Сапаев, И., & Мирсагатов, Ш. (2014). Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Сапаев, И.Б, та Ш.А Мирсагатов. Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе PSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний PSi-nCdS – гетероперехода. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2014.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Сапаев, И.Б, та Ш.А Мирсагатов. Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе PSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний PSi-nCdS – гетероперехода. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2014.