Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал

Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал

Представлені результати комплексних досліджень механізмів зародження і процесів росту, топології поверхні наноструктур у парофазних конденсатах легованого вісмутом плюмбум телуриду PbTe:Bi, вирощених за різних технологічних факторів: температури випарування наважки ТВ = (920—1020) К, температури оса...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Фреїк, Д.М., Биліна, І.С., Межиловська, Л.Й., Уманців, Р.В., Михайлюк, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108498
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал / Д.М. Фреїк, І.С. Биліна, Л.Й. Межиловська, Р.В. Уманців, В.В. Михайлюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 522-534. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-108498
record_format dspace
spelling irk-123456789-1084982016-11-06T03:02:34Z Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал Фреїк, Д.М. Биліна, І.С. Межиловська, Л.Й. Уманців, Р.В. Михайлюк, В.В. Представлені результати комплексних досліджень механізмів зародження і процесів росту, топології поверхні наноструктур у парофазних конденсатах легованого вісмутом плюмбум телуриду PbTe:Bi, вирощених за різних технологічних факторів: температури випарування наважки ТВ = (920—1020) К, температури осадження (підкладки) ТП = (420—520) К, часу осадження τ = (3—120) c на полікристалічному ситалі. Представлены результаты комплексных исследований механизмов зарождения и процессов роста, топологии поверхности наноструктур в парофазных конденсатах легированного висмутом теллурида свинца PbTe:Bi, выращенных при различных технологических факторов: температуры испарения навески ТВ = (920—1020) К, температуры осаждения (подложки) ТП = (420—520) К, времени осаждения τ = (3—120) c на поликристаллическом ситалле. Presented the results of comprehensive research the mechanism of nucleation and growth processes, surface topology in nanostructures doped bismuth vapor-phase condensates Lead Telluride PbTe:Bi, grown on various technological factors: temperature sample vaporation TV = (920—1020) K, deposition temperature (substrate) TS = (420—520) К, deposition time τ = (3—120) s on polycrystalline ceramics. Робота виконана згідно наукових проектів відділу публічної дипломатії НАТО програми «Наука заради миру» (NUKR, SEPP 984536), та МОН України (Державний реєстраційний номер 0113U000185). 2014 Article Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал / Д.М. Фреїк, І.С. Биліна, Л.Й. Межиловська, Р.В. Уманців, В.В. Михайлюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 522-534. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108498 24621.472.629.78 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Представлені результати комплексних досліджень механізмів зародження і процесів росту, топології поверхні наноструктур у парофазних конденсатах легованого вісмутом плюмбум телуриду PbTe:Bi, вирощених за різних технологічних факторів: температури випарування наважки ТВ = (920—1020) К, температури осадження (підкладки) ТП = (420—520) К, часу осадження τ = (3—120) c на полікристалічному ситалі.
format Article
author Фреїк, Д.М.
Биліна, І.С.
Межиловська, Л.Й.
Уманців, Р.В.
Михайлюк, В.В.
spellingShingle Фреїк, Д.М.
Биліна, І.С.
Межиловська, Л.Й.
Уманців, Р.В.
Михайлюк, В.В.
Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал
Физическая инженерия поверхности
author_facet Фреїк, Д.М.
Биліна, І.С.
Межиловська, Л.Й.
Уманців, Р.В.
Михайлюк, В.В.
author_sort Фреїк, Д.М.
title Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал
title_short Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал
title_full Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал
title_fullStr Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал
title_full_unstemmed Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал
title_sort механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів pbte:bi/ситал
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2014
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108498
citation_txt Механізми формування, структура та термоелектричні властивості парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал / Д.М. Фреїк, І.С. Биліна, Л.Й. Межиловська, Р.В. Уманців, В.В. Михайлюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 522-534. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT freíkdm mehanízmiformuvannâstrukturatatermoelektričnívlastivostíparofaznihkondensatívpbtebisital
AT bilínaís mehanízmiformuvannâstrukturatatermoelektričnívlastivostíparofaznihkondensatívpbtebisital
AT mežilovsʹkalj mehanízmiformuvannâstrukturatatermoelektričnívlastivostíparofaznihkondensatívpbtebisital
AT umancívrv mehanízmiformuvannâstrukturatatermoelektričnívlastivostíparofaznihkondensatívpbtebisital
AT mihajlûkvv mehanízmiformuvannâstrukturatatermoelektričnívlastivostíparofaznihkondensatívpbtebisital
first_indexed 2025-07-07T21:35:20Z
last_indexed 2025-07-07T21:35:20Z
_version_ 1837025587026198528
