Диод с катодным статическим доменом на основе гетероструктуры
В данной работе исследуются статические, импедансные и шумовые характеристики структур GaAs–AlGaAs и AlGaAs–GaAs, в которых за счет профиля легирования на гетеропереходе формируется статический домен сильного поля. Характеристики рассматриваемых диодов сравниваются с характеристиками аналогичных при...
Saved in:
| Date: | 2015 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2015
|
| Series: | Радіофізика та електроніка |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106241 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Диод с катодным статическим доменом на основе гетероструктуры / О.В. Боцула, К.Г. Приходько // Радіофізика та електроніка. — 2015. — Т. 6(20), № 3. — С. 66-71. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |