Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования - Чирадзе, Г.Д.; Герасимов, А.Б.; Буачидзе, Д.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2011)
Исследован фотомеханический эффект на (100) поверхности монокристаллического, бездислокационного Si в случаях начала и прекращения воздействия белым светом на разных стадиях процесса микроиндентирования. Показано, что при воздействии освещением в конце процесса индентирования, исходно осуществленного в темноте, величина относительного уменьшения микротвердости в три раза меньше по сравнению со случаем, когда индентирование осуществляется на предварительно освещенной поверхности. На основе данных, полученных в результате исследования временной релаксации размеров отпечатков, показано, что значения световых микротвердостей экспоненциально зависят от времени, в течение которого после прекращения освещения образец находится под нагрузкой. Приведены соответствующие объяснения полученных экспериментальных результатов.