Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода - Долголенко, А.П.; Гайдар, Г.П.; Варенцов, М.Д.; Литовченко, П.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2008)
Исследована радиационная стойкость образцов n-Si, выращенных методом Чохральского (Сz), с примесью германия (NGe=2•10²⁰ cм⁻³) и без нее после облучения быстрыми нейтронами. Обнаружено, что введение германия повышает радиационную стойкость n-Si. Показано, что отжиг кластеров дефектов связан с аннигиляцией вакансионного типа дефектов в кластерах с межузельными дефектами. Определены энергия миграции и частотный фактор димежузлия (Е₁=0,74 эВ; n₁=3,5•10⁶ с⁻¹), межузельного атома (Е₂=0,91 эВ; n₂=7•10⁶ с⁻¹), а также вакансии кремния (Еv=0,8 эВ; v=1•10⁷ с⁻¹). Наблюдался g-радиационный отжиг нейтронно-облученных образцов Cz-Si n-типа.