Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons
Amorphous and microcrystalline silicon are well known materials for thin film large area electronics. The defects in the material are an important issue for the device quality and the manufacturing process optimization. We study defects in thin film silicon with electron spin resonance (ESR). In ord...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2007
|
| Schriftenreihe: | Вопросы атомной науки и техники |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110646 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons/ O. Astakhov, F. Finger, R. Carius, A. Lambertz, I. Neklyudov, Yu. Petrusenko, V.Borysenko, D. Barankov // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |