Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей

Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей

Антиферромагнитные (АФМ) материалы находят применение в устройствах спинтроники в роли «подмагничивающих» прослоек для ферромагнетиков, в том числе в элементах магнитной памяти. В данной работе мы рассматриваем наночастицу, которая представляет собой многослойную структуру – синтетический мультифер...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
Hauptverfasser: Кондович, С.В., Гомонай, Е.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Schriftenreihe:Металлофизика и новейшие технологии
Schlagworte:
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104234
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей / С.В. Кондович, Е.В. Гомонай // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 11. — С. 1451-1463. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-104234
record_format dspace
spelling irk-123456789-1042342016-07-06T03:01:35Z Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей Кондович, С.В. Гомонай, Е.В. Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов Антиферромагнитные (АФМ) материалы находят применение в устройствах спинтроники в роли «подмагничивающих» прослоек для ферромагнетиков, в том числе в элементах магнитной памяти. В данной работе мы рассматриваем наночастицу, которая представляет собой многослойную структуру – синтетический мультиферроик, содержащий пьезоэлектрический и АФМ-слои, в качестве потенциального носителя информации. Хранение информации соответствует определённой ориентации АФМ-вектора в наночастице. Мы анализируем возможные способы переключения состояния такой частицы с помощью магнитного поля и предлагаем метод упрощения процесса переориентации АФМ-вектора, используя для управления состоянием образца не только магнитное, но также и электрическое поле. Антиферомагнетні (АФМ) матеріяли застосовуються в пристроях спінтроніки в ролі прошарків для «підмагнетовування» феромагнетиків, у тому числі в елементах магнетної пам’яті. В даній роботі ми розглядаємо наночастинку, яка є багатошаровою структурою – синтетичним мультифероїком, що містить п’єзоелектричний і АФМ-прошарки, в якості потенційного носія інформації. Зберігання інформації відповідає певній орієнтації АФМ-вектора в наночастинці. Ми аналізуємо можливі способи перемикання стану такої частинки за допомогою магнетного поля і пропонуємо методу спрощення процесу переорієнтації АФМ-вектора, використовуючи для управління станом зразка не лише магнетне, а й електричне поле. Antiferromagnetic (AFM) materials are used along with ferromagnetic materials in spintronic devices, e.g., in magnetic memory elements. In a given paper, we consider a multilayered nanoparticle–a synthetic multiferroic, which includes piezoelectric and AFM layers, as a potential information-recording medium. Storage of information corresponds to a particular orientation of the AFM vector in a nanoparticle. We analyse the possible ways to switch the state of such particle using a magnetic field and propose a method for simplifying the process of the AFM-vector reorientation, manipulating the state of the sample not only with the magnetic field, but also with the electric one. 2013 Article Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей / С.В. Кондович, Е.В. Гомонай // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 11. — С. 1451-1463. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 1024-1809 PACS numbers:75.30.Gw, 75.70.-i,75.75.Jn,75.80.+q,75.85.+t,85.70.-w, 85.75.Ff http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104234 ru Металлофизика и новейшие технологии Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
spellingShingle Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Кондович, С.В.
Гомонай, Е.В.
Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей
Металлофизика и новейшие технологии
description Антиферромагнитные (АФМ) материалы находят применение в устройствах спинтроники в роли «подмагничивающих» прослоек для ферромагнетиков, в том числе в элементах магнитной памяти. В данной работе мы рассматриваем наночастицу, которая представляет собой многослойную структуру – синтетический мультиферроик, содержащий пьезоэлектрический и АФМ-слои, в качестве потенциального носителя информации. Хранение информации соответствует определённой ориентации АФМ-вектора в наночастице. Мы анализируем возможные способы переключения состояния такой частицы с помощью магнитного поля и предлагаем метод упрощения процесса переориентации АФМ-вектора, используя для управления состоянием образца не только магнитное, но также и электрическое поле.
format Article
author Кондович, С.В.
Гомонай, Е.В.
author_facet Кондович, С.В.
Гомонай, Е.В.
author_sort Кондович, С.В.
title Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей
title_short Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей
title_full Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей
title_fullStr Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей
title_full_unstemmed Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей
title_sort управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2013
topic_facet Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104234
citation_txt Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей / С.В. Кондович, Е.В. Гомонай // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 11. — С. 1451-1463. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
series Металлофизика и новейшие технологии
work_keys_str_mv AT kondovičsv upravleniesostoâniâminanočasticyantiferromagnetikpʹezoélektrikspomoŝʹûmagnitnogoiélektričeskogopolej
AT gomonajev upravleniesostoâniâminanočasticyantiferromagnetikpʹezoélektrikspomoŝʹûmagnitnogoiélektričeskogopolej
first_indexed 2025-07-07T15:06:27Z
last_indexed 2025-07-07T15:06:27Z
_version_ 1837001121041743872
fulltext 1451 СТРОЕНИЕ И СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ И МЕЗОСКОПИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ PACS numbers:75.30.Gw, 75.70.-i,75.75.Jn,75.80.+q,75.85.+t,85.70.-w, 85.75.Ff Управление состояниями наночастицы антиферромагнетик—пьезоэлектрик с помощью магнитного и электрического полей С. В. Кондович, Е. В. Гомонай Национальный технический университет Украины «КПИ», просп. Победы, 37, 03056 Киев, Украина Антиферромагнитные (АФМ) материалы находят применение в устрой- ствах спинтроники в роли «подмагничивающих» прослоек для ферромаг- нетиков, в том числе в элементах магнитной памяти. В данной работе мы рассматриваем наночастицу, которая представляет собой многослойную структуру – синтетический мультиферроик, содержащий пьезоэлектри- ческий и АФМ-слои, в качестве потенциального носителя информации. Хранение информации соответствует определённой ориентации АФМ- вектора в наночастице. Мы анализируем возможные способы переключе- ния состояния такой частицы с помощью магнитного поля и предлагаем метод упрощения процесса переориентации АФМ-вектора, используя для управления состоянием образца не только магнитное, но также и элек- трическое поле. Антиферомагнетні (АФМ) матеріяли застосовуються в пристроях спінт- роніки в ролі прошарків для «підмагнетовування» феромагнетиків, у то- му числі в елементах магнетної пам’яті. В даній роботі ми розглядаємо наночастинку, яка є багатошаровою структурою – синтетичним мульти- фероїком, що містить п’єзоелектричний і АФМ-прошарки, в якості поте- нційного носія інформації. Зберігання інформації відповідає певній оріє- нтації АФМ-вектора в наночастинці. Ми аналізуємо можливі способи пе- ремикання стану такої частинки за допомогою магнетного поля і пропо- нуємо методу спрощення процесу переорієнтації АФМ-вектора, викорис- товуючи для управління станом зразка не лише магнетне, а й електричне поле. Antiferromagnetic (AFM) materials are used along with ferromagnetic mate- rials in spintronic devices, e.g., in magnetic memory elements. In a given paper, we consider a multilayered nanoparticle–a synthetic multiferroic, which in- cludes piezoelectric and AFM layers, as a potential information-recording me- Металлофиз. новейшие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2013, т. 35, № 11, сс. 1451—1463 Оттиски доступны непосредственно от издателя Фотокопирование разрешено только в соответствии с лицензией 2013 ИМФ (Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины) Напечатано в Украине. 1452 С. В. КОНДОВИЧ, Е. В. ГОМОНАЙ dium. Storage of information corresponds to a particular orientation of the AFM vector in a nanoparticle. We analyse the possible ways to switch the state of such particle using a magnetic field and propose a method for simplifying the process of the AFM-vector reorientation, manipulating the state of the sample not only with the magnetic field, but also with the electric one. Ключевые слова: мультиферроик, антиферромагнетик, наночастица, элемент памяти. (Получено 10 октября 2013 г.) 1. ВВЕДЕНИЕ Одним из важных факторов успешного внедрения спинтронных приборов в современные информационные технологии является возможность контролировать состояние магнитных материалов с помощью электрического напряжения. Для этой цели используют- ся мультиферроики, т.е. материалы, которые могут иметь в одной фазе два или более вида «ферро»-упорядочений: например, ферро- магнитное, антиферромагнитное, ферро-(сегнето-)электрическое, ферроэластическое (сегнетоупругое) и др. В последнее время большую популярность приобрели так назы- ваемые синтетические мультиферроики, в которых за счёт комби- нации материалов с различными магнитными, электрическими и механическими свойствами значительно расширяются диапазоны изменяемых параметров и управляющих полей. В частности, ком- бинирование материалов с пьезоэлектрическими и магнитоупруги- ми свойствами позволяет контролировать магнитное состояние си- стемы с помощью механического напряжения (созданного в пьезо- электрике небольшим электрическим напряжением), а также спо- собствовать процессу переключения намагниченности [1, 2]. Одно из преимуществ использования таких комбинированных систем заключается в возможности управления магнитной анизо- тропией ферромагнитного слоя, состояние которого (ориентация вдоль или против определенного направления) соответствует коди- рованию информации [3, 4]. Действительно, анизотропия ферро- магнетиков малых (порядка 10—100 нм) размеров определяется преимущественно формой образца, которая, в свою очередь, может