентрації та рухливості носіїв заряду в зразках n- і p-типу кремнію з домішкою нікелю при впливі імпульсного гідростатичного тиску й при зміні температури за допомогою електричного нагрівача вбудованого в досліджуваний зразок. Показано, що динамічний тензоефект цих зразків зв’язаний 50% від температури й 50% від коливальних ефектів кристалічної решітки зразків кремнію з домішкою нікелю. Ключові слова: тензовластивості, компенсований кремній, концентрація носіїв, рухливість носіїв, імпульсний тиск, гідростатичний тиск, домішки нікелю, динамічний тензоефект, глибокі рівні. In this article have been investigated changes in the concentration and mobility of charge carriers in the samples of n and p type of nickel doped silicon under pulse hydrostatic pressure and with change of temperature by electrical heater integrated to the samples. Has been shown, that the dynamic strain effect of these samples due to 50% of the temperature and 50% of the vibration effects of the crystal lattice of nickel doped silicon. Keywords: strain properties, compensated silicon, concentration of charge carriers, mobility of charge carriers, pulse pressure, hydrostatic pressure, impurity of nickel, dynamic strain effects, deep levels.  О.О. Маматкаримов, Р.Х. Хамидов, Р.Г. Жабборов, У.А.Туйчиев, Б.Х. Кучкаров, 2012 419ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4 сированного примесями, создающими глу- бокие энергетические уровни. Известно, [3] что в компенсированных об- разцах кремния изменение подвижности но- сителей заряда, при статическом давлении, незначительно. При этом в компенсирован- ных образцах кремния n-типа подвижность носителей заряда увеличивается, а в образцах p-типа − уменьшается. В данной работе приводятся результаты анализа тензо-Холл эффекта наблюдаемого в образцах Si с глубокими примесными уров- нями. Для проведения экспериментов нами изготовлены образцы кремния с примесями Ni, Mn и Au с различными удельными сопро- тивлениями и типами проводимости. Экспе- рименты проводились на установке всесто- роннего гидростатического давления (ВГД) с пневмоусилителем, описанной в [5]. Известно, что при приложении импульс- ного давления изменяется температура образ- ца, следовательно, при увеличении темпера- туры, может изменяться и подвижность но- сителей заряда. Исследования показали, что при воздейст- вии импульсного давления в образцах n-Si <Ni> подвижность носителей заряда увели- чивается, достигает своего максимального значения и далее уменьшается. При снятии давления значение подвижно- сти уменьшается, становится меньше перво- начального значения, но с течением времени возвращается к первоначальному значению. Ход изменения подвижности при воздейст- вии импульсного гидростатического давления (ИГД) качественно похож на ход изменения тока при ИГД, но по значению абсолютной величины меньше (рис. 1). Известно [6], что при ИГД изменяется тем- пература образца. Можно предполагать, что изменение подвижности, носителей заряда при ИГД, связано с изменением температуры, стимулированным импульсным давлением. Но, как видно из рис. 1 при увеличении температуры на 10 °C с помощью обычного нагревателя подвижность уменьшается незна- чительно. Это говорит о том, что при ИГД увеличе- ние подвижности носителей заряда в образ- цах n-Si<Ni> связано с релаксационными эф- фектами, а увеличение температуры образца при ИГД снижает увеличение подвижности носителей заряда при ИГД за счет релакса- ционного эффекта. На рис. 2 приведено относительное изме- нение подвижности носителей заряда в p-Si<Ni> c удельным сопротивлением ρ∼ 103 Ом⋅см. Как видно из рис. 2, подвижность носите- лей заряда в образцах p-Si<Ni>, в отличии от n-Si<Ni>, уменьшается (рис. 2 кривая 1). При увеличении температуры этих образцов на 7 − 10 °С, с помощью электрического нагре- вателя подвижность уменьшается на 5 − 6%. Значить, уменьшение подвижности носите- лей заряда в образцах p-Si<Ni> связано час- тично с изменением температуры и частично с релаксационными эффектами. Из приведенных данных можно сделать вывод о том, что в образцах n-Si<Ni>, и в об- разцах p-Si<Ni> с изменением температуры Рис. 1. Относительное изменение подвижности носи- телей заряда в образцах n-Si<Ni> при ИГД (1) и при из- менений температуры с помощью нагревателя (2). Рис. 2. Относительное изменение подвижности носи- телей заряда в р-Si<Ni> с удельными сопротивлениями ρ ~103 Ом·см при ИГД (1) и при изменении темпера- туры с помощью электрического нагревателя(2). О.О. МАМАТКАРИМОВ, Р.Х. ХАМИДОВ, Р.Г. ЖАББОРОВ, У.А.ТУЙЧИЕВ, Б.