Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления - Евсюков, А.Н.; Завьялов, Ю.Г.; Стеценко, Б.В.; Щуренко, А.И. (Вопросы атомной науки и техники, 2008)
Вычислены режимы напыления бинарных соединений магнетроном и переходы его равновесной зависимости из области неустойчивости к абсолютной устойчивости. Область перехода зависит от скорости откачки камеры магнетрона, соотношения площадей анода и катода [1,2], а также от величины диффузионного перемешивания металлической и бинарной компонент на поверхности напыляемой пленки [3]. Вычислены зависимости от времени концентрации реактивного газа в камере при переключениях скорости его напуска в пределах областей абсолютной устойчивости и при переходах одной области устойчивости к другой. Результаты могут быть использованы при создании системы автоматического управления процессом магнетронного напыления плёнок.