меняться от сильно анизотропной до почти изотропной за счёт внешних механических напряжений. В системах записи информа- ции на основе ферромагнетиков контроль формы и связанной с ней магнитной анизотропии отдельного элемента памяти при перезапи- си позволяет уменьшить нежелательное влияние диполь- дипольных взаимодействий со стороны других элементов и уско- рить процесс переориентации намагниченности. Кроме того, это позволяет существенно снизить энергетические затраты (по сравне- УПРАВЛЕНИЕ СОСТОЯНИЯМИ НАНОЧАСТИЦЫ 1453 нию со стандартными зарядовыми элементами) при перезаписи [5], а также при хранении информации. С другой стороны, в последнее время все чаще в качестве возмож- ных активных элементов памяти рассматривают антиферромагне- тики (АФМ), которые, обладая нетривиальной магнитной структу- рой, в то же время не имеют макроскопической намагниченности и, как следствие, не создают внешних магнитных полей (см., напри- мер, работу [6]). Так же, как и ферромагнетики, АФМ чувствитель- ны к внешнему магнитному полю, кроме того, ориентация АФМ- векторов может изменяться под действием спин-поляризованного тока [7, 8], что обеспечивает возможность записи информации. Считывание может осуществляться путём недавно обнаруженного эффекта туннельного анизотропного сопротивления [9], а кодиро- вание – на разных (неколлинеарных) ориентациях АФМ-вектора. Кроме того, АФМ обладают высокой устойчивостью по отношению к спонтанной переориентации магнитных моментов (что и обуслав- ливает их применение в качестве вспомогательных, подмагничи- вающих элементов спин-вентильных структур). Однако применение АФМ в качестве возможных носителей ин- формации сталкивается с определёнными трудностями. Прежде всего, для материалов с высокой (выше комнатной) температурой Нееля характерные поля переключения достигают порядка 1 Тл (обратная сторона высокой температурной устойчивости или про- явление так называемого обменного усиления), что существенно превышает характерные поля перемагничивания ферромагнети- ков. Вместе с тем, АФМ, в отличие от ферромагнетиков, могут «пе- ремагничиваться» (изменять ориентацию АФМ-вектора) под дей- ствием механических напряжений (см., например, [10]). Кроме то- го, величина магнитоупругих взаимодействий в АФМ, ответствен- ных за чувствительность к механическим напряжениям, суще- ственно (на несколько порядков) превышает магнитоупругие взаи- модействия в типичных ферромагнетиках. В дополнение магнито- упругие взаимодействия дают основной вклад в наведённую формой АФМ-образца магнитную анизотропию [11]. Таким образом, синте- тические мультиферроики, включающие в себя слои АФМ в соче- тании с пьезоэлектрическими материалами могут рассматриваться как альтернативные носители информации, и изучение их пред- ставляется актуальной и интересной задачей. Целью данной работы является изучение возможности управле- ния состоянием АФМ-наночастицы с помощью комбинации маг- нитных и электрических полей и создаваемых последними механи- ческих напряжений. В рамках общей феноменологической модели мы рассчитываем равновесные конфигурации такой наночастицы в зависимости от ориентации внешних полей (включая и магнитное поле) и значения критических полей, при которых происходит пе- 1454 С. В. КОНДОВИЧ, Е. В. ГОМОНАЙ реориентация. Мы кратко рассматриваем уже известные методы переключения ориентации АФМ-вектора с помощью магнитного поля; основным же результатом работы является описание воз- можности управления магнитным состоянием мультиферроика «пьезоэлектрик—антиферромагнетик» приложением одновременно электрического и магнитного полей. 2. АНТИФЕРРОМАГНИТНАЯ ЧАСТИЦА КАК ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ В данной работе в качестве активного элемента памяти рассматрива- ется наночастица двухподрешёточного коллинеарного АФМ, напы- лённая на пьезоэлектрическую (ПЭ) подложку (рис. 1, а). Предпола- гается, что кристаллические решётки АФМ и пьезоэлектрика имеют одинаковую структуру, таким образом, возникшая в пьезоэлектрике при приложении электрического напряжения деформация передаёт- ся непосредственно в АФМ-слой. Форма образца эллиптическая, с полуосями a и b, толщина АФМ-слоя h (a  b  h). Абсолютные раз- меры АФМ-слоя достаточно велики для установления в нем магнит- ного упорядочения (h больше корреляционной длины) и достаточно малы для того, чтобы считать образец монодоменным. Кодирование информации. Для кодирования информации АФМ должен иметь два чётко различимых состояния, определяемых ори- ентацией АФМ-вектора L, которые в отсутствие управляющих полей вырождены по энергии и разделены энергетическим барьером (рис. 1, б, в). Соответственно, будем считать, что АФМ-слой имеет тетра- гональную структуру типа «лёгкая плоскость», а плотность магнит- ной энергии анизотропии выберем следующим образом:  || 2 4 4 anis 2 4 0 0 ( ) , 4 16 z x y K K w L L L M M   L (1) где || 0K K  – константы анизотропии 2-го и 4-го порядка, со- ответственно, M0 – намагниченность подрешётки, |L|  2M0, оси x, y, z декартовой системы координат направлены вдоль кристалло- графических осей [100], [010] и [001]. Для удобства при дальней- ших расчётах примем |L|  2M0  1. Очевидно, что две равновесные ориентации вектора АФМ, L1||x и L2||y, определяемые из условия минимума энергии (1), имеют оди- наковую энергию anis 1 anis 2 ( ) ( )w w K  L L (рис. 1, в). Переход от одного состояния к другому путём поворота вектора АФМ в плоско- сти xy связан с преодолением энергетического барьера     anis max anis 1 ( ) ( ) /2,w w w KL L (2) где Lmax||[110] – состояние, соответствующее максимуму энергии (1). УПРАВЛЕНИЕ СОСТОЯНИЯМИ НАНОЧАСТИЦЫ 1455 Поворот АФМ-вектора, связанный с выходом из плоскости xy, требует существенно больших энергетических затрат ( || K ) и пото- му не рассматривается. В этом случае удобно параметризовать АФМ вектор углом , отсчитываемым против часовой стрелки от оси x (рис. 1, б); при этом Lx  cos, Ly  sin. Заметим, что хранение закодированной в состоянии АФМ- частицы информации связано с его устойчивостью по отношению к спонтанным переворотам под действием шумов. Очевидно, что при заданной температуре устойчивость повышается при увеличении магнитной анизотропии образца, и как следствие, увеличении энергетического барьера (2). Необходимо подчеркнуть, что в рассматриваемой модели инфор- мация кодируется на двух эквивалентных неколлинеарных (вза- имно перпендикулярных) состояниях, в отличие, например, от ра- боты [6], в которой предложено переключение между состояниями АФМ, угол между которыми 180, как для кодирования информа- ции в ФМ [3, 4]. Экспериментальное наблюдение неколлинеарных состояний АФМ возможно с использованием методов магнитного линейного дихроизма, фотоэмиссионной электронной микроскопии (см., например, [12—14]) и др. Магнитоупругие эффекты и влияние формы образца. Наиболее простой способ упростить (и, возможно, ускорить) процесс переори- ентации АФМ-вектора заключается в уменьшении величины по- тенциального барьера (2) между состояниями L1 и L2 на время пере- ключения. Это можно сделать, например, прикладывая к системе дополнительно магнитное поле и/или механическое напряжение. Рассмотрим возможность использования магнитоупругих свойств АФМ для уменьшения энергетического барьера. Пьезо- электрическая (ПЭ) подложка (рис. 1, а) служит для усиления де- формации наночастицы под действием электрического поля: элек- Рис. 1. Синтетический мультиферроик: АФМ-слой толщины h на пьезо- электрической (ПЭ) подложке (а). Равновесные ориентации АФМ-вектора L (толстые стрелки) для круглого образца с радиусом a; соответствующие уг- лы   0 и   /2 отсчитываются от оси x против часовой стрелки (б). Схема- тическое изображение энергетического барьера, связанного с переключени- ем между устойчивыми равновесными состояниямиАФМ-вектора (в). 1456 С. В. КОНДОВИЧ, Е. В. ГОМОНАЙ трическое напряжение V приводит к возникновению механических напряжений, которые можно описать тензором V   ,   – ПЭ тензор. При условии совпадения параметров кристаллических ре- шёток АФМ и ПЭ механическое напряжение полностью передаётся в АФМ плёнку, вызывая деформацию образца: u  /2, где  – мо- дуль сдвига,  – компонента тензора   в направлении приложения внешней силы. Величина энергии магнитоупругих взаимодействий в АФМ- материалах обычно значительно больше, чем в ФМ: для многих АФМ это обусловлено наличием сильных кристаллических полей и, как следствие, сильной спин-орбитальной связи. Для простейше- го случая упругоизотропного материала представим плотность маг- нитоупругой энергии в виде 2iso anis 1 1 , 2 3 3 m e w Tr I ITr                         L L L     (3) где I  – единичная матрица, константа iso отвечает изотропному расширению решётки при магнитном упорядочении, а константа anis – сдвиговым деформациям. В случае наночастиц существенный вклад в анизотропию АФМ также может вносить форма образца. Этот вклад можно учесть с помощью энергии раздеформирования, которая для заданной гео- метрии образца и в предположении изотропности упругих свойств кристалла имеет следующий вид [11]:   2 2 elas 2 2 elas 2 2 destr || 1 1 4 . 2 2 y x x y x y w K L L K L L L L         (4) Здесь elas elas || ,K K – зависящие от формы образца магнитоупругие коэффициенты. Скобки <...> означают усреднение по объёму АФМ- образца. Анализ выражения (4) показывает, что, в отличие от ФМ, форма приводит к возникновению анизотропии как 2-го (константа elas || K ), так и 4-го порядка. Последнее слагаемое перенормирует соб- ственную анизотропию (константа K ), а первое снимает энергети- ческое вырождение между состояниями L1 и L2. Следовательно, для кодирования информации предпочтительно использовать изотроп- ные образцы круговой формы с a  b, для которых elas elas || 0.K K  Кроме того, вклад формы в энергию мал по порядку величины по сравнению с вкладом магнитоупругости, поэтому в данной работе эффекты формы мы учитывать не будем. Управление состоянием с помощью магнитного поля. Наиболее про- стой (с физической точки зрения) способ переключения состояния АФМ-частицы, по аналогии с ФМ материалами, связан с приложе- нием внешнего магнитного поля H. Действительно, хорошо известно [15], что поле, приложенное вдоль равновесного направления L, при- УПРАВЛЕНИЕ СОСТОЯНИЯМИ НАНОЧАСТИЦЫ 1457 водит к скачкообразному повороту вектора АФМ в положение L  H (так называемый спин-флоп переход); см. рис. 2, а. Критическое по- ле переориентации s-f cr /χH K  (где χ – магнитная восприим- чивость), и для веществ с высокой температурой Нееля может со- ставлять 1 Тл, т.е. достаточно велико. Кроме того, следует ожидать, что процесс переключения будет достаточно медленным, поскольку, фактически, представляет собой фазовый переход. Другой, более быстрый способ переключения, связан с особенно- стями динамики АФМ в переменном магнитном поле. В частности, для рассматриваемой системы вращение АФМ-вектора в плоскости xy при наличии внешнего, зависящего от времени магнитного поля H(t)||z следующим определяется уравнением [16, 17]: 22 AFMR AFM2 2 sin4 , 4 d d dH g dt dtdt       (5) где  – угол между АФМ-вектором и осью x (Lz  0), AFMR     /g K – частота АФМР, g – гиромагнитное отношение, AFM – коэффициент затухания. Уравнение (5) эквивалентно уравнению движения частицы еди- ничной массы в потенциале     2 AFMR ( ) ( /16) cos4U при наличии вязкого трения с коэффициентом 2AFM и внешней силы gdH/dt. Пусть в начальный момент частица находится в равновесном состо- янии с   0 (L  L1); рис. 2, б. Резкое (-образное) включение поля от нуля до амплитудного значения Hamp (с последующим плавным вы- Рис. 2. Переключение между равновесными ориентациями АФМ-вектора L с помощью магнитного поля: спин-флоп переход в магнитном поле Hcr (а); импульс переменного магнитного поля с амплитудой Hamp длительно- стью  (вставка) приводит к преодолению потенциального барьера и после- дующей релаксации в новое состояние [16—17] (б). 