Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу - Бабійчук, І.В.; Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Луканюк, М.В.; Минько, В.І.; Шепелявий, П.Є. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)
Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур.