Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний
Теоретически рассчитаны импеданс и коэффициент тензочувствительности поликристаллических полупроводников с учетом вклада модуляции поперечных приповерхностных областей поверхностного заряда кристаллических зерен под действием механической деформации и влияния поперечных поверхностных состояний, учас...
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Schriftenreihe: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108759 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний / Х.М. Сулаймонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 318-324. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |