Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃....
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/107290 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN / Р.Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 3. — С. 449-457. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-107290 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
|
| spelling |
irk-123456789-1072902016-10-18T03:02:00Z Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN Кудрик, Р.Я. Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃. Исследовано влияние дефектности эпитаксиальной плёнки нитрида галлия с концентрацией доноров ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механизмы токопереноса в барьерных контактах на основе Au–TiBx–n-GaN на монокристаллической подложке Al₂O₃. The influence of gallium nitride epitaxial-film structure imperfection with donor concentration of ≈ 4∙10¹⁷ cm⁻³ on the charge-transport mechanisms in barrier contacts based on Au–TiBx–n-GaN on a monocrystalline substrate of Al₂O₃ are investigated. 2015 Article Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN / Р.Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 3. — С. 449-457. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers: 71.55.Ak, 73.30.+y, 73.61.Jc, 85.30.Hi, 85.30.Kk, 85.40.Ls, 85.40.Xx http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/107290 uk Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃. |
| format |
Article |
| author |
Кудрик, Р.Я. |
| spellingShingle |
Кудрик, Р.Я. Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Кудрик, Р.Я. |
| author_sort |
Кудрик, Р.Я. |
| title |
Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN |
| title_short |
Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN |
| title_full |
Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN |
| title_fullStr |
Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN |
| title_full_unstemmed |
Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN |
| title_sort |
контакти з бар’єром шотткі au–tibx–n-gan |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2015 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/107290 |
| citation_txt |
Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN / Р.Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 3. — С. 449-457. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT kudrikrâ kontaktizbarêromšottkíautibxngan |
| first_indexed |
2025-07-07T19:46:05Z |
| last_indexed |
2025-07-07T19:46:05Z |
| _version_ |
1837018713553895424 |