Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
Установлено различие величин удельного электросопротивления ρ кристаллов Сd1–x ZnxTe (х = 0,12…0,16), измеренных в постоянном и переменном электрических полях. Показано, что это различие связано с диссипацией энергии переменного электрического поля, обусловленной диэлектрической релаксацией (ДР). Дл...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105818 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe / С.Л. Абашин, В.К. Комарь, Д.П. Наливайко, С.В. Олейник, В.М. Пузиков, М.А. Ром, С.В. Сулима, О.Н. Чугай // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 1(15), № 3. — С. 71-77. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |