Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії - Васильєв, М.О.; Макеєва, І.М.; Тіньков, В.О.; Волошко, С.М. (Металлофизика и новейшие технологии, 2014)
У роботі детально вивчено дозову залежність ґенерації та відпалу точкових дефектів, індукованих бомбуванням поверхні монокристалу Al(111) йонами Ar⁺ з енергією 600 еВ у надвисокому вакуумі за допомогою методи дифракції повільних електронів. Показано можливість аналізи зміни інтенсивности дифракційних рефлексів повільних електронів безпосередньо в процесі йонного бомбування, що виключає ефект відпалу при подальшій витримці за кімнатної температури. На основі аналізи дифракційних рефлексів одержано значення енергії активації точкових дефектів.