Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия

Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано пр...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	Джабуа, З.У., Тетелошвили, М.Г., Гигинеишвили, А.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Назва видання:	Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103569
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-103569
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1035692016-06-21T03:02:21Z Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В. Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопроводимости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешётке, при их компенсации атомами кремния. Проведено легування тонких плівок θ-Tm2S3 атомами Si. В області температур 90—500 К виміряні температурні залежності питомого електроопору і термо ЕРС легованих плівок. Досліджено спектральні залежності фотопровідності і фото ЕРС в області енергії фотонів 0,2—3,3 еВ. Висловлено припущення, що в процесі фотопровідності істотну роль відіграють акцепторні рівні, утворені вакансіями в катіонній підгратці, при їх компенсації атомами кремнію The alloying of thin films θ-Tm2S3 is carried out by atoms of Si. In the field of temperatures 90—500 K temperature dependences of specific resistance and thermo EMF of the alloyed films are measured. Spectral dependences of photoconductivity and photo EMF in the field of energy of photons 0.2—3.3 эВ are investigated. It is suggested that in the process of photoconductivity an essential role play acceptor levell, formed by vacancies in a cationic sublattice, at their compensation by atoms of silicon. 2014 Article Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 PACS:7350 Pz.7361 Le.7840 Fy http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103569 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопроводимости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешётке, при их компенсации атомами кремния.
format	Article
author	Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В.
spellingShingle	Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В. Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия Физическая инженерия поверхности
author_facet	Джабуа, З.У. Тетелошвили, М.Г. Гигинеишвили, А.В.
author_sort	Джабуа, З.У.
title	Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
title_short	Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
title_full	Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
title_fullStr	Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
title_full_unstemmed	Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
title_sort	легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2014
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103569
citation_txt	Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия / З.У. Джабуа, М.Г. Тетелошвили, А.В. Гигинеишвили // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 232-236. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT džabuazu legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvojstvatonkihplënokpolutornogosulʹfidatuliâ AT tetelošvilimg legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvojstvatonkihplënokpolutornogosulʹfidatuliâ AT gigineišviliav legirovaniekremniemifotoélektričeskiesvojstvatonkihplënokpolutornogosulʹfidatuliâ
first_indexed	2025-07-07T14:04:45Z
last_indexed	2025-07-07T14:04:45Z
_version_	1836997239734534144
fulltext	ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЕМ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУТОРНОГО СУЛЬФИДА ТУЛИЯ ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 2, vol. 12, No. 2232 © Джабуа З. У., Тетелошвили М. Г., Гигинеишвили А. В., 2014 232 PACS:7350 Pz.7361 Le.7840 Fy ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЕМ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЁНОК ПОЛУТОРНОГО СУЛЬФИДА ТУЛИЯ З. У. Джабуа, М. Г. Тетелошвили, А. В. Гигинеишвили Департамент физики, Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия Поступила в редакцию 29. 05. 2014 Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К из мерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС ле ги- ро ван ных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопрово- ди мости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в ка ти- он ной подрешётке, при их компенсации атомами кремния. Ключевые слова: плёнка, легирование, электросопротивление, термо ЭДС, фотопроводи- мость, фото ЭДС, донорный уровень, акцепторный уровень. ЛЕГУВАННЯ КРЕМНІЄМ І ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКИХ ПЛІВОК ПОЛУТОРНОГО СУЛЬФІДУ ТУЛІЯ З. У. Джабуа, М. Г. Тетелошвілі, А. В. Гігінеішвілі Проведено легування тонких плівок θ-Tm2S3 атомами Si. В області температур 90—500 К ви- міряні температурні залежності питомого електроопору і термо ЕРС легованих плівок. До слід- же но спектральні залежності фотопровідності і фото ЕРС в області енергії фотонів 0,2—3,3 еВ. Ви словлено припущення, що в процесі фотопровідності істотну роль відіграють акцепторні рів ні, утворені вакансіями в катіонній підгратці, при їх компенсації атомами кремнію. Ключові слова: плівка, легування, електроопір, термо ЕРС, фотопровідність, фото ЕРС, до- нор ний рівень, акцепторні рівень. DOPING BY SILICON AND PHOTOVOLTAIC PROPERTIES OF THIN THULIUM SESQUISULFIDE FILMS Z. U. Jabua, M. G. Teteloshvili, A. V. Gigineishvili The alloying of thin films θ-Tm2S3 is carried out by atoms of Si. In the field of temperatures 90— 500 K temperature dependences of specific resistance and thermo EMF of the alloyed films are me- a sured. Spectral dependences of photoconductivity and photo EMF in the field of energy of photons 0.2—3.3 эВ are investigated. It is suggested that in the process of photoconductivity an es sen tial role play acceptor levell, formed by vacancies in a cationic sublattice, at their compensation by atoms of silicon. Keywords: film, alloying, resistance, thermo EMF, photoconductivity, photo EMF, donor level, ac- cep tor level. ВВЕДЕНИЕ Полуторные сульфиды редкоземельных эле- ментов (РЗЭ) имеют уникальные оптичес- кие, фотоэлектрические, пьезоэлектрические и другие свойства представляющие ин терес как с точки зрения практического при менения так и для прояснения многих про блемных во- просов физики твёрдого тела [1—8]. Однако, не все эти соединения изучены достаточно. Ранее нами изучены отические и фото элек - трические свойства полуторного суль фи да неодима легированного атомами кадмия и свинца [8]. В представленной работе впервые про- ведено легирование тонких плёнок полу- торного сульфида тулия атомами кремния З. У. ДЖАБУА, М. Г. ТЕТЕЛОШВИЛИ, А. В. ГИГИНЕИШВИЛИ ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 2, vol. 12, No. 2 233 и исследованы температурные зависимости удельного электросопротивления, спектра- ль ные и температурные зависимости фо- то про водимости и фото эдс легированных плёнок. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДАННЫЕ На плёнках θ-Tm2S3 толщиной 1,4—2,0 мкм и с уделным электрическим сопротивлением ρ = 108 Ом·м приготовленных дискретным вакуумным испарением [7], электронно лу- че вым испарением наносили слой кремния толщиной 8—10 мкм. При напылении вакуум в рабочей камере составлял ~10–6мм рт. ст., температура при напылении кремния была равна 450—500 K. После напыления крем- ния плёнку до комнатной температуры ох- лаждали со скоростью ~25 град/час. После чего плёнку переносили в кварцевую ампу- лу, которую откачивали до ~10–5 мм рт. ст. и затем заполняли её спектрально чистим аргоном, запаивали её и помещали в дифуз- ную печь, где проводили отжиг при темпе- ратуре ~900 K в течении 20—25 час. После отжига плёнку охлаждали до комнатной тем- пературы со скоростью ~20 град/час, изыма- ли из ампулы и алмазной пастой полировали поверхность пленки для удаления излишков кремния. Плёнки