fulltext МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ, СТРУКТУРА ТА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ... ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4522 © Фреїк Д. М., Биліна І. С., Межиловська Л. Й., Уманців Р. В., Михайлюк В. В., 2014 522 УДК 24621.472.629.78 МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ, СТРУКТУРА ТА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПАРОФАЗНИХ КОНДЕНСАТІВ PbTe:Bi/СИТАЛ Д. М. Фреїк, І. С. Биліна, Л. Й. Межиловська, Р. В. Уманців, В. В. Михайлюк Фізико-хімічний інститут, Кафедра фізики і хімії твердого тіла ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника», Івано-Франківськ, Україна Надійшла до редакції 25.11.2014 Представлені результати комплексних досліджень механізмів зародження і процесів росту, то по логії поверхні наноструктур у парофазних конденсатах легованого вісмутом плюмбум те луриду PbTe:Bi, вирощених за різних технологічних факторів: температури випарування на­ важки ТВ = (920—1020) К, температури осадження (підкладки) ТП = (420—520) К, часу осад­ ження τ = (3—120) c на полікристалічному ситалі. Крім того визначено залежності структур­ них харак теристик (середніх розмірів нанокристалітів, швидкості їх зміни у латеральному (Dc, Dc/τ) та нормальному (hc, hc/τ) напрямках до поверхні підкладки) та термоелектричних па­ раметрів (питома електропровідність (σ), холлівська концентрація (n) та рухливість (μ) носіїв, термо­ЕРС (S) та питома термоелектрична потужність (S2σ)) конденсатів PbTe:Bi/ситал від умов їх отримання (ТВ, ТП, τ). Ключові слова: наноструктури, парофазний конденсат, плюмбум телурид, механізми росту, термоелектрика. МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ, СТРУКТУРА И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПАРОФАЗНОГО КОНДЕНСАТА PbTe:Bi/СИТАЛЛ Д. М. Фреик, И. С. Былина, Л. Й. Межиловська, Р. В. Уманцив, В. В. Михайлюк Представлены результаты комплексных исследований механизмов зарождения и процессов роста, топологии поверхности наноструктур в парофазных конденсатах легированного вис­ мутом теллурида свинца PbTe:Bi, выращенных при различных технологических факторов: температуры испарения навески ТВ = (920—1020) К, температуры осаждения (подложки) ТП = (420—520) К, времени осаждения τ = (3—120) c на поликристаллическом ситалле. Кроме того определены зависимости структурных характеристик (средних размеров нанокристал­ литов, скорости их изменения в латеральном (Dc, Dc/τ) и нормальном (hc, hc/τ) направлениях к поверхности подложки) и термоэлектрических параметров (удельная электропроводимость (σ), холловская концентрация (n) и подвижность (μ) носителей, термо­ЭДС (S) и удельная тер­ моэлектрическая мощность (S2σ)) конденсатов PbTe:Bi/ситалл от условий их получения (ТВ, ТП, τ). Ключевые слова: наноструктуры, парофазный конденсат, телурид свинца, механизмы роста, термоэлектричество. MECHANISMS OF FORMATION, STRUCTURE AND THERMOELECTRIC PROPERTIES OF VAPOR-PHASE CONDENSATES PbTe:Bi/CERAMICS D. M. Freik, I. S Bylina, L. Y. Mezhylovska, R. V. Umantsiv, V. V. Myhaylyuk Presented the results of comprehensive research the mechanism of nucleation and growth processes, surface topology in nanostructures doped bismuth vapor­phase condensates Lead Telluride PbTe:Bi, grown on various technological factors: temperature sample vaporation TV = (920—1020) K, deposition temperature (substrate) TS = (420—520) К, deposition time τ = (3—120) s on polycrystalline ceramics. Also determined depending on the structural characteristics (medium­sized nanocrystals, their rate of change in the lateral (Dc, Dc/τ) and normal (hc, hc/τ) directions to the substrate surface) and thermoelectric parameters (electrical conductivity (σ), Hall concentration (n) and mobility (μ) thermo­EMF (S) and thermoelectric power (S2σ)) condensates PbTe:Bi/Ceramics conditions of their Д. М. ФРЕЇК, І. С. БИЛІНА, Л. Й. МЕЖИЛОВСЬКА, Р. В. УМАНЦІВ, В. В. МИХАЙЛЮК ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4 523 ВСТУП Інтерес до вивчення плюмбум телуриду PbTe зумовлений рядом причин. Це по­перше, він є ефективним термоелектричним середньо тем пературним (500—750 К) матеріалом із до статньо високою добротністю ZT = 1 (Z = S2σ/χ, де S — коефіцієнт термо­ЕРС, σ — питома електропровідність, χ — те пло­ провідність, Т — абсолютна температура) [1]. По­друге, через вузькозонність (Eg = 0,32 еВ при 300 К) [2, 3] PbTe знайшов широке використання у пристроях інфрачервоного діапазону оптичного спектру: джерела і де­ тектори когерентного випромінювання [4— 7]. Також слід відзначити те, що особливості P­T­x діаграм рівноваги (двостороння і рет­ роградна область гомогенності, p­ і n­тип провідності, самокомпенсація точкових де­ фектів) роблять плюмбум телурид базовим модельним об’єктом для проведення на у­ кових досліджень [8—9] Легуванням окремими елементами, зо­ кре ма амфотерними домішками Sb і Bi, у зна чній мірі можна модифікувати у певно­ му напрямку основні властивості плюмбум телуриду [4], що є важливим для практично­[4], що є важливим для практично­ го застосування. Що стосується тонкоплівкового стану PbTe:Bi та його аналогів, то слід констатува­ ти також достатньо широкий спектр три ва­ лих досліджень [11—13]. У пропонованій роботі представлено нові підходи до вивчення легованого конденсату PbTe:Bi/ситал, пов’язаного із аналізом су­ міс них результатів АСМ­досліджень та тер­ моелектричних властивостей. І. МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ Тонкоплівкові наноструктури отримували із парової фази за допомогою методу від кри­ того випаровування у вакуумі наперед син­ тезованої сполуки PbTe:Bi із 1 ат.