Радиационные повреждения пленок С₆₀ при дозовых нагружениях, создаваемых электронным облучением - Дмитренко, О.П.; Кулиш, Н.П.; Прилуцкий, Ю.И.; Павленко, Е.Л.; Грабовский, Ю.Е.; Стащук, В.С.; Белый, Н.М.; Родионова, Т.В.; Попенко, В.И. (Вопросы атомной науки и техники, 2008)
Изучено влияние высокоэнергетического электронного облучения (Е=1,8 МэВ) при дозовых нагружениях от 1,0 до 20,0 МГр на кристаллическую структуру, электронные и колебательные спектры пленок фуллеритов C₆₀. Рентгеновская дифракционная картина, спектры рамановского рассеяния и оптической проводимости показывают, что радиационные повреждения во всем используемом интервале доз поглощения приводят к незначительной деградации молекул C₆₀. В основном радиационное дефектообразование способствует сшивкам соединенных молекул, что приводит к слабой димеризации и полимеризации кристаллической структуры фуллеритов.