Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe - Абашин, С.Л.; Комарь, В.К.; Наливайко, Д.П.; Олейник, С.В.; Пузиков, В.М.; Ром, М.А.; Сулима, С.В.; Чугай, О.Н. (Радіофізика та електроніка, 2010)
Установлено различие величин удельного электросопротивления ρ кристаллов Сd1–x ZnxTe (х = 0,12…0,16), измеренных в постоянном и переменном электрических полях. Показано, что это различие связано с диссипацией энергии переменного электрического поля, обусловленной диэлектрической релаксацией (ДР). Для оценки вклада ДР в  предложено использовать функцию распределения релаксаторов по частоте, которая может быть найдена из частотной зависимости диэлектрической проницаемости (ДП) кристалла.