% вісмуту. В якості підкладок використовували пласти­ ни ситалу, які піддавалися попередній хі­ міч ній очистці. Температура випарника змі нювалася в інтервалі ТВ = (920—1020) К, підкладок — ТП = (420—520) К. Час осадження τ варіювався в межах від 3 до 120 с відповідно (табл. 1). Морфологія по­ вер хні наноструктур досліджувалася мето­ дами атомно­силової мікроскопії (АСМ), Na noscope 3a Dimention 3000 (Digital In stru­ ments, USA) у режимі періодичного кон­ такту в Інституті фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ). Вимірювання були проведені в центральній частині зразків з використанням серійних крем нієвих зондів NSG­11 із номінальним радіусом заокруглення вістря до 10 нм (NT0MDT, Росія). За результатами АСМ­ до сліджень, крім морфології поверхні (рис. 1—3, І), у програмі Gwyddion було про­ ведено розрахунки розмірів нанокристалів у латеральному та нормальному напрямках, на основі чого побудовано залежності основ­ них характеристик від різних технологічних умов (рис. 4). Також було визначено тов­ щину отриманих конденсатів за допомо­ гою інтерферометра МИИ­4. Використову­ ючи програму OriginPro 8.5.1, побудовано гістограми розподілу нанокристалітів за ви­ сотами (рис. 1—3, ІІ). Вимірювання електричних параметрів плі вок проводилося на повітрі при кімнат­ них температурах у постійних електричних і маг нітних полях на виготовленій ав то ма ти­ зованій установці із можливостями ком п’ю­ терної обробки результатів. Ви мі рю ваний зра зок мав чотири холлівські і два струмові кон такти. В якості омічних кон тактів ви ко­ ристовувалися плівки срібла. Струм через зразки складав ≈1 мА. Магнітне поле було на прямлене перпендикулярно до поверхні плівок при індукції 1,5 Тл. ІІ. СТРУКТУРА КОНДЕНСАТУ Технологічні фактори осадження у значній мірі визначають процеси зародження, росту і формування окремих нанокристалітів, які у свою чергу є відповідальні за морфологію конденсатів в цілому. Деякі із результатів аналізу АСМ­зображень наноструктур PbTe:Bi наведені у табл. 1 та на рис. 1—5. На (рис. 1, а, б) представлено receipt (TV, TS, τ). Keywords: nanostructures, vapor­phase condensation, Lead Telluride, growth mechanisms, ther mo­ electricity. МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ, СТРУКТУРА ТА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ... ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4524 № з-ка τ*, с ТВ *, К ТП *, К hm *, нм hc *, нм Dm *, нм Dc *, нм Rс *, нм 1 15 920 470 28 10 66 37 1,2 2 30 920 470 38 12 66 44 1,2 3 120 920 470 165 51 175 93 3,1 4 15 970 420 43 14 56 37 1,3 5 60 970 420 22 9 85 52 0,6 6 120 970 420 264 103 187 101 3,8 7 5 970 445 154 56 123 74 3,3 8 15 970 445 32 10 60 39 1,5 9 60 970 445 88 28 124 62 2,1 10 3 970 470 16 6 49 29 0,5 11 5 970 470 19 8 52 29 0,9 12 7 970 470 24 10 37 25 1,4 13 15 970 470 52 19 78 44 1,8 14 60 970 470 209 53 133 80 3,2 15 120 970 470 230 77 182 109 2,6 16 5 970 495 20 10 58 35 0,8 17 15 970 495 23 9 85 45 0,9 18 60 970 495 47 15 103 50 1,6 19 15 970 520 43 19 102 55 1,9 20 60 970 520 93 40 222 110 1,5 21 120 970 520 133 57 227 109 1,1 22 10 1020 470 130 35 130 70 2,9 23 15 1020 470 229 63 161 94 3,4 24 30 1020 470 272 134 179 103 2,9 3D АСМ­зображення (І) та гіс тограми роз­ поділу нанокристалітів за ви сотою (ІІ) від часу осадження τ, с за ста лих температур випарування ТВ = 970 К і підкладок ТП = 470 К. Для заданих умов, характерним є постійний ріст максимальних та середніх висот із збільшенням часу осад ження. Так, при зміні часу τ від 7 с до 120 с максимальні значення висот hm зростають від 24 до 230 нм, а їх середні значення знаходяться в межах hс = (6—70) нм (рис. 4, І, а — ▪). Та ка ж сама тенденція має місце і для се ред ніх ла­ теральних розмірів Dс (рис. 4, І, а — ) та товщини конденсату (рис. 4, І, а — ). Для швидкості росту нормальних hc/τ (рис. 4, ІІ, а —– ▪) і латеральних Dc/τ (рис. 4, ІІ, а — ) розмірів на но струк тур, а також швид кості осадження d/τ кон денсату (рис. 4, ІІ, а — ) спо сте рі гається протилежна тен ден ція. При збіль шен ні часу осадження τ має місце загальне зменшення їхніх значень. Встановлено, що при підвищенні тем пе­ ратури випарування наважки ТВ та ста лих температурі підкладки ТП = 470 К і часу осадження (τ = 15 с) характерним є збіль­ шення максимальних (рис. 2) та середніх ви­ сот наноструктур (рис. 4, І, б — ▪). Так, зокрема, при ТВ = 920—1020 К відбувається Таблиця 1 Технологічні фактори та основні структурні характеристики парофазних конденсатів PbTe:Bi, осаджених на підкладках із ситалу τ*, ТВ *, ТП * — час осадження, температура випарування та температура осадження від­ повідно; hm * та hc * — максимальні та середні нормальні розміри; Dm * та Dc * — максимальні та середні латеральні розміри; Rc * — середня шорсткість. Д. М. ФРЕЇК, І. С. БИЛІНА, Л. Й. МЕЖИЛОВСЬКА, Р. В. УМАНЦІВ, В. В. МИХАЙЛЮК ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4 525 50 40 30 20 10 0 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 dN N , % Height, µm #13 4 8 12 20 16 0 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 dN N , % Height, µm #15 y: 1,00 µm x: 1,00 µm 0,23 µm 0,00 µm y: 1,00 µm x: 1,00 µm 51 nm 0 nm І ІІ а І ІІ б Рис. 1. 