имели электронную прово- димость с удельным электрическим сопро- тивлением ~100 Ом·м. Все легированные плёнки имели тёмно-коричневую окраску. На отожжённых плёнках снимали рентгено- дифрактограмму при излучении CuKα с ни- келевым фильтром в режиме непрерывной записи со скоростью 0,25 град/мин. Иденти- фикация рентгенодифрактограмм по казала, что все максимумы соответствуют θ-Tm2S3 и, соответственно можно сказать, что в преде- лах ошибки эксперимента при легировании не наблюдается появление дополнительной фазы. Измерения удельного электросопротив- ления проводили в области температур 95— 500 K компенсационным методом, термо ЭДС — абсолютным методом с поправкой ЭДС меди. Точность измерения этих параме- тров была не хуже 3—4 %. В области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ были измерены фото- проводимость (ФП) и фото ЭДС (установка и методика описаны в [9, 10]). Численные значения ФП рассчитивались на равное чис ло фотонов, соответствующее интен- сивности падающего на плёнку излучения 0,1 Вт/см2. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТА И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ На рис. 1 приведена температурная зависи- мость удельного электросопротивления в об ласти температур 90—500 K. Как вид- но из рисунка, в области температур от 90 до 280 К удельное электросопротивление не изменяетя и составляет ~100 Ом·м, при даль нейшем увеличении температуры рез- ко уменьшается и при 500 К равняется ~0,4 Ом·м. На рис. 2 приведена зависимость на ту- раль ного логарифма удельного элек тро со- про тивления от обратной абсолютной тем- пе ратуры, видно, что кривая имеет один пря молинейный участок в области темпера- тур ~280—500 K, и он соответствует энер- гии ио низации 0,32 эВ. На рис. 3 показана зависимость диф фе- рен циальной термо ЭДС от температуры в об ла сти ~90—500 K. Термо ЭДС с нача- ла — в области температур 90—250 К бы- стро уве ли чивается от 50 до 480 мкВ/грд, 100 80 60 40 20 10 8 6 4 2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 100 200 300 400 500 Т, К ρ, О м . м . Рис. 1. Зависимость удельного электросопротивле- ния от температуры ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЕМ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУТОРНОГО СУЛЬФИДА ТУЛИЯ ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 2, vol. 12, No. 2234 а затем в об ласти температур 250—500 К рост замедляется и α достигает величины ~550 мкВ/грд. Такая температурная зави- симость тер мо ЭДС хорошо согласуется с данными работ [10—12] для полуторных сульфидов РЗЭ, хотя нужно отметить, что обьяснение такого по ве дения требует допол- нительных ис сле до ва ний. В области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ в температурном интервале 90—300 K изуче- на спектральная зависимость фотопроводи- мости и фото ЭДС. На рис. 4 и 5 представлены спектраль- ные зависимости фотопроводимости соот- ветственно при 95 К и 300 К. Как известно, в диэлектрических материалах, которые не про являют фотоактивности (к таким мате ри- алам относится полуторный сульфид ту лия) возможно достижение значительной фотоак- тивности путём создания компен си рованных акцепторных состояний [13]. Хотя в нашем случае кремний со здаёт только донорные цен тры и высокую фо то чув ствительность и вы сокую фото ЭДС, наверное, можно при- писать к существованию ком пенсированных глу боких акцепторных уров ней. Существование акцепторных уровней в полуторном сульфиде тулия связано су- щес твованием в катионной подрешётке ва- кан сии. Как известно [14] в полуторных халь когенидах РЗЭ каждый девятий узел в ка тионной подрешетке является вакантным. Со ответственно можно предположить, что в запрещённой зоне полуторного судфида ту лия существует глубокий акцепторный уро вень и фоточувствительность связана с вве дением донорной примеси кремния, ко- торый является одним из источников фо то- но сителей и оказывает большое влияние на уже существующие акцепторные уровни. 