Х. КУЧКАРОВ 420 подвижность носителей заряда изменяется не значительно. Но изменение подвижности в образцах с разными типами проводимости имеет раз- ный характер. В образцах n-Si<Ni> подвиж- ность увеличивается (на 7 − 8%), а в образцах p-Si<Ni> − уменьшается (на 10 − 11%). Из приведенных экспериментальных ре- зультатов видно, что изменение подвижнос- ти носителей тока при ИГД в образцах крем- ния с примесью никеля незначительно. Это говорит о том, что тензоэффект в таких образ- цах обусловлен в основном изменением кон- центрации. В связи с этим нами исследовались изме- нения концентрации носителей тока в образ- цах кремния с примесями никеля при ИГД и при изменении температуры с помощью элек- трического нагревателя. Как показали экспериментальные резуль- таты, характер изменения концентрации но- сителей в образцах кремния с ГУ совпадает с характером изменения проводимости этих об- разцов при ИГД. Для примера, на рис. 3 приведено отно- сительное изменение концентрации носите- лей заряда в образцах n-Si<Ni> (рис. 3а) и p-Si<Ni> (рис. 3б) при ИГД. Видно, что при воздействии импульсного давления, концентрация носителей увеличи- ваясь, достигает некоторого максимального значения, далее уменьшатся и остается не из- менной, равной своему статическому зна- чению. На рис. 3б приведено относительное изме- нение концентрации при ИГД в образцах p-Si<Ni>. В перекомпенсированных образцах p-Si<Ni>, концентрация увеличивается, как и в случае n-Si<Ni>, но при этом изменения большие чем в образцах n-Si<Ni>. При резком снятия давления, концентрация уменьшается до величины меньшей своего начального зна- чения, далее со временем, увеличивается и принимает первоначальное значения. Для изучения проявления механизмов тензоэф- фекта в образцах Si<Ni> были исследованы относительные изменения концентрации при изменении температуры с помощью электри- ческого нагревателя (рис. 3а, б кривая 2). Как видно из рис. 3 температурная часть составляет 50% от динамического изменения концентрации. Остальные 50% изменений приходится на долю релаксационных эф- фектов. Также видно, что как в образцах n-Si<Ni>, так и в образцах p-Si<Ni> стати- ческая часть изменений концентрации сос- тавляет величину примерно равную 40% от общего изменения. На основании приведенных данных мож- но сделать вывод о том, что в образцах Si<Ni> почти половина динамического тензоэффекта происходит за счет изменения температуры, Рис. 3а. Относительное изменение концентрации но- сителей заряда в образцах n-Si<Ni> с удельным сопро- тивлением 105 Ом⋅см при ИГД (1) и при изменении температуры с помощью электрического нагревате- ля (2). Рис. 3б. Относительное изменение концентрации но- сителей заряда в образцах p-Si<Ni> с удельным сопро- тивлением 105 Ом⋅см при ИГД (1) и при изменении температуры (2). РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ И КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В Si С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ ... ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4 421ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4 а другая половина происходит за счет релакса- ционных эффектов. Теперь рассмотрим механизмы проявле- ния тензоэффектов в образцах кремния с глу- бокими примесными уровнями. Как было по- казано, токи, протекающие через образцы кремния с ГУ при ИГД увеличиваются до 80%. При этом подвижность носителей заря- да увеличивается на 10% относительно пер- воначального значения. Значить происходя- щие эффекты в образцах кремния с ГУ при ИГД в основном происходят за счет измене- ния концентрации. Подвижность изменяется, при ИГД, только за счет изменения темпера- туры, поэтому достаточно рассмотреть изме- нения концентрации носителей заряда при ИГД. Известно [7], что концентрация подвиж- ных носителей заряда в кремнии описывается следующим образом: 0 exp iEn n kT  = −    , (1) где n0 − начальная концентрация, Ei − энергия ионизация примесей, Т − температура об- разца, k − постоянная Больцмана. При статическом давлении глубокий энер- гетический уровень смещается в сторону зоны проводимости и значения Ei уменьшается на величину αP, α − барический коэффициент смещения энергетических уровней полупро- водника, Р − величина внешнего давления. Значит (энергия ионизация ГУ) при воз- действии давления может быть выражена так: Eiр = Ei − αP, (2) где Еi − энергия ионизация примесей при дав- лении, α i − барический коэффициент смеще- ния ГУ, Р − приложенное давление. При статическом давлении изменения кон- центрации связано только со смещением глу- бокого уровня. При этом температурная и ре- лаксационная часть изменения концентрации отсутствует. Формулу (1) перепишем с уче- том (2) 0 exp iE Рn n kT − α = −    . (3) Выражение (3) показывает что, концент- рация подвижных носителей изменяется, в основном, за счет смещения глубокого уровня при статическом давлении. Далее выражение (3) запишем с учетом воздействию