3D АСМ­зображення (І) та гістограми розподілу нанокристалітів за висотою (ІІ) у парофазних кон­ денсатах PbTe:Bi, отриманих на підкладках із ситалу при часі осадження τ, с: 15(№ 13) — а, 120(№ 15) — б; ТВ = 970 К; ТП = 470 К y: 1,00 µm x: 1,00 µm 51 nm 0 nm 50 40 30 20 10 0 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 dN N , % Height, µm #13 І ІІ а y: 1,00 µm x: 1,00 µm 0,23 µm 0,00 µm 24 20 16 12 8 4 0 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 dN N , % Height, µm #23 І ІІ б Рис. 2. 3D АСМ­зображення (І) та гістограми розподілу нанокристалітів за висотою (ІІ) у конденсатах PbTe:Bi, отриманих на підкладках із ситалу при температурі випарування ТВ, К: 970(№ 13) — а, 1020(№ 23) — б; ТП = 470 К, τ = 15 с МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ, СТРУКТУРА ТА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ... ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4526 y: 1,00 µm x: 1,00 µm 22 nm 0 nm 10 30 40 50 20 0 0,00 0,05 0,10 0,15 dN N , % Height, µm #5 0,20 0,25 0,30 10 30 25 20 15 5 0 0,00 0,05 0,10 0,15 dN N , % Height, µm #14 0,20 0,25 0,30 y: 1,00 µm x: 1,00 µm 0,21 µm 0,00 µm y: 1,00 µm x: 1,00 µm 47 nm 0 nm 10 40 50 60 70 30 20 0 0,00 0,05 0,10 0,15 Height, µm #18 0,20 0,25 0,30 dN /N , % y: 1,00 µm x: 1,00 µm 93 nm 0 nm 15 25 30 20 0 5 10 0,00 0,05 0,10 0,15 Height, µm #20 0,20 0,25 0,30 dN /N , % І ІІ а І ІІ б І ІІ в І ІІ г Рис. 3. 3D АСМ­зображення (І) та гістограми розподілу нанокристалітів за висотою (ІІ) у парофазних кон­ денсатах PbTe:Bi, отриманих на підкладках із ситалу при температурі осадження ТП, К: 420(№ 5) — а, 470(№ 14) — б, 495(№ 18) — в, 520(№ 20) — г; ТВ = 970 К; τ = 60 с Д. М. ФРЕЇК, І. С. БИЛІНА, Л. Й. МЕЖИЛОВСЬКА, Р. В. УМАНЦІВ, В. В. МИХАЙЛЮК ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4 527 збільшення максимальних hm = (28—229) нм (рис. 2, І; табл. 1) та середніх hc = (10— 63) нм висот (рис. 4, І, б — ▪) відповідно. Це підтверджується і гістограмами розподілу висот (рис. 2, ІІ), які побудовані із кроком 10 нм. Максимум розподілу висот зміщується в область більших значень при підвищенні температури випарування ТВ. Що стосується латеральних розмірів D та товщини d кон­ ден сату, то як середні латеральні розміри, І ІІ а І ІІ б І ІІ в Рис. 4. Залежності середніх нормальних hc (▪) та латеральних Dc ( ) розмірів нанокристалітів і товщини плівок d ( ) (І), а також швидкості росту hс/τ (▪) та Dс/τ ( ) нанокристалітів і швидкості осадження d/τ ( ) (ІІ) парофаз­ них конденсатів PbTe:Bi на підкладках із ситалу від часу осадження τ (а) (ТВ = 970 К, ТП = 470 К), температури випарування ТВ (б) (τ = 15 с, ТП = 470 К) та температури осадження ТП (в) (ТВ = 970 К, τ = 60 с) 120 100 80 60 40 20 0 0 20 40 60 80 100 120 0 500 1000 1500 2000 h C (D C ), nm d, n m τ, s hC DC d 100 80 60 40 20 0 920 940 960 980 1000 1020 0 200 400 600 800 1000 1200 h C (D C ), nm d, n m ТВ, K hC DC d 100 120 80 60 40 20 0 420 440 460 480 500 520 0 300 600 900 1200 1500 h C (D C ), nm d, n m Тn, K hC DC d 12 10 8 6 4 2 0 0 20 40 60 80 100 120 0 5 10 15 20 25 h C /τ (D C /τ ), nm /s d/ τ, n m /s τ, s hC/τ DC/τ d/τ 420 440 460 480 500 520 0 5 10 15 20 25 h C /τ (D C /τ ), nm /s d/ τ, n m /s Tn, K hC/τ DC/τ d/τ 2,0 1,6 1,2 0,8 0,4 0,0 7 5 3 6 4 2 1 0 920 940 960 980 1000 1020 0 20 40 60 80 100 h C /τ (D C /τ ), nm /s d/ τ, n m /s ТВ, K hC/τ DC/τ d/τ МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ, СТРУКТУРА ТА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ... ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4528 так і товщини збільшуються адекватно до ви сот і складають Dc = (37—94) нм (рис. 4, І, б — ) та d = (10—1080) нм (рис. 4, І, б — ) відповідно. Для швидкості росту нор­ мальних hc/τ (рис. 4, ІІ, б — ▪) і латеральних Dc/τ (рис. 4, ІІ, б — ) розмірів наноструктур, а також швидкості осадження d/τ конденсату (рис. 4, ІІ, б — ) спостерігається така ж сама тенденція. При підвищенні температури випарування має місце їх збільшення, що зу­ мовлено зростанням густини потоку пари (рис. 4, б — ІІ). Відносно впливу температури підкладки ТП, за сталих температур випарування (ТВ = 970 К) і часу осадження (τ = 60 с), то тут має місце почергове збільшення та змен шення основних розмірних параметрів на но струк­ тур (рис. 3). Так, якщо при ТП = 420 К максимальна висота наноструктур складає hm = 22 нм, то при ТП = 470 К — вже hm= 209 нм. При подальшому підвищенні тем пе­ ратури підкладки, за сталих ТВ, τ, спочатку зменшуються максимальні висоти ок ремих наноструктур до hm = 47 нм при ТП = 495 К, а згодом вони знову збільшуються до hm = 93 нм при ТП = 520 К. Така сама тен денція проявляється і