Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію

Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію

В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2014
1. Verfasser: Сичікова, Я.О.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Schriftenreihe:Физическая инженерия поверхности
Schlagworte:
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу.
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108497
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-108497
record_format dspace
spelling irk-123456789-1084972016-11-06T03:02:29Z Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію Сичікова, Я.О. В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу. В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа. In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the surface of indium phosphide presents variations apparatus for producing porous layers on the surface of indium phosphide n-and p-type. Porous surface is formed by anodic electrolytic etching. 2014 Article Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108497 539.217; 544.723 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу.
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу.
spellingShingle В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу.
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу.
Сичікова, Я.О.
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
Физическая инженерия поверхности
description В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа.
format Article
author Сичікова, Я.О.
author_facet Сичікова, Я.О.
author_sort Сичікова, Я.О.
title Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
title_short Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
title_full Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
title_fullStr Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
title_full_unstemmed Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
title_sort технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2014
topic_facet В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу.
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108497
citation_txt Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT sičíkovaâo tehnologíčnízasadiformuvannâporuvatogoprostorunapoverhnífosfíduíndíû
first_indexed 2025-07-07T21:35:12Z
last_indexed 2025-07-07T21:35:12Z
_version_ 1837025579987107840
fulltext Сичікова Я. О., 2014 © 515 УДК 539.217; 544.723 ТЕХНОЛОГІЧНІ ЗАСАДИ ФОРМУВАННЯ ПОРУВАТОГО ПРОСТОРУ НА ПОВЕРХНІ ФОСФІДУ ІНДІЮ Я. О. Сичікова Бердянський державний педагогічний університет, м. Бердянськ, Україна Надійшла до редакції 18.11.2014 В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на по­ верх ні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на по­ верхні фосфіду індію n­ та р­типу. Ключові слова: електрохімічне травлення, електрохімічна комірка, пороутворення, фосфід ін дію. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПОРИСТОГО ПРОСТРАНСТВА НА ПОВЕРХНОСТИ ФОСФИДА ИНДИЯ Я. А. Сычикова В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n­ и р­типа. Ключевые слова: электрохимическое травление, электрохимическая ячейка, порообразова­ ния, фосфид индия. TECHNOLOGICAL BASES FORMING POROUS SPACE SURFACE PHOSPHIDE INDIUM Ya. O. Sychikova In this paper the technological fundamentals of low­dimensional structures on the surface of indium phosphide presents variations apparatus for producing porous layers on the surface of indium pho­ sphide n­and p­type. Porous surface is formed by anodic electrolytic etching. Keywords: electrochemical etching, electrochemical cell, pore formation, indium phosphide. ВСТУП Останнім часом значно виріс інтерес до до сліджень структур із зниженою роз мір ­ ністю, що виявляють ряд незвичайних вла­ стивостей, якими не володів ви хід ний напів­ провідниковий кристал. Най простішими мо ж ливостями створення та кого матеріалу є елек трохімічна обробка в спеціальних роз чинах, що призводять до фор мування по руватого простору. Подібна мо дифікація стру ктурних характеристик по верхні приз­ водить до суттєвих змін фізико­хімічних вла стивостей вихідного матеріалу. Досягну­ тий в останні роки прогрес у вив ченні влас тивостей поруватого кремнію стиму­ лював аналогічні дослідження для на­ півпровідникових сполук А3В5. Існує кілька фізичних і хімічних тех но­ логій одержання поруватих структур: осад­ жен ня з колоїдних суспензій, MOCVD, іс кровий розряд, травлення плазмою, гід­ ротермальний синтез, solegel методи, осад­ ження з газової фази, хімічне й елек тролітичне осад ження [1—3]. Зокрема, за допомогою хі­ мічно активної плазми в p­InP були створені однорідні масиви отворів діаметром близько 40 нм з використанням маски з поруватої алю мінієвої фольги [4]. Літографічно були ство рені пори в (111)А­орієнтованому n­InP [5]. За допомогою іскрового розряду було ство рено поруваті структури Si [6] та InP [7]. Тігіняну та ін. на прикладі GaP [8] пока­ зали, що імплантацією іонів Kr+ можна кон­ тролювати густину дефектів на поверхні GaP, а, отже, й наступну густину пор. Якщо по верхневі вихідні дефекти розподілені рів­ номірно, то наступні пори розподіляються також регулярно. Крім вказаних методів рівномірного формування пор на поверхні монокристалів, ТЕХНОЛОГІЧНІ ЗАСАДИ ФОРМУВАННЯ ПОРУВАТОГО ПРОСТОРУ НА ПОВЕРХНІ ФОСФІДУ ІНДІЮ ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4516 можна ще виділити метод постхімічної об­ робки, або анодування в два етапи. Даний метод застосовували автори робот [9, 10]. Цікавим напрямком є фотолітографія з послідуючим електрохімічним трав­ лен ням. Такі досліди було проведено на монокристалічних підкладках InP з орі­ єнтацією поверхні (100) [11]. На зразки на­ носили шар фоторезисту смужками тов­ щиною 2 мкм. Після цього зразки травили на стандартному пристрої із золотом на катоді. Розчин для електроліту виготовлювали змі­ шуванням азотної та соляної кислот. Після травлення маска фоторезисту видалялася, зразки промивали в ацетоні. Для прикладних цілей необхідна від­ праць ована, оптимізована технологія фор­ му вання поруватих просторів, а також ви­ яв лення фізичних закономірностей, що за безпечать отримання поруватих шарів з відтворюваними характеристиками. Од нак, до теперішнього часу далеко не всі особ­ ливості цих процесів вивчені. В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фос­ фіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів. ОБЛАДНАННЯ ТА ЕКСПЕРИМЕНТ Для експерименту були вибрані зразки монокристалічного n­InP, вирощені за ме­ то дом Чохральського в лабораторії компанії «Molecular Technology GmbH» (Берлін). Да ний метод є розповсюдженим для виро­ щування напівпровідників групи А3В5, тому що вирощування кристала йде з віль­ ної по верхні розплаву, необмеженої стін­ ками кон тейнера (тигля). Завдяки цьому кри стали, от римані методом Чохральского, менш на пружені, ніж кристали, отримані ін шими ме тодами, а форма кристалу виз­ начається теп ловими умовами вирощуван­ ня, швид кіс тю витягування, кристалічною струк турою й кристалографічною орієн та­ цією вирощуваного злитку. Метод ха рак­ те ризується наявністю великої відкритої пло щі розплаву, тому летючі компоненти й до мішки активно випаровуються з поверх­ ні розплаву. Для забезпечення більш рів но­ мірного розподілу температури й домі шок по об,єму розплаву затравочний кристал і тигель із розплавом обертають в про ти­ леж них напрямках. Проте, уздовж фронту крис талізації завжди залишається нерухома область розплаву змінної товщини, у якій транспорт компонентів розплаву (наприклад домішок) здійснюється повільно — ви нят­ ково за рахунок дифузії. Це обумовлює не­ рівномірність розподілу компонентів роз­ плаву по діаметру злитку (по перетину). Це є основним недоліком методу. У роботі [12] запропоновано п’ять чіт­ ких механізмів утворення дислокацій в крис талах, вирощених з розплаву: роз пов­ сюдження дислокацій із затравки в кристал; розпад скупчень вакансій; деформації зсу­ ву, що обумовлені зміною параметру ґрат­ ки із­за різких змін складу; деформації зсу­ ву, обумовленні тепловими ефектами чи зовнішніми механічними впливами; ден­ дрідний ріст. Товщина зразків 1 мм. Пластини були ви ­ різані перпендикулярно осі росту і від по­ ліровані з обох сторін. Кристали під давалися механічній та хімічній поліровці. Було використано набори пластин з різ­ ною кристалографічною орієнтацією, рів­ нем легування і типом провідності. Перед екс периментом зразки проходили кілька ета­ пів очищення, після — просушку в потоці водню, азоту гарячого повітря (для кожного експерименту використовувався один з наведених вище методів). На зворотну сторону пластин в якості кон такту напилювався індій. Порувату поверхню отримували ме то­ дом електрохімічного травлення або фото­ електрохімічного травлення. До чистої поверхні пластин InP пред’я­ вляються вимоги за мінімальним вмістом різних забруднень: органічних, домішок ме­ талів, механічних частинок. Нижче наведені основні етапи очищення пластин монокристалічного InP, які викону­InP, які викону­ ються перед процедурою травлення: 1. шліфовка зразків алмазним порошком; 2. очищення пластин толуолом, етанолом та ізопропанолом; 3. знежирення в гарячому (75—80) °С пе­ ре кис но­аміачному розчині; Я. О. СИЧІКОВА ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4 517 4. промивання в проточній деіонізованої во ді (видалення продуктів реакції по пе­ редньої обробки); 5. обробка в гарячій (90—100) °С кон цен т­ рованій азотній кислоті (видалення іонів металів); 6. гідродинамічна обробка пластин кистя­ ми в струмені деіонізованої води; 7. сушка пластин за допомогою центрифу­ ги в струмені очищеного сухого повітря. Слід зазначити, що деякі етапи по пе ред­ нього очищення можна опустити, за леж но від пропонованої чистоти поверхні пластин. Порувата поверхня формувалася шляхом анодного електролітичного травлення. Цей метод є найбільш простим, ефективним та де шевим для одержання поруватої по верх­ ні напівпровідників групи А3В5 (та ін ших напівпровідників). Швидкість елек трод­ них реакцій залежить не тільки від тер мо­ динамічних параметрів, але і від сили стру­ му у відповідності з рівнянням: v = I/nF, де n — число електронів, що беруть участь у даній електродній реакції, F — число Фара­ дея. У цьому випадку потенціал елек тро хі міч­ ної комірки залежить від кінетичних фак­ торів, а також від матеріалу, з якого зроб­ лений електрод, розмірів і форми електрода, ін тенсивності перемішування розчину і ба­ га тьох інших факторів. Схему експериментального пристрою для отримання поруватих плівок на підкладці мо ­ нокристалічного кристалу методом елек тро­ хімічного травлення представлено на рис. 1. Всі електроди зроблені з палладієвого та платинового дроту для того, щоб відповідати умовам механічної надійності та хімічної стій кості. Корпус електрохімічної ванни зроб лено з фтороплату­4, що є аналогом те­ ф лону. Вибір цього матеріалу обумовлено тим, що фторопласт­4 відповідає усім ви­ могам, які були поставлені перед кон стру­ к ційним матеріалом електрохімічної ван­ ни: механічна надійність, хімічна стій кість, безпека користування, простота об роб ки та ви користання, довговічність. Ос новні ха­ рактеристики пристрою для трав лення на­ ведено в табл. 1. Формування глибоких отворів заданої фор ми в монокристалічному фосфіді ін­ дію часто необхідно при виготовленні мік­ ромеханічних датчиків на його основі. При цьому глибина отвору повинна складати не менше декількох десятків мікрон, а приріст лінійних розмірів по глибині повинен бути мінімальним. Іншими словами, необхідно за безпечити вертикальність стінок отворів по всій глибині. З іншого боку, як показали дослідження механізма формування пору­ ватого InP, зростання пори починається в тій точці поверхні пластини, в якій з якоїсь причини спостерігається висока локальна концентрація дірок. Очевидно, що необхідну локальну концентрацію дірок можна ство­ рити тільки в тому випадку, якщо вони не є основними носіями, тобто в InP n­типу. Вва жається, що ефекти пороутворення InP спостерігаються тільки в кристалах n­типу. В роботі [13] вказується, що в аналогічних умовах анодної поляризації матеріали p­ти­ пу травляться однорідно без утворення пор. Проте останнім часом з’являються по­ відомлення різних наукових груп про фор­ мування поруватої структури на поверхні фосфіду індію р­типу [14, 15]. При травленні кристалів n­типу вдалося встановити, що про цес пороутворення спостерігався при різ­ них складах травника навіть при невелико­ му часі травлення (менше 5 хв) і низькій щільності струму (менше 30 мА/см2). Принципово відрізнялася поведінка кри­ сталів p­типу під час електрохімічного трав лення при тих же умовах. Нам вдалося отримати порувату структуру задовільної якості тільки при використанні соляної кислоти (кон центрація не менше 5 %) при ПК Гальваностат потенціостат Температурний контроль електроліта Платіна Електроліт InP Гумове кільце Омічний контакт Рис. 1. Схема електрохімічної ванни для отримання по руватих сполук методом електрохімічного трав­ лен ня ТЕХНОЛОГІЧНІ ЗАСАДИ ФОРМУВАННЯ ПОРУВАТОГО ПРОСТОРУ НА ПОВЕРХНІ ФОСФІДУ ІНДІЮ ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4518 щільності струму (100—200) мА/см2 і часу травлення від 15 хв і вище. При цьому вико­ ристовувався режим додаткового освітлення зразків вольфрамової лампою під час електролітичного травлення [16]. На рис. 2 наведено схему для фото­ електрохімічного травлення зразків фосфіду індію р­типу. Світло від лампи (6) падає на збираючу лін зу (5). Після проходження збираючої лін зи паралельний пучок світла падає на поверх ню кристалу (3) під кутом 45°. Омічні контакти (4) до р­InP створювалися шляхом на пилення Aq/Zn на зворотну сторону напів­ про відникової пластини. На катоді платина (2), площа 1 см2. Так як енергія кванта світла (ви диме випромінювання) більша шири­ ни за бороненої зони напівпровідника InP (1.344 eV), то у приповерхневій зоні від­ бу вається генерація неосновних носіїв, це призводить до зміни потенціалу на пів ­ провідника. При по гли нанні світ ла напів­ провідником InP р­типу в при по верх невій області утворюються елек трони та дір ки. В результаті викривлення зонної діаграми на межі розділу напівпровідник/електроліт дірки уходять вглиб напівпровідника, а елек трони накопичуються на поверхні. Ці елек трони взаємодіють з монокристалом фо с фіду індію. У результаті на поверхні ут­ ворюються вільні атоми фосфору. Вільні ато ми фосфору та індію уходять в розчин, при цьому відбувається процес утворення пор. Особливістю електрохімічного травлення є його низькотемпературний процес, не­ знач не пошкодження поверхні, простота про цесу та його низька вартість. Такий ме­ тод не потребує високотехнологічного об­ ладнання, достатньо швидкий (2—30) хв та простий в реалізації. Електрохімічні методи дозволяють отримувати високу густину пор, яка являється недосяжною при використанні інших методів. Електрохімічне травлення можна роз ді­ лити на два різних процеси: • хімічне травлення (electroless, без елек­ тричне травлення); • анодне травлення. Слід відмітити, що в обох випадках від­ бувається електрохімічне травлення з об­ міном