Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий - Хороших, В.М.; Леонов, С.А.; Белоус, В.А. (Вопросы атомной науки и техники, 2008)
Исследовано влияние геометрии подложки на особенности процесса конденсации потоков Ti-плазмы вакуумной дуги в присутствии N₂ или Ar в разрядном промежутке. Характер влияния давления и потенциала подложки на скорость осаждения покрытий обусловлен конкурирующими процессами осаждения и распыления, а также наличием двойного электрического слоя на границе плазма-подложка. Влияние потенциала на скорость конденсации особенно сильно проявляется для цилиндрических подложек малого размера. Для таких подложек обнаружен существенный (примерно в 4 раза) рост скорости конденсации при увеличении отрицательного потенциала подложки в диапазоне ~100…700 В и давления азота ~0,3…2,5 Па. Показана возможность получения бескапельных покрытий, конденсируемых на обратных сторонах подложек и в области разряда, находящейся вне зоны прямой видимости катода.