Туннелирование электронов через нестационарный потенциальный барьер - Абдулкадыров, Д.В.; Белецкий, Н.Н. (Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України, 2008)
Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный барьер в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Определены условия применимости режима одноквантовых электронных переходов через нестационарный потенциальный барьер. Рассмотрена зависимость плотности высокочастотного электронного тока через барьер от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Показано, что активная часть плотности высокочастотного электронного тока может быть отрицательной при надбарьерном прохождении электронов через барьер.