Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se

На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плос...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Григоров, С.Н., Таран, А.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2011
Schriftenreihe:	Вопросы атомной науки и техники
Schlagworte:	Физика и технология конструкционных материалов
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111694
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se / С.Н. Григоров, А.В. Таран // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 141-144. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-111694
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1116942017-01-14T03:02:50Z Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se Григоров, С.Н. Таран, А.В. Физика и технология конструкционных материалов На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плоскостям (112) и двумерные дефекты по – (100). Двумерные дефекты образуются в результате сдвига в плоскости (001) на вектор типа R=½[110]. Это приводит к образованию антифазных границ по плоскостям (100) и (010) и дефектов упаковки по (001). На поверхні (001) кристалів KCl з підшаром PbS при температурі підкладки 400 ºС вирощені епітаксійні плівки β-CIS. У плівках виявлені зони існування β-CIS, й β- + γ-CIS, що відповідають псевдобінарної діаграмі стану Cu₂Se–In₂Se₃. У кристаликах β-CIS встановлені мікродвійники по площинах (112) й двовимірні дефекти по (100). Двовимірні дефекти утворюються в результаті зрушення в площині (001) на вектор типу R=1/2[110]. Це приводить до утворення антифазних границь по площинах (100) й (010) та дефектів упакування по площинах (001). β-CIS epitaxial films were grown on (001) KCl surface with PbS sublayer at 400 ºС. There were revealed the β-CIS and β- + γ-CIS zones, corresponding to Cu₂Se–In₂Se₃ pseudo-binary phase diagram. β-CIS crystallites revealed microtwins on (112) planes and two-dimensional defects on (100). The nature of such two-dimensional defects can be explained as a shift in the (001) β-CIS plane by a vector R = 1/2[110]. As a result, an antiphase boundary appears along the (100) and (010) planes and stacking faults along (001) planes. 2011 Article Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se / С.Н. Григоров, А.В. Таран // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 141-144. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111694 539.219.3 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Физика и технология конструкционных материалов Физика и технология конструкционных материалов
spellingShingle	Физика и технология конструкционных материалов Физика и технология конструкционных материалов Григоров, С.Н. Таран, А.В. Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se Вопросы атомной науки и техники
description	На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плоскостям (112) и двумерные дефекты по – (100). Двумерные дефекты образуются в результате сдвига в плоскости (001) на вектор типа R=½[110]. Это приводит к образованию антифазных границ по плоскостям (100) и (010) и дефектов упаковки по (001).
format	Article
author	Григоров, С.Н. Таран, А.В.
author_facet	Григоров, С.Н. Таран, А.В.
author_sort	Григоров, С.Н.
title	Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se
title_short	Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se
title_full	Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se
title_fullStr	Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se
title_full_unstemmed	Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se
title_sort	эпитаксиальный рост плёнок тройной системы сu–in–se
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate	2011
topic_facet	Физика и технология конструкционных материалов
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111694
citation_txt	Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se / С.Н. Григоров, А.В. Таран // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 141-144. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series	Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv	AT grigorovsn épitaksialʹnyjrostplënoktrojnojsistemysuinse AT taranav épitaksialʹnyjrostplënoktrojnojsistemysuinse
first_indexed	2025-07-08T02:33:03Z
last_indexed	2025-07-08T02:33:03Z
_version_	1837044318215340032