5 4 3 2 1 1 3 5 7 9 11 103 / Т, К–1 In ρ, О м . м . Рис. 2. Зависимость натурального логарифма удель- но го электросопротивления от обратной абсолютной тем пературы Т, К 600 α, м кВ /К 400 200 100 200 300 400 500 Рис. 3. Зависимость термо ЭДС от температуры 50 ħω, эВ ∆σ /σ , 1 02 40 30 20 10 1,0 2,0 3,0 Рис. 4. Спектральная зависимость фотопроводимос- ти при 300 К 20 15 10 5 1,0 2,0 3,0 ħω, эВ ∆σ /σ , 1 02 Рис. 5. Спектральная зависимость фотопроводимос- ти при 95 К З. У. ДЖАБУА, М. Г. ТЕТЕЛОШВИЛИ, А. В. ГИГИНЕИШВИЛИ ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 2, vol. 12, No. 2 235 перспективными материалами для создания светочувствительных структур. ВЫВОДЫ Впервые разработана технология легирова- ния тонких плёнок полуторного сульфида ту лия атомами кремния. Показано, что леги- ро вание значительно уменьшает удельное элек тросопротивление плёнок, и они приоб- ре тают высокую фоточувствительность, ко- то рая сохраняется в пределах нескольких де сятков циклов нагрев-охлаждение. Пред- по лагается, что высокая фоточувствитель- ность связана с акцепторными уровнями, соз данными вакансиями в катионной подре- шет ке, и которые коммпесируются донорны- ми примесями атомов кремния. Авторы выражают благодарность Е. В. Подзоровой и В. П. Саратовой за по- мощь в измерении фотопроводимости и фо то ЭДС. ЛИТЕРАТУРА 1. Gasgnier M. Rare Earth Compounds (Oxides, Sul fides, Silicides, Boron,..) as Thin Films and Crys talls // Phys. Status Solidi A. — 1989. — Vol. 114, No. 11. — P. 11—71. 2. Verna A. S. Electronic and optical properties of rare-earth chalcogenides and pnictides // Af- ri can physical review. — 2009. — Vol. 3. — P. 11—29. 3. Ohta M., Hirai S., Mori T., Nishimura T., Shi- makage K. Thermoelectric Properties of Th3P4- ty pe Rare-earth Sulfides Ln2S3(Ln = Gd, Tb) pre pared by Reaction of Their Oxides with CS2 // Journal of Aloys and Compunds. — 2007. — Vol. 451, No. 1—2. — P. 627—631. Из рис. 4, 5, 7 видно, что на кривых спек- тра ль ных зависимостей фотопроводимости и фото ЭДС при ~0,51 эВ наблюдаются хо- рошо выявленные пики. Можно предполо- жить, что эти пики соответствуют основной энергии донорного уровня кремния. Кроме этого при температуре 90 К при 0,47 эВ на- блюдается пик меньшей интесивности, ко- торая с увеличением температуры исчезает. Можно допустить, что этот последний пик связан с возбуждением донорного уровня кремния. Соответственно интервал между первым воз буждённым состоянием и основ- ным состоянием кремния составляет 0,51 – 0,47 = 0,04 эВ. У длинноволнового края фотопроводимо- сти частотная зависимость близка к экс по- нен циальной, что свидетельствует о том, что в формировании края поглощения в полу- тор ном сульфиде тулия не участвуют пря- мые междузонные переходы электронов. Как показали специальные опыты, неско- ль ко десятков циклов, нагрев, охлаждение (про ведено до 100 циклов) легированных плё нок в области температур 95—500 K не вы зывает восстановления высокого на чаль- но го удельного электросопротивления и по- тери фоточувствителности, что делает их 2,0 ∆σ /σ , 1 02 1,5 1,0 0,5 0,45 0,50 ħω, эВ Рис. 6. Тонкая структура в спектре фотопроводимо- сти при 90 К 8 ε, 1 0 мВ ħω, эВ 6 4 2 1,0 2,0 3,0 Рис. 6. Тонкая структура в спектре фотопроводимо- сти при 90 К ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЕМ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУТОРНОГО СУЛЬФИДА ТУЛИЯ ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 2, vol. 12, No. 2236 4. Ohta M., Hirai S., Kato H, Nishimura T., Ue- mu ra Y. Termoelectric Properties of Lantanium Sesquisulfides with Ti Additive // Applied Phy- sics Letters. — 2005. — Vol. 87, No. 4. — P. 042106—1—042106—3. 5. Ohta M., Hirai S., Mori T., Yajima Y., Nis- hi mura T., Shimakage K. Effect of non-sto- i chimetry on the rmoelectric properties of γ-Tb2S3–X // Jou rnal of Aloys and Compunds. — 2006. — Vol. 418, No. 1—2. — P. 209—212. 