Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия - Джабуа, З.У.; Тетелошвили, М.Г.; Гигинеишвили, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2014)
Проведено легирование тонких плёнок θ-Tm2S3 атомами Si. В области температур 90—500 К измерены температурные зависимости удельного электросопротивления и термо ЭДС легированных плёнок. Исследованы спектральные зависимости фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0,2—3,3 эВ. Высказано предположение, что в процессе фотопроводимости существенную роль играют акцепторные уровни, образованные вакансиями в катионной подрешётке, при их компенсации атомами кремния.