Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей - Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В.; Реутина, О.А. (Радіофізика та електроніка, 2014)
В работе исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации планарных диодов с туннельным анодом (ТА) и туннельной боковой границей (ТБГ) на основе GaAs с целью определения влияния параметров ТА и ТБГ на вольтамперные характеристики и эффективность генерации на низких и высоких частотах, а также оценки частотного предела работы диодов. Исследование показало возможность генерации диодами с ТА и ТБГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц и возможность существования двух участков отрицательной дифференциальной проводимости двух зон генерации по напряжению. Результаты исследования позволили определить основные свойства предложенных диодных структур и являются ориентиром для дальнейшего детального анализа физических процессов в них и практической реализации.