6. Кертман А. В. Оптическая сульфидная кера- мика // Соросовский образовательный жур- нал. Химия, 2000. — С. 1—6. 7. Тетелошвили М., Джабуа З. Гигинеишви- ли А. Технология приготовления тонких плё нок Tm2S3 дискретным испарением // Na- no-Stu dies. — 2013. — Vol. 7. — P. 229—232. 8. Джабуа З. У., Гигинеишвили А. В., Стамате- ли М. Ю., Давитадзе К. Д., Илуридзе Г. Н. Оптические и фотоэлектрические свойства нелегированных и легированных кадми- ем и свинцом тонких плёнок полуторного сульфида неодима // ФТТ. — 2006. — Т. 48, № 8, — С. 1397—1401. 9. Глурджидзе Л. Н., Кехайов Т. Д., Гзиришви- ли Д. Г., Бжалава Т. Л., Санадзе В. В. Спектры отражения, поглощения, фотопроводимо сти и фото ЭДС тонких плёнок YbS при 300 K // ФТТ. — 1980. — Т. 22. — С. 660—664. 10. Джабуа З. У. Приготовление, легирование и фи зические свойства тонких плёнок некото- рых сульфидов и антимонидов редкоземель- ных элементов / Диссертация на соискание учё ной степени доктора технических. — Тби лиси, 2005. — 299 с. 11. Tacer S. M., Gruber I. B. Thermoelectric pro- per ties of Re compounds // Mat. Res. Bull. — 1981. — Vol. 16. — P. 1407—1500. 12. Бьюб Р. Фотопроводимость твёрдых тел. — М., ИЛ, 1962. — 256 с. 13. Голубков А. В., Гончарова Е. В., Жузе В. П., Ло гинов Г. М., Сергеева В. М., Смир- нов И. А. Физические свойства халькогени- дов ред коземельных элементов. — Л.: На- ука, 1973. — 260 с. LITERATURA 1. Gasgnier M. Rare Earth Compounds (Oxides, Sulfides, Silicides, Boron,..) as Thin Films and Crystalls // Phys. Status Solidi A. — 1989. — Vol114, No. 11. — P. 11—71. 2. Verna A. S. Electronic and optical properties of rare-earth chalcogenides and pnictides // Afri- can physical review. — 2009. — Vol. 3. — P. 11—29. 3. Ohta M., Hirai S., Mori T., Nishimura T., Shi- ma kage K. Thermoelectric Properties of Th3P4- type Rare-earth Sulfides Ln2S3 (Ln = Gd, Tb) prepared by Reaction of Their Oxides with CS2 // Journal of Aloys and Compunds. — 2007. — Vol. 451, No. 1—2. — P. 627—631. 4. Ohta M., Hirai S., Kato H, Nishimura T., Ue- mu ra Y. Termoelectric Properties of Lantanium Sesquisulfides with Ti Additive // Applied Physics Letters. — 2005. — Vol. 87, No. 4. — P. 042106—1—042106—3. 5. Ohta M., Hirai S., Mori T., Yajima Y., Nis hi- mura T., Shimakage K. Effect of non-stoi chi- me try on thermoelectric properties of γ-Tb2S3–X // Jou r nal of Aloys and Compunds. — 2006. — Vol. 418, No. 1—2. — P. 209—212. 6. Kertman A. V. Opticheskaya sul’fidnaya ke- ra mika // Sorosovskij obrazovatel’nyj zhurnal. Himiya, 2000. — P. 1—6. 7. Teteloshvili M., Dzhabua Z. Gigineishvili A. Teh nologiya prigotovleniya tonkih plenok Tm2S3 diskretnym ispareniem // Nano-Stu di- es. — 2013. — Vol. 7. — P. 229—232. 8. Dzhabua Z. U., Gigineishvili A. V., Sta ma te- li M. Yu., Davitadze K. D., Iluridze G. N. Op- ti cheskie i fotoelektricheskie svojstva ne le gi- ro vannyh i legirovannyh kadmiem i svincom ton kih plenok polutornogo sul’fida neodima // FTT. — 2006. — T. 48, No. 8. — P. 1397— 1401. 9. Glurdzhidze L. N., Kehajov T. D., Gzi ri sh vi- li D. G.. Bzhalava T. L., Sanadze V. V. Spektry ot razheniya, pogloscheniya, fotoprovodimosti i fotoeds tonkih plenok YbS pri 300 K // FTT. — 1980. — T. 22. — P. 660—664. 10. Dzhabua Z. U. Prigotovlenie, legirovanie i fi zi- cheskie svojstva tonkih plenok nekotoryh sul’- fi dov i antimonidov redkozemel’nyh elementov / Dissertaciya na soiskanie uchenoj stepeni dok- tora tehnicheskih. — Tbilisi, 2005. — 299 p. 11. Tacer S. M., Gruber I. B. Thermoelectric pro- per ties of Re compounds // Mat. Res. Bull. — 1981. — Vol. 16. — P. 1407—1500. 12. B’yub R. Fotoprovodimost’ tverdyh tel. — M., IL, 1962. — 256 p. 13. Golubkov A. V., Goncharova E. V., Zhuze V. P., Loginov G. M., Sergeeva V. M., Smirnov I. A. Fizicheskie svojstva hal’kogenidov red ko ze- mel’ nyh elementov. — L.: Nauka, 1973. — 260 p.

Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия

Репозитарії

Схожі ресурси