Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
Создана структура n⁺CdS-nCdS-nSi, чувствительная к малым световым сигналам. Такая структура при освещении лазерным лучом с λ = 0,625 μm и мощностью P = 10 μW/cm² при комнатной температуре имеет спектральную чувствительность S ≈ 4700 A/W при напряжении смещения V = 40V в прямой ветви ВАХ. А при облуч...
Saved in:
Date: | 2015 |
---|---|
Main Authors: | Сапаев, И.Б., Мирсагатов, Ш.А., Сапаев, Б., Кабулов, Р.Р. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
Series: | Физическая инженерия поверхности |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108709 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов, Б. Сапаев, Р.Р. Кабулов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 129-135. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2003) -
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
by: Сапаев, И.Б., et al.
Published: (2014) -
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2010) -
О возможности усиления фототока плазмы газового разряда в преобразователях изображений ионизационного типа
by: Касымов, Ш.С., et al.
Published: (2010) -
Механизм усиления полимерных нанокомпозитов, наполненных углеродными нанотрубками
by: Козлов, Г.В., et al.
Published: (2008)