1458 С. В. КОНДОВИЧ, Е. В. ГОМОНАЙ ключением) эквивалентно -образному импульсу силы, сообщаю- щему «частице» в начальный момент времени ненулевой импульс amp ,gH  что должно привести к инерционному движению АФМ- вектора по направлению к состоянию   /2 (L  L2) и, таким обра- зом, к переключению состояния. Время переориентации в этом случае определяется коэффициентом затухания AFM и по порядку величины пропорционально периоду собственных колебаний АФМ- вектора, 1/AFM  10 12 c. Такая переориентация может быть достиг- нута переключением с помощью ультракоротких импульсов маг- нитного поля (сгенерированного, например, лазерным импульсом; см. обзор [18]). Критическая величина поля Hcr, при которой происходит пере- ключение, определяется величиной потенциального барьера между состояниями L1 и L2: cr 2 Kw H        , (6) по порядку величины совпадая с критическим полем спин-флопа s-f cr .H Таким образом, эффективность процесса переключения состоя- ния АФМ-частицы зависит от величины магнитной анизотропии: чем анизотропия меньше, тем меньше значение критического поля, тем легче осуществить переключение. Как и в случае ферромагнитных материалов, при создании носи- телей информации возникает проблема оптимизации – малая ани- зотропия благоприятствует процессам перезаписи, а большая – процессам хранения информации. Для ферромагнетиков один из возможных путей решения этой проблемы, предложенный, напри- мер, в работах [2, 5], заключается в управлении магнитной анизо- тропией с помощью электрических полей и создаваемых ими меха- нических напряжений. Аналогичный подход в применении к АФМ- частицам будет рассмотрен в следующем разделе. 3. ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СОСТОЯНИЯ С ПОМОЩЬЮ КОМБИНАЦИИ МАГНИТНОГО И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЕЙ Как уже упоминалось, критическое поле переключения между со- стояниями L1 и L2 можно уменьшить, прикладывая к системе внешние управляющие поля. Из формулы (6) видно, что величина критического магнитного поля, необходимого для переключения, зависит от магнитной анизотропии, которая, в свою очередь, опре- деляется не только внутренней магнитной структурой материала, но и формой образца [11, 19], а также может изменяться под дей- ствием магнитного поля и механического напряжения. Рассмотрим сначала, как повлияет на энергетический барьер УПРАВЛЕНИЕ СОСТОЯНИЯМИ НАНОЧАСТИЦЫ 1459 между равновесными состояниями приложение к ПЭ/АФМ муль- тиферроику электрического поля E, линии напряжённости которо- го параллельны плоскости образца, под углом  к оси x (рис. 3, а). В плоскости xy образца при этом возникнет однородная деформа- ция сдвига: cos , 2 xx yy u u       sin . 2 xy yx u u      Потенци- альная энергия образца (1) с учётом магнитоупругих взаимодей- ствий (3) примет вид: anis(3 cos4 ) cos2( ). 4 K w              (7) При этом изменится величина потенциального барьера между равновесными состояниями АФМ-вектора, которые отличаются от указанных на рис. 1, б и описываются решениями уравнения anis 2 sin4 sin2( ) 0.K           (8) Например, для угла   /4 равновесной ориентации L1 соответ- ствует угол anis 1 1 arcsin , 2 K      L2 – anis 2 1 arcsin , 2 2 K      Lmax – max  /4, а высота энергетического барьера даётся выражением 2 anis max 1 1 ( ) ( ) . 2 w w w K K             L L (9) Таким образом, электрическое поле, приложенное под углом    /4 к оси x, для   0 (сжатие образца) приводит к уменьшению потенциального барьера за счёт уменьшения анизотропии 4-го по- рядка (см. рис. 3, б). В этом случае состояния остаются вырожден- ными. Очевидно, что 0w  при anis .K    Теперь рассмотрим, к чему приведёт внесение АФМ-наночастицы в постоянное магнитное поле s-f 0 cr ,H H линии напряжённости которо- го параллельны плоскости образца, но не сонаправлены с осями x, y. Постоянное магнитное поле вносит в плотность потенциальной энергии дополнительное слагаемое  2mag 0 . 2 w   L H (10) При этом равновесные ориентации АФМ вектора являются ре- шениями уравнения  2 0 2 sin4 sin2 0, H K H        (11) 1460 С. В. КОНДОВИЧ, Е. В. ГОМОНАЙ где H – угол между направлением магнитного поля и осью x. Выражение (11) аналогично уравнению (8) и получается из него заменой 2anis/ на 2 0 / 2.H Различие заключается в том, что ме- ханическое напряжение может принимать как положительные, так и отрицательные значения, в то время как вклад магнитного поля всегда положителен. В общем случае, при одновременном приложении электрическо- го и магнитного полей к образцу под произвольными углами  и H, снимается вырождение состояний L1 и L2. Этот факт можно ис- пользовать для переключения магнитного состояния системы, например, следующим образом. Допустим, что АФМ-вектор вначале ориентирован вдоль оси x, т.е. соответствует состоянию L1 (  0). Приложим электрическое поле E к образцу вдоль оси x (  0); рис. 4, а. Электрическое поле снимает вырождение: состояние с   0 становится энергетически менее выгодным, чем   /2 (штрихпунктирная линия на рис. 4, б); потенциальный барьер для L1 понижается (при   0), и для пере- ключения необходимо меньше энергии 2 anis max 1 1 ( ) ( ) . 