Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами

После облучения кристаллов LiF электронами с энергиями 35 и 100 МэВ в интервале доз 10⁹...10¹⁴ эл/см² обнаружена немонотонная зависимость подвижности дислокаций от дозы, связанная, по-видимому, как с концентрацией и мощностью радиационных дефектов, так и с особенностями процессов двойного поперечног...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2003
Hauptverfasser: Малик, А.К., Неклюдов, И.М.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
Schriftenreihe:Вопросы атомной науки и техники
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110889
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами / А.К. Малик, И.М. Неклюдов // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 3. — С. 44-46. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:После облучения кристаллов LiF электронами с энергиями 35 и 100 МэВ в интервале доз 10⁹...10¹⁴ эл/см² обнаружена немонотонная зависимость подвижности дислокаций от дозы, связанная, по-видимому, как с концентрацией и мощностью радиационных дефектов, так и с особенностями процессов двойного поперечного скольжения.