зарядами на кордоні напівпровідника з електролітом. Хімічне травлення, як правило, це процес електрохімічного окислення без зовнішнь­ ого потенціалу. Для виконання такого роду травлення потрібні досить сильні реагенти, які здатні утворювати/витягувати дірки і електрони з/у валентну зону напівпровід­ ника. Таким чином, окислювально­відновні пари з високим позитивним стандартним елек тродним потенціалом, є обов’язковими і для ефективного травлення. Електронна функ ція розподілу енергії окиснювачів по­ винна перевищувати рівень енергії валентної зони твердого тіла. Таблиця 1 Технічні характеристики електрохімічної ванни Матеріал ванни Фторопласт-4 Матеріал електродів WE, CE, RE, SE паладій, платина Можливість використання схем підключення: 3­х електродна потенціостатична підтримується 4­х електродна потенціостатична підтримується 2­х електродна батарейна підтримується ТРЬОХЕЛЕКТРОДНИЙ ПОТЕНЦІОСТАТ 2 1 3 4 5 6 Рис. 2. Пристрій для фотоелектрохімічного травлен­ ня p­InP: 1 — контрольний електрод, 2 — катод, 3 — пластина монокристалічного InP, 4 — омічний кон­ такт, 5 — збираюча лінза, 6 — лампа Я. О. СИЧІКОВА ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4 519 Механізм електрохімічного окислення, як правило, поділяють на дві часткові реакції: ▪ інжекції дірок у валентну зону (звіль­ нення електронів); ▪ далі, розірвані зв’язки будуть зайняті та­ кими молекулами як ОН­, що і призводить до розчинення матеріалу. Ці два етапи хімічного травлення роз­ ділені один від одного в часі. Через це можна зупинити перебіг першого етапу і, таким чи­ перебіг першого етапу і, таким чи­перебіг першого етапу і, таким чи­ першого етапу і, таким чи­першого етапу і, таким чи­ етапу і, таким чи­етапу і, таким чи­ і, таким чи­ ном, другий етап (розчинення) буде також зупинено. При подачі електричного зміщення, яке змушує електрони переходити з розчину до елек троду процес називається анодним трав­ ленням (дірки пересуваються до буферної зони). З іншого боку, якщо вони переміщуються з електроду в розчин процес називається ка­ тодним травленням (дірки віддаляються від буферної зони). Анодне травлення, подібно хімічному травленню, вимагає наявності ді­ рок для процесу. Велика кількість дірок на поверхні буде спонукати до обриву зв’язків. За аналогією з хімічним травленням, обірвані зв’язки будуть реагувати з нуклеофільними мо лекулами (такими, як ОН­) в електроліті. Якщо всі зв’язки атомів з твердого тіла бу­ дуть замінені на зв’язки з нуклеофільними мо лекулами, будуть утворюватися нові з’єд­ нання, що складаються з атомів твердого тіла і нуклеофільних молекул. Нове з’єднання не буде мати зовсім або мати тільки лише малу частину зв’язків з твердим тілом. Якщо це з’єд нання розчиняється в електроліті, то воно може розчинитися чисто хімічно і, таким чи­ ном, поверхня зразка буде вільна і готова до наступної взаємодії з нуклеофільними мо­ лекулами в травнику [16, 17]. В іншому випадку (якщо новостворене з’єд нання не розчиняється в хімічному се­ редовищі) то на поверхні електрода буде ут ворюватися тонкий шар оксиду, що й буде перешкоджати електрохімічній атаці. З цієї причини придатні для електрохімічного травлення електроліти повинні містити два основних компоненти: • нуклеофільні (тобто сповільнюючі) ком­ поненти; • компоненти, що розчиняють оксиди. У загальному випадку, для напів про від­ ників n­типу необхідні для процесу трав­ лен ня дірки можуть бути породжені ла­ вин ним механізмом пробою, тобто може бу ти наведено досить високий позитивний по тенціал до електрода, або ж цього ефек­ ту можна досягти при освітленні на пів про­ відника фотонами з енергією, що пере вищує ширину забороненої зони напів провідника. ВИСНОВКИ В даній роботі розглянуто технологічні за­ сади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено ва ріації пристрою для отримання поруватих ша рів на поверхні фосфіду індію n­ та р­типу. Особливістю електрохімічного травлення є йо го низькотемпературний процес, незначне пошкодження поверхні, простота процесу та його низька вартість. Такий метод не по­ требує високотехнологічного обладнання, до статньо швидкий (2—30) хв та простий в реалізації. Електрохімічні методи до зво­ ля ють отримувати високу густину пор, яка яв ляється недосяжною при використанні інших методів. ЛІТЕРАТУРА 1. Zhao X., Schoenfeld O., Komuro S., Aoyagi Y., Sugano T. Quantum confinement in nanometer­ sized silicon crystallites // Phys. Rev. B — 1994. —Vol. 50, No. 24. — P. 18654—18657. 2. Rückschloss M. Light emitting nanocrystalline silicon prepared by dry processing: The ef fect of crystallite size / M. Rückschloss, B. Land­ kammer, S. Vepek // Appl. Phys. lett. — 1993. — Vol. 63, No. 11. — P. 1474—1476. 3. Zhang Q., C.Bayliss S., Hutt D. Blue photo­ lu minescence and local structure of Si nano­ structures embedded in SiO2 matrices // A. Appl. Phys. lett. — 1995. — Vol. 66, No. 15. — P. 1977—1979. 4. Jung M., Lee S., Byun Y. T., Jhon Y. M., Kim S. H., Woo D. H., Mho S. Characteristics and fabrication of nanohole array on InP se mi­ conductor substrate using nanoporous alumina // Microelectronics Journal. — 2008. — No. 39(3—4). — Р. 526—528. 5. Takizawa T., Arai S., Nakahara M. Fabrication of Vertical and Uniform­Size Porous InP Stru­ cture by Electrochemical Anodization // Jpn. J. Appl. Phys. — 1994. — No. 33 Part 2 (5 A). — ТЕХНОЛОГІЧНІ ЗАСАДИ ФОРМУВАННЯ ПОРУВАТОГО ПРОСТОРУ НА ПОВЕРХНІ ФОСФІДУ ІНДІЮ ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4520 Р. L643—L645. 6. St. John J. V., Coffer J. L., Rho Y. G., Pini z­ zotto R. F. Formation of rare­earth oxide doped silicon by spark processing // Appl. Phys. Lett. — 1996. — No. 68(24). — Р. 3416—3418. 7. Gudino­Martinez A., Rosendo E., Navarro­ Con treras H., Vidal M. A. Luminescence of spark processed porous InP // Thin Solid Films. — 1998. — No. 322. — Р. 282—289. 8. Tiginyanu I. M., Schwab C., Grob J. ­J., Pre­ vot B. Ion implantation as a tool for controlling the morphology of porous gallium phosphide // Appl. Phys. Lett. — 1997. — No. 71(26). — Р. 3829—3831. 9. Sato T., Mizohata A. Photoelectrochemical Et­ ching and Removal of the Irregular Top Lay­ er Formed on InP Porous Nanostructures // Electrochemical and Solid­State Letters. — 2008. — No. 11 (5) — Р. 111—113. 10. Gassilloud R. Michler J., Ballif C. Selec tive etching of n­InP(100) triggered at sur fac­ edislocations induced by nanoscratching // Elec trochimica Acta. — 2006. — No. 51. — Р. 2182—2187. 11. Su G., Guo Q., Palmer R. E. Patterned arrays of porous InP from photolithographyand elec­ trochemical etching // J. Appl. Phys. — 2003. — Vol. 94 (12). — Р. 7598—7603. 12. Элъбаум К. Субструктура кристаллов, вы­ ращенных из расплава // Успехи физиче­ ских наук. — 1963 . — Т. LХХIХ, вып. 3, — С. 545—584. 13. Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian T., Schmu­ ki P. Electrochemical formation of porous su perlattices on n­type (100) InP // Surface Science. — 2003. Vol. 547. — Р. 268 — 274. 14. Schlierf U., Lockwood D. J., Graham M. J., Schmu ki P. Structural and optical properties of p­InP(100) anodizedin halogenic acids // Elec trochim. Acta. — 2004. — Vol. 49(11). — P. 1743—1749. 15. Dikusar A. I., Bruk L. I., Monaico E. V., Sher­ ban D. A., Simashkevich A. V., Tiginyanu I. M. Photoelectric Structures Based on Nanoporous p­InP // Surface engineering and applied elec trochemistry. — 2008. — Vol. 44 (1). — Р. 1—5. 16. Suchikova Y. A., Kidalov V. V., Sukach G. A. Morphology of porous n­InP (100) obtained by electrochemical etching in HCl solution // Functional Materials. — 2010. — Vol. 17, No. 1. — P. 1—4. 17. Дмитрук М. Л., Барлас Т. Р., Сердюк В. О. Пористі напівпровідники А3В5: технологія електрохімічного пороутворення, структура та оптичні властивості (Огляд) // Фізика і хімія твердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. — С. 13—33. LІTERATURA 1. Zhao X., Schoenfeld O., Komuro S., Aoyagi Y., Sugano T. Quantum confinement in nanometer­ sized silicon crystallites // Phys. Rev. B — 1994. —Vol. 50, No. 24. — P. 18654—18657. 2. Rückschloss M. Light emitting nanocrystalline silicon prepared by dry processing: The ef fect of crystallite size / M. Rückschloss, B. Land­ kammer, S. Vepek // Appl. Phys. lett. — 1993. — Vol. 63, No. 11. — P. 1474—1476. 3. Zhang Q., Bayliss C. S., Hutt D. Blue photo­ luminescence and local structure of Si nano­ structures embedded in SiO2 matrices // A. Appl. Phys. lett. — 1995. — Vol. 66, No. 15. — P. 1977—1979. 4. Jung M., Lee S., Byun Y. T., Jhon Y. M., Kim S. H., Woo D. H., Mho S. Characteristics and fabrication of nanohole array on InP se mi­ conductor substrate using nanoporous alumina // Microelectronics Journal. — 2008. — No. 39(3—4). — P. 526—528. 5. Takizawa T., Arai S., Nakahara M. Fabrication of Vertical and Uniform­Size Porous InP Struc­ ture by Electrochemical Anodization // Jpn. J. Appl. Phys. — 1994. — No. 33 Part 2 (5A). — P. L643—L645. 6. St. John J. V., Coffer J. L., Rho Y. G., Piniz­ zotto R. F. Formation of rare­earth oxide doped silicon by spark processing // Appl. Phys. Lett. — 1996. — No. 68(24). — P. 3416—3418. 7. Gudino­Martinez A., Rosendo E., Navarro­ Con treras H., Vidal M. A. Luminescence of spark processed porous InP // Thin Solid Films. — 1998. — No. 322. — P. 282—289. 8. Tiginyanu I. M., Schwab C., Grob J. ­J., Pre­ vot B. Ion implantation as a tool for controlling the morphology of porous gallium phosphide // Appl. Phys. Lett. — 1997. — No. 71(26). — P. 3829—3831. 9. Sato T., Mizohata A. Photoelectrochemical Etc hing and Removal of the Irregular Top Lay er Formed on InP Porous Nanostructures // Electrochemical and Solid­State Letters. — 2008. — No. 11 (5) — P. 111—113. 10. Gassilloud R. Michler J., Ballif C. Selec­ tive etching of n­InP(100) triggered at sur­ facedislocations induced by nanoscratching // Electrochimica Acta. — 2006. — No. 51. — P. 2182—2187. 11. Su G., Guo Q., Palmer R. E. Patterned arrays of porous InP from photolithographyand Я. О. СИЧІКОВА ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4 521 elec trochemical etching // J. Appl. Phys. — 2003. — Vol. 94 (12). — P. 7598—7603. 12. Elbaum K. Substruktura kristallov, vyras­ chennyh iz rasplava // Uspehi fizicheskih nauk. — 1963 . — Vol. LHHIH, vyp. 3, — P. 545 — 584. 13. Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian T., Schmu­ ki P. Electrochemical formation of porous superlattices on n­type (100) InP // Surface Sci­ ence. — 2003. Vol. 547. — P. 268—274. 14. Schlierf U., Lockwood D. J., Graham M. J., Schmuki P. Structural and optical properties of p­InP(100) anodizedin halogenic acids // Electrochim. Acta. — 2004. — Vol. 49(11). — P. 1743—1749. 15. Dikusar A. I., Bruk L. I., Monaico E. V., Sher­ ban D. A., Simashkevich A. V., Tiginyanu I. M. Photoelectric Structures Based on Nanoporous p­InP // Surface engineering and applied elec trochemistry. — 2008. — Vol. 44 (1). — P. 1—5. 16. Suchikova Y. A., Kidalov V. V., Sukach G. A. Morphology of porous n­InP (100) obtained by electrochemical etching in HCl solution // Functional Materials. — 2010. — Vol. 17, No. 1. — P. 1—4. 17. Dmitruk M. L., Barlas T. R., Serdyuk V. O. Poristі napіvprovіdniki A3V5: tehnologіya elek­ trohіmіchnogo poroutvorennya, struktura ta op tichnі vlastivostі (Oglyad) // Fіzika і hіmіya tverdogo tіla. — 2010. — Vol. 11, No. 1. — P. 13—33.

Ähnliche Einträge