Исследование структуры и химического состава тонких поликристаллических пленок сульфида кадмия при γ-облучении - Голованова, В.В.; Буковский, В.Е.; Назарчук, Б.В.; Голованов, В.В. (Физическая инженерия поверхности, 2015)
Морфология, фазовый состав и структура поверхности пленок сульфида кадмия, полученных электрогидродинамическим (ЭГД) распылением жидкости в атмосфере кислорода, были исследованы методами сканирующей электронной микроскопии (SEM), атомно-силовой микроскопии (AFM), энергодисперсионного анализа (EDS) и рентгеноструктурного анализа (XRD). Исследовано влияние γ-фотонов на кристаллическую структуру пленок CdS. Показано, что радиационно-стимулированная диффузия способствует росту кристаллитов сульфида кадмия со структурой вюрцита. Полученные результаты свидетельствуют о том, что в случае осаждения пленок CdS методом ЭГД-пульверизации, несложными техническими методами, изменяя время напыления, температуру подложки, а также соотношение ионов серы и кадмия в исходном растворе, можно получать полупроводниковые слои с контролируемой структурой и стехиометрическим составом.