у гістограмах роз поділу за висотами (рис. 2 — ІІ). По ана логії про яв­ ляється залежність і для серед ніх висот hс (рис. 4, І, в — ▪) та середніх латеральних розмірів Dc (рис. 4, І, в — ). При цьому на деяких зразках проявляються пірамідальні утворення (рис. 3 — І; б, г). Так само по во­ дять себе і швидкості росту нормальних hc/τ (рис. 4, ІІ, в — ▪ ) і латеральних Dc/τ (рис. 4, ІІ, в — ) розмірів наноструктур. Що сто су­ ється товщини d (рис. 4, І, в — ) та швид­ кості осадження d/τ конденсату (рис. 4, ІІ, в — ), то при збільшенні температури ТП відбувається їх поступове збільшення. Від­ зна чений характер зміни розмірів окремих нанокристалітів структури PbTe:Bi/ситал зу­PbTe:Bi/ситал зу­:Bi/ситал зу­Bi/ситал зу­/ситал зу­ мовлений пошаровим їх формуванням. ІІІ. МЕХАНІЗМИ ЗАРОДЖЕННЯ Механізми зародження самоорганізованих наноструктур є досить складними про це­ сами [14]. Можна стверджувати, що вони є наслідком самочинної адсорбції і випа­ ровування часток адсорбату за контакту парової фази з поверхнею твердотілого суб страту. У даному процесі важливою є ста дія утворення двовимірних кластерів, мі грація адатомів (незакріплені атоми) і їх ко алесценція (злиття). При реалізації по шарового механізму Франка­ Ван­дер­ Мер ве утворені двовимірні кластери роз­ ростаються і, зливаючись між собою, ут­ ворюють суцільний моношар. Механізм Фоль мера­Вебера пов’язаний із утворенням одразу тривимірних окремих зародків на­ ноструктур на поверхні субстрату. Про­ міжним, між відзначеними вище двома, є ме ханізм зародження Странскі­Крастанова, який передбачає на початкових етапах осад­ ження утворення так званого змочуючого шару з подальшим ростом тривимірних на ноструктур за рахунок зняття пружніх де формацій [11]. Проаналізувавши АСМ­ зображення (рис. 1—3), приходимо до ви­ сновку, що в нашому випадку має міс це механізм Фольмера­Вебера, а саме від бу­ вається утворенням тривимірних окремих зародків наноструктури на поверхні під­ кладки. Це особливо характерно при малих часах осадження (рис. 1, а). Цим же самим ме ханізмом можна пояснити і тенденцію змін у топологічних характеристиках за ва­ рі ювання температури підкладки (рис. 3). При підвищенні температури підкладки, змі нюється інтенсивність росту плівки, за рахунок процесів ревипарування та різ­ ної швидкості поверхневої дифузії ад сор­ бованих атомів і зміни величини характеру їх взаємодії із конденсатом. IV. ПРОЦЕСИ РОСТУ Отримані результати щодо формування на­ но структур PbTe:Bi можна пояснити з по­ зицій реалізації оствальдівського дозрівання [15]. Так, згідно теорії, закладеної у роботах Оствальда [15], Ліфшица і Сльозова [16], Вагнера (ЛСВ) [17], Венгреновича [18] сто­], Венгреновича [18] сто­Венгреновича [18] сто­ [18] сто­ совно поверхневих дискретних систем і, зо­ крема, острівцевих плівок і напів про від ни­ ко вих гетероструктур з квантовими точками, розрізняють дифузійний процес росту кла­ стерів і процес, контрольований швидкістю утворення хімічних зв’язків на їх поверхні. Ці два процеси можуть конкурувати, тобто Д. М. ФРЕЇК, І. С. БИЛІНА, Л. Й. МЕЖИЛОВСЬКА, Р. В. УМАНЦІВ, В. В. МИХАЙЛЮК ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4 529 реалізовуватися одночасно за умови, якщо електронні процеси утворення хімічних зв’я­ зків є активаційними і енергії активацій обох процесів — електронного і ди фу зій но го — порівняні між собою. При цьому за галь­ ний потік j адатомів буде дорівнювати сумі дифузійного j0 і ваг не рів ського (елек трон но­ го) jυ потоків . За умови, що , , , (1) х буде визначати частку jυ у загальному потоці ja, а (1–х) — jі у загальному потоці j відповідно. Згідно [18], відношення критичного ра ді­ усу rk, який у рамках теорії ЛСВ співпадає з середнім радіусом кластера r rk = , до мак­ симального розміру rg пов’язане із часткою вагнерівського потоку х у загальному потоці співвідношенням . (2) При х = 1 ріст кластерів повністю кон тро­ люється коефіцієнтом об’ємної дифузії , (3) а при х = 0, процес повністю контролюється кінетикою переходу через межу розділу кла­ стер­матриця і . (4) Визначивши максимальні hm(Dm) та се ред­ ні hc(Dc) нормальні (латеральні) розміри на­ ноструктур PbTe:Bi та їхнє відношення (рис. 5) можна зробити висновок, що в на шо­ му випадку має місце реалізація двох про це­ сів — вагнерівського і дифузійного. При цьо­ му, якщо латеральний ріст на но структур ре алізується із домінуванням ди фу зійних кі­ не тичних процесів (Dm/Dc ≈ 1,5, рис. 5 — ▪), то у нормальному — за рахунок вагнерівських електронних (hm/hc ≥ 2 (рис. 5 — ) за всіх умов осадження ТВ, ТП, τ (рис. 5 – а, б, в). У останньому випадку формування нано кри­ ста лів ре а лізується за рахунок «терас росту», при якому роль хімічних зв’язків є до мі ну­ ючою. V. ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ Відзначимо спершу те, що тонкоплівковий конденсат PbTe:Bi/ситал за всіх тех но ло­ гіч них факторів вирощування (ТВ, ТП, τ) x j j = υ 1− =x j j i j j x xi υ = −1 r r x x g k = + + 2 1 r r g k = 3 2 r r g k = 2 Dm/Dc(hm/hc) 3,5 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 50 100 150 τ, s Dm/Dc(hm/hc) 3,5 3 2,5 2 2 1,5 1 1 0,5 0 900 920 940 960 980 1000 1020 1040 ТВ, K Dm/Dc(hm/hc) 3,5 3 2,5 2 2 1,5 1 1 0,5 0 400 450 500 550 TП, K а б в Рис. 5. Залежність відношення максимальних до се­ редніх латеральних Dm/Dc (▪) та нормальних hm/hc ( ) розмірів нанокристалітів у парофазних конденса­ тах PbTe:Bi на підкладках ситалу від часу осадження τ (а) (ТВ = 970 К, ТП = 470 К), температури випаруван­ ня ТВ (б) (τ = 15 с, ТП = 470 К) та температури підкладки ТП (в) (ТВ = 970 К, τ = 60 с) j j j= +( )0 υ МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ, СТРУКТУРА ТА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ... ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4530 характеризується n­типом провідності із знач ною концентрацією електронів, яка ся­ гає n = (4—7)·1019см–3 (табл. 2; рис. 6, б; 7, б; 8, б — криві ▪). Маючи на увазі, що атоми бісмуту у плюм­ бум телуриді проявляють амфотерні вла­ стивості, які зумовлені тим, що заміщуючи плюмбум у катіонній під градці (B3+ → Bi+ Pb) вони є донорами, а в аніонній (B3­ → Bi­ Te) — акцеп торами, можна стверджувати про те, що домінує перший механізм легуван ня. Останнє, у певній мірі, зумовлює достатньо високе, як для плівок, значення питомої електропровідності (табл. 2; рис. 6, а; 7, а; 8, а — криві ▪ ). Слід зауважити, що зміна технологічних факторів процесу осадження конденсату по різному впливає на питому електропровідність. Так, зокрема, якщо під­ вищення температури випарування в межах ТВ = (920—1020) К за сталих температури підкладки ТП і часу осадження τ зумовлює її спадання від 820 Ом–1см–1 до 330 Ом–1см–1 (рис. 7, а — крива ▪), то при рості температу­ ри підкладки ТП = (420—520) К, за сталих ТВ і τ вона зростає σ = (80—650) Ом–1см–1 (рис. 8, а — крива ▪). Збільшення часу осадження Таблиця 2 Основні термоелектричні параметри парофазних конденсатів PbTe:Bi, осаджених на підкладках із ситалу № АСМ ТП, К ТВ, К τ, с d, нм σ,* (Ом–1 см–1) n*, 1019 см–3 µ,* см2/В*с S,* мкВ/К S2σ,* мкВт/К2см 1 920 470 15 108 898 8,3 67,4 –225 45,8 2 920 470 30 220 584 6,5 56,0 –168 16,6 3 920 470 120 810 440 3,2 86,0 –280 34,7 4 970 420 15 108 6,58 0,2 23,0 –131 0,11 5 970 420 60 540 74,4 2,3 19,9 –140 1,45 6 970 420 120 1160 166 3,0 34,8 –117 2,30 7 970 445 5 65 82 1,9 35,0 –132 1,89 8 970 445 15 130 56,4 2,6 36,0 –156 2,65 9 970 445 60 710 120 3,8 42,0 –124 2,92 10 970 470 3 54 20,5 1,0 12,2 –330 2,24 11 970 470 5 108 110 1,5 44,9 –295 9,61 12 970 470 7 135 387 3,1 76,6 –278 30,0 13 970 470 15 162 259 4,0 40,1 –233 14,1 14 970 470 60 891 383 4,6 51,2 –118 5,43 15 970 470 120 1890 303 2,5 74,9 –116 4,13 16 970 495 5 140 113 2,1 74,0 –102 3,82 17 970 495 15 190 422 4,0 81,0 –145 5,62 18 970 495 60 1140 390 5,4 69,0 –93,0 4,70 19 970 520 15 216 690 3,9 109 –123 10,4 20 970 520 60 1404 648 5,5 72,9 –85,4 4,73 21 970 520 120 1755 974 5,6 107 –173 29,2 22 1020 470 10 945 560 3,3 104 –253 35,8 23 1020 470 15 1080 416 24 107 –191 15,1 24 1020 470 30 1350 360 1,9 113 –229 19,0 σ* — питома електропровідність; n* і µ* — концентрація і рухливість носіїв відповідно; S* — коефіцієнт термо­ЕРС; S2σ* — термоелектрична потужність Д. М. ФРЕЇК, І. С. БИЛІНА, Л. Й. МЕЖИЛОВСЬКА, Р. В. УМАНЦІВ, В. В. МИХАЙЛЮК ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4 531 τ = (3—250) с зумовлює дещо складніший характер зміни σ, хоча слід від значити її зростання із тенденцією до на сичення (рис. 6, а — крива ▪). Звертає на себе увагу той факт, що по ве­ дін ка питомої електропровідності від ТВ, ТП і τ повністю адекватна до зміни холлівської концентрації носіїв n (рис. 6, б; 7, б; 8, б — криві ▪), які експериментально визначають­ ся незалежно. Холлівські рухливості носіїв струму µ за значеннями зростають як при підвищенні ТВ, ТП (рис. 7, б; 8, б — криві ), так і збільшенні часу осадження τ (рис. 6, б — крива ). Коефіцієнт термо­ЕРС кон денсатів PbTe:Bi /ситал в залежності від тех но­ логіч них факторів процесу вирощування 400 300 200 100 0 0 50 100 150 200 250 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 R h, cm 3 /K I σ, O m –1 cm –1 τ, s σ Rh а а б б в Рис. 6. Залежність питомої електропровідності σ (▪), та коефіцієнта Холла Rh ( ) (а), концентрації n (▪) та рухливості μ ( ) (б), термоелектричної потужності S2σ (▪) та коефіцієнта Заєбека S ( ) (в) парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал від часу осадження (ТВ = 970 К, ТП = 470 К) в Рис. 7. Залежність питомої електропровідності σ (▪), та коефіцієнта Холла Rh ( ) (а), концентрації n (▪) та рухливості μ ( ) (б), термоелектричної потужності S2σ (▪) та коефіцієнта Заєбека S ( ) (в) парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал від температури випару­ вання (τ = 60 с, ТП = 470 К) 5,0 4,5 4,0 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,5 0 50 τ, s 100 150 200 250 0 20 40 60 80 100 120 n× 10 19 , c m –3 µ, c m 2 /B * s n µ 35 S 2 σ , m kB t/K 2 cm 30 25 20 15 10 5 0 0 50 τ, s 100 150 200 250 –350 –300 –250 –200 –150 –100 S , m kB /K S2σ S 900 800 700 600 500 400 300 920 940 960 980 1000 1020 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 TB, К σ, О m –1 cm –1 R h, cm 3 /К I σ Rh 7 6 5 4 3 920 940 960 980 1000 1020 50 60 70 80 90 100 110 120 2 n× 10 19 , c m –3 µ, c m 2 /В * s n µ ТВ, К 5 10 15 20 25 920 940 960 980 1000 1020 –240 –220 –200 –180 –160 –140 –120 0 S 2 σ , m kB t/К 2 c m S , m kВ /К ТВ, К s2σ S МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ, СТРУКТУРА ТА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ... ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4532 змінюється в інтервалі від S = –140 мкВ/К до S = –330 мкВ/К (рис. 6, в; 7, в; 8, в — кри­ ві ). Найбільші значення коефіцієнт термо­ ЕРС має при ТВ = 970 К, ТП = 470 К та часів осадження τ ≈ (3—5) с (рис. 6, в — крива ; табл. 2). Ефективність матеріалу до термоелектри­ ч ного перетворення теплової енергії у зна ч ­ ній мірі визначається питомою тер мо елек­ тричною потужністю S2σ. У нашому ви падку, для плівок PbTe:Bi/ситал величина S2σ складним чином залежить від умов фор му­ вання конденсату (рис. 6, в; 7, в; 8, в — кри ві ▪). Найбільші значення S2σ ≈ 45,8 мкВт/К2см мають плівки, вирощені за умов ТВ = 920 К, ТП = 470 К і τ = 15 с (рис. 7, в — крива ▪) що відповідає товщині d = 108 нм (табл. 2). Встановлені особливості зміни термо­ елек тричних параметрів парофазних струк­ тур зумовлені як особливостями процесів ви паровування наважки і конденсацією па­ ри, так і структурною завершеністю плі вок. Так, зокрема, спостережувана тен ден ція до змен шення концентрації носіїв на піз ніх ета­ пах осадження (рис. 6, б — крива ▪) чи із під вищенням ТВ (рис. 7, б — крива ▪) зу мов­ ле ні збідненням наважки на металічну ком­ по ненту Pb(Bi). Зростання ж концентрації елек тронів із підвищенням ТП (рис. 8, б — кри ва ▪) — десорбцією з поверхні конденса­ ту халькогену Те. Збільшення ж величини рух ливості носіїв µ за умови зростання всіх тех нологічних факторів ТВ, ТП, τ (рис. 6, б; 7, б; 8, б — криві ) зумовлені покращен­ ням структурної завершеності конденсатів (рис. 1—4). ВИСНОВКИ 1. Проведено комплексне дослідження про цесів зародження, механізмів рос­ ту, структури і термоелектричних вла­ сти востей парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал, вирощених за різних тех­ нологічних факторів (ТВ, ТП, d(τ)). 2. Показано, що домінуючим процесом за родження є Фольмера­Вебера із фор­ муванням окремих зародків на суб­ стра ті, а ріст окремих наноструктур зу­ мовлений вагнерівським механізмом (ут ворення хімічних зв’язків) у нор­ маль ному напрямку до поверхні осад­ ження і кінетичним (дифузійним) — у ла теральному напрямку відповідно. 3. Встановлено характер зміни розмірів ок ремих нанокристалітів у стру к ту­ рах PbTe:Bi/ситал від температури 700 600 500 400 300 200 100 0 420 440 460 480 500 520 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 TП, K σ, О m –1 cm –1 R h, cm 3 /K I σ Rh а б в Рис. 8. Залежність питомої електропровідності σ (▪), та коефіцієнта Холла Rh ( ) (а), концентрації n (▪) та рухливості μ ( ) (б), термоелектричної потужності S2σ (▪) та коефіцієнта Заєбека S ( ) (в) парофазних конденсатів PbTe:Bi/ситал від температури осаджен­ ня (ТВ = 970 К, τ = 60 с) 6 5 4 3 2 1 0 420 440 460 480 500 520 40 60 20 80 TП, K n× 10 19 , c m –3 µ, c m 2 /В * s n µ 6 5 4 3 2 1 420 440 460 480 500 520 –160 –150 –140 –130 –120 –110 –100 –90 –80 TП, K S 2 σ , m kB t/К 3 c m S , m kB /K S2σ S Д. М. ФРЕЇК, І. С. БИЛІНА, Л. Й. МЕЖИЛОВСЬКА, Р. В. УМАНЦІВ, В. В. МИХАЙЛЮК ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4 533 випарову вання наважки ТВ, температу­ ри осадження ТП, та часу осадження τ, які мають тенденцію до збільшення при під вищенні ТВ і ТП і складний ха рак­ тер, пов’язаний із пошаровим рос том конденсату із збільшенням часу осад­ жен ня τ і товщини d відповідно. 4. Показано, що зміна питомої елек тро про­ відності σ від технологічних факторів ТВ, ТП і τ відзначається залежністю кон­ центрації носіїв n, а не їх рухливістю µ, що зу мовлено особливостями процесів як випарування наважки, так і конденса­ ції пари на субстраті. 5. Визначено умови формування структур PbTe:Bi/ситал із оптимальними термо­:Bi/ситал із оптимальними термо­Bi/ситал із оптимальними термо­/ситал із оптимальними термо­ електричними параметрами. Показано, що максимальне значення питомої елек­ тричної потужності S2σ ≈ 46 мкВт/К2см має конденсат товщиною d = 108 нм. Робота виконана згідно наукових про­ ектів відділу публічної дипломатії НАТО програми «Наука заради миру» (NUKR, SEPP 984536), та МОН України (Держав­ ний реєстраційний номер 0113U000185). ЛІТЕРАТУРА 1. Шперун В. М., Фреїк Д. М., Запухляк Р. І. Термоелектрика телуриду свинцю та його аналогів. — Івано­Франківськ: «Плай», 2000. — 202 с. 2. Agrawal G. P., Dutta N. K. Semiconductor La­ sers. — New York: Van Nostrand Reinhold, 1993. — 547 p. 3. Nimtz G., Schlicht B. Narrow­gap lead salts. In: Narrow­gap semiconductors // Springer Tracts in Modern Physics. — 1983. — Vol. 98. — P. 1—117. 4. Абрикосов Н. Х., Шелимова Л. Е. Полупро­ водниковые материалы на основе соедине­ ний А4В6. — М.: «Наука», 1975. — 195 с. 5. Анатычук Л. И. Термоэлементы и термо­ электрические устройства. Справочник. — К: Наукова думка, 1979. — 676 с. 6. Chatterjee S., Pal U. Low­cost solar selective absorbers from Indian galena // J. Opt. Eng. — 1993. — Vol. 32, No. 7. — P. 2923—1929. 