импульсного давления. При воз- действии импульсного давления, согласно [4] температура увеличивается на ∆Т. Тогда вы- ражение (3) принимает вид 0 exp ( iE Pn n k T T  − α= − + ∆  . (4) Общую концентрацию носителей заряда при динамическом воздействии гидростати- ческого давления можно представить в виде: n = nd + nCT, (5) где, nd − динамическая часть изменения кон- центрации, nCT − общая концентрация носи- телей при статическом давлении, Значить, общая концентрация при ИГД мо- жет быть записана так: 0 exp i i d E Pn n n kT − α = + −    . (6) С другой стороны общая концентрация носителей при импульсном воздействии гид- ростатического давления, описывается фор- мулой (4). Приравнивая (4) и (5) получим фор- мулу для динамической части изменений кон- центрации носителей при ИГД. 0 0exp exp ( i i i d E P E Pn n n k T T kT  − α − α = − − −   + ∆    . (7) Упрощаем последнюю формулу 0 exp ( exp 1 exp i i i d i i E P k T TE Pn n E PkT kT   −α−  + ∆−α    = − ⋅ −   −α   −      , (8) exp 1d CT E Tn n kT T T  ∆ ∆ � �= − � �+ ∆ � � , (9) где nCT − общая концентрация носителей при воздействии статического давления. ∆Е = Еi − α iP − изменения энергетического уровня при давлении P. Относительное изменение температуры обозначим так T T T T ∆ε = + ∆ . (10) Поскольку ∆Т зависит от амплитудных зна- чений импульсного давления и от кристалли- О.О. МАМАТКАРИМОВ, Р.Х. ХАМИДОВ, Р.Г. ЖАББОРОВ, У.А.ТУЙЧИЕВ, Б.Х. КУЧКАРОВ 422 ческих свойств полупроводника, то в разных температурных условиях и при одинаковых значениях и скорости изменения импульсного давления можно предположить, что εТ зави- сит только от начальной температуры Т. От- сюда, чем меньше T, тем больше εТ. Формулу (9) перепишем с учетом (10) � � �    −� � �    ∆= 1exp kT Enn i TCTd ε . (11) При низких температурах можно считать, что exp 1i T E kT ∆ ε >>    и формула (11) при- меть вид CT exp i d T En n kT ∆ = ε    . (12) Из полученного выражения видно, что чем меньше начальная температура, тем больше динамическая часть изменений концентра- ции носителей заряда в образцах кремния с глубокими примесными уровнями. ЛИТЕРАТУРА 1. Полякова А.А. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. – М.: Энер- гия, 1979. – 168 с. 2. Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Городец- кий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный кремний. – Л.:, 1972. – 121 с. 3. Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Мамат- каримов О.О., Турсунов И.Г., Химматку- лов О. Динамическая проводимость компен- сированного кремния при всестороннем гид- ростатическом сжатии//ФТП. – 1993. – Т. 27, Вып. 3. – С. 516-519. 4. Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в по- лупроводниках//ФТП. – 1976. – Т. 10, Вып. 2. – С.203-233. 5. Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Маматка- римов О.О., Химаткулов О., Худайберге- нов Т.Э. Установка гидростатистического дав- ления с пневмоусилителем для исследования тензосвойвств полупроводниковых материа- лов//ПТЭ. – 1988. – № 5. – С. 229-231. 6. Zainabidinov S.Z., Mamatkarimov O.O., Tursu- nov I., Tuychie U. Dinamic syrain conductivity of compensated silicon//Modern phisics litters B. – 1998. – Vol. 12, № 9. – P. 335-341. 7. Фистуль В.И. Введение в физику полупровод- ников. – М.: Высшая школа, 1984. LITERATURA 1. Polyakova A.A. Deformaciya poluprovodnikov i poluprovodnikovyh priborov. − M.: Energiya, 1979. − 168 s. 2. Boltaks B.I., Bahadyrhanov M.K., Gorodecs- kij S.M., Kulikov G.S. Kompensirovannyj krem- nij. − L.:, 1972. − 121 s. 3. Abduraimov A., Zajnabidinov S.Z., Mamatkari- mov O.O., Tursunov I.G., Himmatkulov O. Dina- micheskaya provodimost kompensirovannogo kremniya pri vsestoronnem gidrostaticheskom szhatii//FTP.− 1993.− T. 27, Vyp. 3.− S. 516-519. 4. Shejkman M.K., Shik A.Ya. Dolgovremennye relaksacii i ostatochnaya provodimost v polu- provodnikah//FTP. − 1976. − T. 10, Vyp. 2. − S. 203-233. 5. Abduraimov A., Zajnabidinov S.Z., Mamatkari- mov O.O., Himatkulov O., Hudajbergenov T.E. Ustanovka gidrostatisticheskogo davleniya s pnevmousilitelem dlya issledovaniya tenzo- svojvstv poluprovodnikovyh materialov//PTE. − 1988. − № 5. − S. 229-231. 6. Zainabidinov S.Z., Mamatkarimov O.O., Tursu- nov I., Tuychie U. Dinamic syrain conductivity of compensated silicon//Modern phisics litters B. − 1998. − Vol. 12, № 9. − P. 335-341. 7. Fistul V.I. Vvedenie v fiziku poluprovodnikov. − M.: Vysshaya shkola, 1984. РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ И КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В Si С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ ... ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 4, vol. 10, No. 4

Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления

Репозитарії

Схожі ресурси