2 w w w K K               (12) Рассмотрим способ переключения, схематически представлен- ный на рис. 2, б, поскольку время переключения для этого способа меньше, чем для адиабатического переключения при спин-флоп- переходе (рис. 2, а). Передадим системе, находящейся в состоянии L1, энергию меньшую, чем необходимо для преодоления потенци- ального барьера  (рис. 4, б), а затем включим магнитное поле H0 Рис. 3. Приложение электрического поля E в плоскости образца (а) вслед- ствие магнитоупругих взаимодействий приводит к повороту равновесных ориентаций АФМ-вектора (толстые стрелки L1 и L2) и, таким образом, к уменьшению энергетического барьера между ними (б): w  w; см. урав- нение (9). Пунктирные линии соответствуют отсутствию поля. УПРАВЛЕНИЕ СОСТОЯНИЯМИ НАНОЧАСТИЦЫ 1461 под углом H  /4. Внешнее магнитное поле понизит потенциальный барьер, и си- стема может перейти в энергетически более выгодное состояние L2. После этого поле H0 можно выключить, тем самым повышая потен- циальный барьер, и, следовательно, устойчивость ориентации L2. Таким образом, как схематически показано на рис. 3, б и рис. 4, б, магнитное и электрическое поля, приложенные в плоскости образца, могут понижать потенциальный барьер, уменьшая энер- гию состояния, соответствующего максимуму; кроме того, в зави- симости от направления приложения полей, их влияние на магнит- ную анизотропию приводит к перераспределению энергии между минимумами. Прикладывая к образцу одновременно магнитное и электрическое поле, можно добиться значительного уменьшения потенциального барьера между равновесными состояниями, одно из которых становится энергетически значительно более выгод- ным. После этого переключение между состояниями любым воз- можным способом (например, указанными на рис. 2, а, б) упроща- ется. Выключение электрического и магнитного полей возвращает исходную высоту энергетического барьера и способствует повыше- нию устойчивости конечного состояния, т.е. хранению информа- ции. 4. ВЫВОДЫ В работе теоретически проанализирована возможность управления магнитным состоянием АФМ/ПЭ синтетического мультиферроика. Рис. 4. Одновременное приложение к образцу электрического E и магнит- ного H0 полей (а). Уменьшение энергетического барьера: приложение электрического поля вдоль x делает ориентацию L1 менее выгодной (штрихпунктирная линия), магнитное поле под углом H  /4 к x пони- жает потенциальный барьер. wH, определяется из уравнений (8) и (11). Пунктирные линии соответствуют отсутствию полей (б). 1462 С. В. КОНДОВИЧ, Е. В. ГОМОНАЙ Наряду с некоторыми известными методами переориентации АФМ- вектора (рис. 2) мы предлагаем дополнительно контролировать магнитную анизотропию с помощью электрического и/или магнит- ного поля (рис. 3), уменьшая энергетический барьер между равно- весными ориентациями АФМ-вектора при переключении состоя- ния, и увеличивая – для устойчивости необходимой ориентации. Особенностью подхода является учёт формы образца как управля- ющего параметра, что обусловлено малыми размерами частицы и её пьезоэлектрическими свойствами (деформация при внесении в электрическое поле). В рамках феноменологической модели показано, что с помощью магнитного и электрического поля можно добиться снижения энер- гетических затрат на переключение состояния (запись информации на частицу) и уменьшения времени переключения. Это позволяет предлагать АФМ/ПЭ наночастицы в качестве потенциальных эле- ментов для современных информационных технологий. ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА 1. A. W. Rushforth, E. De Ranieri, J. Zemen, J. Wunderlich, K. W. Edmonds, C. S. King, E. Ahmad, R. P. Campion, C. T. Foxon, B. L. Gallagher, K. Výborný, J. Kučera, and T. Jungwirth, Phys. Rev. B, 78: 085314 (2008). 2. J. Atulasimha and S. Bandyopadhyay, Appl. Phys. Lett., 97: 173105 (2010). 3. J. Wunderlich, A. C. Irvine, J. Zemen, V. Holý, A. W. Rushforth, E. de Ranieri, U. Rana, K. Výborný, J. Sinova, C. T. Foxon, R. P. Campion, D. A. Williams, B. L. Gallagher, and T. Jungwirth, Phys. Rev. B, 76: 054424 (2007). 4. J. Wenisch, C. Gould, L. Ebel, J. Storz, K. Pappert, M. J. Schmidt, C. Kumpf, G. Schmidt, K. Brunner, and L. W. Molenkamp, Phys. Rev. Lett., 99: 077201 (2007). 5. K. Roy, S. Bandyopadhyay and J. Atulasimha, Appl. Phys. Lett., 99: 063108 (2011). 6. S. Loth, S. Baumann, C. P. Lutz, D. M. Eigler, A. J. Heinrich, Science, 335: 196 (2012). 7. H. V. Gomonay and V. M. Loktev, Phys. Rev. B, 81: 144427 (2010). 8. S. Urazhdin and N. Anthony, Phys. Rev. Lett., 99: 046602 (2007). 9. B. G. Park, J. Wunderlich, X. Martí, V. Holý, Y. Kurosaki, M. Yamada, H. Yamamoto, A. Nishide, J. Hayakawa, H. Takahashi, A. B. Shick, and T. Jungwirth, Nature Mater., 10: 347 (2011). 10. J. A. Nasser, J. Phys. France, 41, No. 7: 627 (1980). 11. H. V. Gomonay and V. M. Loktev, Phys. Rev. B, 75: 174439 (2007). 12. E. Folven, T. Tybell, A. Scholl, A. Young, S. T. Retterer, Y. Takamura, and J. K. Grepstad, Nano Lett., 10: 4578 (2010). 13. E. Folven, A. Scholl, A. Young, S. T. Retterer, J. E. Boschker, T. Tybell, Y. Takamura, and J. K. Grepstad, Phys. Rev. B, 84: 220410 (2011). 14. E. Folven, A. Scholl, A. Young, S. T. Retterer, J. E. Boschker, T. Tybell, Y. Takamura, and J. K. Grepstad, Nano Lett., 12: 2386 (2012). УПРАВЛЕНИЕ СОСТОЯНИЯМИ НАНОЧАСТИЦЫ 1463 15. Е. А. Туров, А. В. Колчанов, В. В. Меншин, И. Ф. Мирсаев, В. В. Николаев, Симметрия и физические свойства антиферромагнетиков (Москва: Физматлит: 2001). 16. A. V. Kimel, B. A. Ivanov, R. V. Pisarev, P. A. Usachev, A. Kirilyuk, and Th. Rasing, Nature Phys., 5: 727 (2009). 17. A. Yu. Galkin and B. A. Ivanov, JETP Lett., 88, No. 4: 249 (2008). 18. A. Kirilyuk, A. V. Kimel, and Th. Rasing, Rev. Mod. Phys., 82, No. 3: 2731 (2010). 19. H. V. Gomonay, S. V. Kondovych, and V. M. Loktev, Low Temp. Phys., 38, No. 7: 801 (2012). << /ASCII85EncodePages false /AllowTransparency false /AutoPositionEPSFiles true /AutoRotatePages /None /Binding /Left /CalGrayProfile (Dot Gain 20%) /CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1) /CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2) /sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1) /CannotEmbedFontPolicy /Error /CompatibilityLevel 1.4 /CompressObjects /Tags /CompressPages true /ConvertImagesToIndexed true /PassThroughJPEGImages true /CreateJobTicket false /DefaultRenderingIntent /Default /DetectBlends true /DetectCurves 0.0000 /ColorConversionStrategy /CMYK /DoThumbnails false /EmbedAllFonts true /EmbedOpenType false /ParseICCProfilesInComments true /EmbedJobOptions true /DSCReportingLevel 0 /EmitDSCWarnings false /EndPage -1 /ImageMemory 1048576 /LockDistillerParams false /MaxSubsetPct 100 /Optimize true /OPM 1 /ParseDSCComments true /ParseDSCCommentsForDocInfo true /PreserveCopyPage true /PreserveDICMYKValues true /PreserveEPSInfo true /PreserveFlatness true /PreserveHalftoneInfo false /PreserveOPIComments true /PreserveOverprintSettings true /StartPage 1 /SubsetFonts true /TransferFunctionInfo /Apply /UCRandBGInfo /Preserve /UsePrologue false /ColorSettingsFile () /AlwaysEmbed [ true ] /NeverEmbed [ true ] /AntiAliasColorImages false /CropColorImages true /ColorImageMinResolution 300 /ColorImageMinResolutionPolicy /OK /DownsampleColorImages true /ColorImageDownsampleType /Bicubic /ColorImageResolution 300 /ColorImageDepth -1 /ColorImageMinDownsampleDepth 1 /ColorImageDownsampleThreshold 1.50000 /EncodeColorImages true /ColorImageFilter /DCTEncode /AutoFilterColorImages true /ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG /ColorACSImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /ColorImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /JPEG2000ColorACSImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /JPEG2000ColorImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /AntiAliasGrayImages false /CropGrayImages true /GrayImageMinResolution 300 /GrayImageMinResolutionPolicy /OK /DownsampleGrayImages true /GrayImageDownsampleType /Bicubic /GrayImageResolution 300 /GrayImageDepth -1 /GrayImageMinDownsampleDepth 2 /GrayImageDownsampleThreshold 1.50000 /EncodeGrayImages true /GrayImageFilter /DCTEncode /AutoFilterGrayImages true /GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG /GrayACSImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /GrayImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /JPEG2000GrayACSImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /JPEG2000GrayImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /AntiAliasMonoImages false /CropMonoImages true /MonoImageMinResolution 1200 /MonoImageMinResolutionPolicy /OK /DownsampleMonoImages true /MonoImageDownsampleType /Bicubic /MonoImageResolution 1200 /MonoImageDepth -1 /MonoImageDownsampleThreshold 1.50000 /EncodeMonoImages true /MonoImageFilter /CCITTFaxEncode /MonoImageDict << /K -1 >> /AllowPSXObjects false /CheckCompliance [ /None ] /PDFX1aCheck false /PDFX3Check false /PDFXCompliantPDFOnly false /PDFXNoTrimBoxError true /PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [ 0.00000 0.00000 0.00000 0.00000 ] /PDFXSetBleedBoxToMediaBox true /PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [ 0.00000 0.00000 0.00000 0.00000 ] /PDFXOutputIntentProfile () /PDFXOutputConditionIdentifier () /PDFXOutputCondition () /PDFXRegistryName () /PDFXTrapped /False /CreateJDFFile false /Description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> /CHS <FEFF4f7f75288fd94e9b8bbe5b9a521b5efa7684002000410064006f006200650020005000440046002065876863900275284e8e9ad88d2891cf76845370524d53705237300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c676562535f00521b5efa768400200050004400460020658768633002> /CHT <FEFF4f7f752890194e9b8a2d7f6e5efa7acb7684002000410064006f006200650020005000440046002065874ef69069752865bc9ad854c18cea76845370524d5370523786557406300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c4f86958b555f5df25efa7acb76840020005000440046002065874ef63002> /CZE <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> /DAN <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> /DEU <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> /ESP <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> /ETI <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> /FRA <FEFF005500740069006c006900730065007a00200063006500730020006f007000740069006f006e00730020006100660069006e00200064006500200063007200e900650072002000640065007300200064006f00630075006d0065006e00740073002000410064006f00620065002000500044004600200070006f0075007200200075006e00650020007100750061006c0069007400e90020006400270069006d007000720065007300730069006f006e00200070007200e9007000720065007300730065002e0020004c0065007300200064006f00630075006d0065006e00740073002000500044004600200063007200e900e90073002000700065007500760065006e0074002000ea0074007200650020006f007500760065007200740073002000640061006e00730020004100630072006f006200610074002c002000610069006e00730069002000710075002700410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002000650074002000760065007200730069006f006e007300200075006c007400e90072006900650075007200650073002e> /GRE <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a stvaranje Adobe PDF dokumenata najpogodnijih za visokokvalitetni ispis prije tiskanja koristite ove postavke. Stvoreni PDF dokumenti mogu se otvoriti Acrobat i Adobe Reader 5.0 i kasnijim verzijama.) /HUN <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> /ITA <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> /JPN <FEFF9ad854c18cea306a30d730ea30d730ec30b951fa529b7528002000410064006f0062006500200050004400460020658766f8306e4f5c6210306b4f7f75283057307e305930023053306e8a2d5b9a30674f5c62103055308c305f0020005000440046002030d530a130a430eb306f3001004100630072006f0062006100740020304a30883073002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee5964d3067958b304f30533068304c3067304d307e305930023053306e8a2d5b9a306b306f30d530a930f330c8306e57cb30818fbc307f304c5fc59808306730593002> /KOR <FEFFc7740020c124c815c7440020c0acc6a9d558c5ec0020ace0d488c9c80020c2dcd5d80020c778c1c4c5d00020ac00c7a50020c801d569d55c002000410064006f0062006500200050004400460020bb38c11cb97c0020c791c131d569b2c8b2e4002e0020c774b807ac8c0020c791c131b41c00200050004400460020bb38c11cb2940020004100630072006f0062006100740020bc0f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020c774c0c1c5d0c11c0020c5f40020c2180020c788c2b5b2c8b2e4002e> /LTH <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> /LVI <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> /NLD (Gebruik deze instellingen om Adobe PDF-documenten te maken die zijn geoptimaliseerd voor prepress-afdrukken van hoge kwaliteit. De gemaakte PDF-documenten kunnen worden geopend met Acrobat en Adobe Reader 5.0 en hoger.) /NOR <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> /POL <FEFF0055007300740061007700690065006e0069006100200064006f002000740077006f0072007a0065006e0069006100200064006f006b0075006d0065006e007400f300770020005000440046002000700072007a0065007a006e00610063007a006f006e00790063006800200064006f002000770079006400720075006b00f30077002000770020007700790073006f006b00690065006a0020006a0061006b006f015b00630069002e002000200044006f006b0075006d0065006e0074007900200050004400460020006d006f017c006e00610020006f007400770069006500720061010700200077002000700072006f006700720061006d006900650020004100630072006f00620061007400200069002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002000690020006e006f00770073007a0079006d002e> /PTB <FEFF005500740069006c0069007a006500200065007300730061007300200063006f006e00660069006700750072006100e700f50065007300200064006500200066006f0072006d00610020006100200063007200690061007200200064006f00630075006d0065006e0074006f0073002000410064006f0062006500200050004400460020006d00610069007300200061006400650071007500610064006f00730020007000610072006100200070007200e9002d0069006d0070007200650073007300f50065007300200064006500200061006c007400610020007100750061006c00690064006100640065002e0020004f007300200064006f00630075006d0065006e0074006f00730020005000440046002000630072006900610064006f007300200070006f00640065006d0020007300650072002000610062006500720074006f007300200063006f006d0020006f0020004100630072006f006200610074002000650020006f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002000650020007600650072007300f50065007300200070006f00730074006500720069006f007200650073002e> /RUM <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> /RUS <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> /SKY <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> /SLV <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> /SUO <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> /SVE <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> /TUR <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> /UKR <FEFF04120438043a043e0440043804410442043e043204430439044204350020044604560020043f043004400430043c043504420440043800200434043b044f0020044104420432043e04400435043d043d044f00200434043e043a0443043c0435043d044204560432002000410064006f006200650020005000440046002c0020044f043a04560020043d04300439043a04400430044904350020043f045604340445043e0434044f0442044c00200434043b044f0020043204380441043e043a043e044f043a04560441043d043e0433043e0020043f0435044004350434043404400443043a043e0432043e0433043e0020043404400443043a0443002e00200020042104420432043e04400435043d045600200434043e043a0443043c0435043d0442043800200050004400460020043c043e0436043d04300020043204560434043a0440043804420438002004430020004100630072006f006200610074002004420430002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002004300431043e0020043f04560437043d04560448043e04570020043204350440044104560457002e> /ENU (Use these settings to create Adobe PDF documents best suited for high-quality prepress printing. Created PDF documents can be opened with Acrobat and Adobe Reader 5.0 and later.) >> /Namespace [ (Adobe) (Common) (1.0) ] /OtherNamespaces [ << /AsReaderSpreads false /CropImagesToFrames true /ErrorControl /WarnAndContinue /FlattenerIgnoreSpreadOverrides false /IncludeGuidesGrids false /IncludeNonPrinting false /IncludeSlug false /Namespace [ (Adobe) (InDesign) (4.0) ] /OmitPlacedBitmaps false /OmitPlacedEPS false /OmitPlacedPDF false /SimulateOverprint /Legacy >> << /AddBleedMarks false /AddColorBars false /AddCropMarks false /AddPageInfo false /AddRegMarks false /ConvertColors /ConvertToCMYK /DestinationProfileName () /DestinationProfileSelector /DocumentCMYK /Downsample16BitImages true /FlattenerPreset << /PresetSelector /MediumResolution >> /FormElements false /GenerateStructure false /IncludeBookmarks false /IncludeHyperlinks false /IncludeInteractive false /IncludeLayers false /IncludeProfiles false /MultimediaHandling /UseObjectSettings /Namespace [ (Adobe) (CreativeSuite) (2.0) ] /PDFXOutputIntentProfileSelector /DocumentCMYK /PreserveEditing true /UntaggedCMYKHandling /LeaveUntagged /UntaggedRGBHandling /UseDocumentProfile /UseDocumentBleed false >> ] >> setdistillerparams << /HWResolution [2400 2400] /PageSize [612.000 792.000] >> setpagedevice

Ähnliche Einträge