7. Chaudhuri T. K. A solar thermophotovoltaic converter using Pbs photovoltaic cells // Int. J. Energy Res. — 1992. — Vol. 16, No. 6. — P. 481—487. 8. Dughaish J. H. Lead telluride as a thermoelectric material for thermoelectric power generation // Physica B. — 2002. — No. 322. — P. 205— 212. 9. Wood C. Materials for thermoelectric energy conversion // Rep. Prog. Phys. — 1988. — Vol. 51, No. 4. —P. 459—468. 10. Водопьянов В. Н., Бахтинов А. П., Слынь­ ко Е. И., Лашкарев Г. В., Радченко В. М., Лит вин П. М., Литвин О. С. Самоорганиза­ ция трехмерних нанообразований теллури­ да свинца в условиях, близких к термодина­ мическому равновесию // Письма в ЖТФ. — 2005. — Т. 31, № 16. — С. 88—94. 11. Зимин. С. П., Горлачев Е. С. Нанострукту­ рированые халькогениды свинца: моногра­ фия. — Ярославль: ЯрГУ, 2011. — 232 с. 12. Фреїк Д. М., Салій Я. П., Ліщинський І. М., Бачук В. В., Стефанів Н. Я. Еволюція про цесів росту парофазних нанострук­ тур телуриду свинцю // Журнал Нано­ та Елек тронної Фізики. — 2012. — Т. 4, № 2. — С. 02012­1—02012­5. 13. Салій Я. П., Бачук В. В., Фреїк Д. М., Лі­ щинський І. М. Моделі топології поверхні і кінетика процесу росту нанокристалічних структур PbTe на сколах слюди­мусковіт // ФХТТ. — 2012. — Т. 13, № 2. — С. 379— 383. 14. Волков С. В., Ковальчук Є. П., Огенко В. М., Решетняк О. В. Нанохімія, наносистеми, наноматеріали. — Київ: Наукова думка, 2008. — 423 с. 15. Ostwald W. «Uber die Vermeintliche isometric das raten undgelben Quecksilberxyds und die ober flachenspannung fester Korper» // Js. Phy sics Chemistry. — 1900. — Vol. 34. — P. 495—503. 16. Лифшиц И. М., Слёзов В. В. О кинетике ди­ фузного распада пересыщеных твердых рас­ творов // ЖЭТФ. — 1958. — Т. 35, № 2. — C. 479—492. 17. Wagner C. Theorie der Alterung von Nider­ schlagen durch Umlösen (Ostwald Reifung) // Zs. Electrochem. — 1961. — B. 65, M. 7/8. — P. 581—591. 18. Венгренович Р. Д., Іванський Б. В., Моска­ люк А. В. До теорії Ліфшица­Сльозова­ Ваг нера // ФХТТ. — 2009. — Т. 10, № 1. — С. 19—30. LІTERATURA 1. Shperun V. M., Freїk D. M., Zapuhlyak R. І. Termoelektrika teluridu svincyu ta jogo ana­ logіv. — Іvano­Frankіvsk: «Plaj», 2000. — 202 p. МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ, СТРУКТУРА ТА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ... ФІП ФИП PSE, 2014, т. 12, № 4, vol. 12, No. 4534 2. Agrawal G. P., Dutta N. K. Semiconductor La­ sers. — New York: Van Nostrand Reinhold, 1993. — 547 p. 3. Nimtz G., Schlicht B. Narrow­gap lead salts. In: Narrow­gap semiconductors // Springer Tracts in Modern Physics. — 1983. — Vol. 98. — P. 1—117. 4. Abrikosov N. H., Shelimova L. E. Polupro vod­ nikovye materialy na osnove soedinenij A4V6. — M.: «Nauka», 1975. — 195 p. 5. Anatychuk L. I. Termoelementy i termo elek­ tricheskie ustrojstva. Spravochnik. — K: Nau­ kova dumka, 1979. — 676 p. 6. Chatterjee S., Pal U. Low­cost solar selective absorbers from Indian galena // J. Opt. Eng. — 1993. — Vol. 32, No. 7. — P. 2923—1929. 7. Chaudhuri T. K. A solar thermophotovoltaic con verter using Pbs photovoltaic cells // Int. J. Energy Res. — 1992. — Vol. 16, No. 6. — P. 481—487. 8. Dughaish J. H. Lead telluride as a thermoelec­ tric material for thermoelectric power gene­ ration // Physica B. — 2002. — No. 322. — P. 205—212. 9. Wood C. Materials for thermoelectric energy conversion // Rep. Prog. Phys. — 1988. — Vol. 51, No. 4. —P. 459—468. 10. Vodopyanov V. N., Bahtinov A. P., Slynko E. I., Lashkarev G. V., Radchenko V. M., Lit vin P. M., Litvin O. S. Samoorganizaciya treh mer nih na­ noobrazovanij tellurida svinca v usloviyah, bliz kih k termodinamicheskomu rav novesiyu // Pisma v ZhTF. — 2005. — Vol. 31, No. 16. — P. 88—94. 11. Zimin. S. P., Gorlachev E. S. Nano struk turi­ ro vanye halkogenidy svinca: monografiya. — Yaroslavl: YarGU, 2011. — 232 p. 12. Freїk D. M., Salіj Ya. P., Lіschinskij І. M., Bac­ huk V. V., Stefanіv N. Ya. Evolyucіya procesіv rostu parofaznih nanostruktur teluridu svincyu // Zhurnal Nano­ ta Elektronnoї Fіziki. — 2012. — Vol. 4, No. 2. — P. 02012—1—02012—5. 13. Salіj Ya. P., Bachuk V. V., Freїk D. M., Lіs­ chinskij І. M. Modelі topologії poverhnі і kі­ netika procesu rostu nanokristalіchnih struktur PbTe na skolah slyudi­muskovіt // FHTT. — 2012. — Vol. 13, No 2. — P. 379—383. 14. Volkov S. V., Kovalchuk Є. P., Ogenko V. M., Reshetnyak O. V. Nanohіmіya, nanosistemi, nanomaterіali. — Kiїv: Naukova dumka, 2008. — 423 p. 15. Ostwald W. «Uber die Vermeintliche isometric das raten undgelben Quecksilberxyds und die oberflachenspannung fester Korper» // Js. Physics Chemistry. — 1900. — Vol. 34. — P. 495—503. 16. Lifshic I. M., Slezov V. V. O kinetike difuznogo raspada peresyschenyh tverdyh rastvorov // ZhETF. — 1958. — Vol. 35, No. 2. — P. 479— 492. 17. Wagner C. Theorie der Alterung von Nider­ schlagen durch Umlösen (Ostwald Reifung). // Zs. Electrochem. — 1961. — B. 65, M. 7/8. — P. 581—591. 18. Vengrenovich R. D., Іvanskij B. V., Moska­ lyuk A. V. Do teorії Lіfshica­Slozova­Vagnera // FHTT. — 2009. — Vol. 10, No. 1. — P. 19— 30.

Схожі ресурси