Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора - Долголенко, А.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2011)
Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движений электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчитаны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточнённой модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n-Si (ρ₀ ═ 40 Ом·см) после облучения быстрыми нейтронами реактора. Подтверждено, что рассеяние носителей на заряженных дефектах и кластерах при учёте дрейфовых барьеров определяют температурную зависимость подвижности электронов в n-Si с введёнными кластерами дефектов.