fulltext	УДК 539.219.3 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ ПЛЁНОК ТРОЙНОЙ СИСТЕМЫ Cu–In–Se С.Н. Григоров, А.В. Таран Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», Харьков, Украина E-mail: ataran@kpi.kharkov.ua На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 оС выращены эпи- таксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствую- щих псевдобинарной диаграмме состояния Cu2Se–In2Se3. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плоскостям (112) и двумерные дефекты по – (100). Двумерные дефекты образуются в результате сдвига в плоскости (001) на вектор типа R=½[110]. Это приводит к образованию антифазных границ по плоскостям (100) и (010) и дефектов упаковки по (001). ВВЕДЕНИЕ Тройные полупроводниковые соединения на базе CuInSe2 (α-CIS) представляют большой интерес для производства солнечных элементов, а также других оптоэлектронных устройств [1,2]. Их применение в данных областях предъявляет особые требования к качеству структуры получаемых тройных соедине- ний. Обычно синтез крупнокристаллических полу- проводниковых пленок CuInSe2 осуществляют при достаточно высокой температуре подложки (600...650 оС). В последние годы в связи с созданием солнечных элементов на гибких полиамидных под- ложках возникла необходимость в разработке мето- дов изготовления пленок α-CIS с совершенной структурой при сравнительно низких температурах подложки (< 450 оС). Известно, что существуют только две равновес- ные кристаллические модификации CuInSe2: фаза халькопирита (α-CIS), существующая при низкой температуре, и высокотемпературная фаза сфалери- та (δ-CIS) [3]. При отклонении состава соединения CuInSe2 от стехиометрического в направлении уве- личения концентрации индия образуется фаза, име- нуемая β-CIS. Она имеет широкую область раство- римости и характеризуется такой же халькопирит- ной структурой (практически с такими же парамет- рами решетки), что и α-CIS. Ее отличительной осо- бенностью является наличие упорядоченных вакан- сий в подрешетке меди. До сих пор нет единого мнения о существовании стабильных фаз и их кри- сталлической структуре в интервале концентраций, соответствующем β-фазе. Высказываются предпо- ложения о наличии либо отдельных нестехиометри- ческих фаз с широкой областью растворимости, ли- бо об образовании пакетов из упорядоченных фаз с относительно узким интервалом стабильности. К данному интервалу концентраций относят шесть соединений с химическим составом: Cu2In4Se7, Cu8In18Se32, Cu7In9Se32, Cu14In16,7Se32, Cu3In5Se9 и CuIn3Se5. Обычно, именно соединение СuIn3Se5 с кристаллической структурой, принадлежащей груп- пе симметрии I4 или I42m, соотносят с β-CIS. Это соединение было впервые обнаружено методом рентгеновской дифракции в [4]. Позднее в [5] для фазы СuIn3Se5 было предложено название P- халькопирит, которое исходило из названия группы симметрии – P42c. Методом просвечивающей элек- тронной микроскопии была установлена фаза СuIn3Se5 с пространственной группой I4, которая получила название OVC (ordered vacancy compound) – фаза с упорядоченными вакансиями [6]. В [7] фаза СuIn3Se5 была получена путём внедрения упорядо- ченных точечных дефектов в структуру халькопи- рита CuInSe2 и была названа «дефектный халькопи- рит». В процессе роста плёнки возможно возникнове- ние различных типов нестехиометрических упоря- доченных структур. Например, в плёнках CuInSe2 с избытком индия, выращенных на поверхности (001) GaAs, обнаружено сопряжение доменов фазы α-CIS с доменами метастабильной фазы со структурой типа CuAu [8]. Из вышеизложенного очевидно, что такие различные данные требуют дальнейших ис- следований механизма фазообразвания в системе Сu–In–Se. Целью настоящей работы явилось приготовление пленок различного состава тройной системы Сu-In- Se при температуре подложки 400 оС, исследование возможности эпитаксиального роста этих пленок и изучение их фазового состава и структуры. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА В настоящей работе пленки Сu–In–Se препари- ровались в стандартной вакуумной установке ВУП-5 при разрежении 5·10-3 Па. Трёхкомпонент- ные плёнки Сu–In–Se переменного состава изготов- лялись путем совместного осаждения из двух ис- точников селенида индия и меди на сколы (001) кристаллов KCl, нагретых до 400 оС. Порошок In2Se3 чистотой 99,999 % испарялся из алундового тигля, медь чистотой 99,999 % испарялась из молибдено- вой лодочки. Кристаллы KCl размещались на пло- ской протяженной подложке на разном расстоянии от источников меди и селенида индия. Это обеспе- чивало вариацию состава пленок вдоль подложки. Для выращивания эпитаксиальных пленок Сu– In–Se при температуре 400 оС на поверхность кри- сталлов KCl предварительно конденсировался тон- кий (толщиной 2...3 нм) монокристаллический слой PbS. Сульфид свинца растет на поверхности КCl в эпитаксиальной ориентации, и пленка PbS формиру- ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2011. №6. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники (19), с. 141-144. 141 ется сплошной уже при очень малой толщине, меньшей 5 нм. При этом несоответствие решёток CuInSe2 и PbS составляет всего 2,8 %. Поэтому можно ожидать, что пленки CuInSe2, выращиваемые на поверхности PbS, будут иметь более совершен- ную структуру, чем те, что растут непосредственно на поверхности КCl. Структура пленок исследова- лась на просвечивающем электронном микроскопе ПЭМ-125К. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ Проведено электронно-микроскопическое иссле- дование образцов разного элементного состава. Ус- тановлено, что практически были выращены пленки только двух типов. На поверхности кристаллов, рас- положенных ближе к испарителю меди, сформиро- валась пленка с тетрагональной решеткой (рис. 1), а на поверхности кристаллов, расположенных ближе к источнику In2Se3, сформировалась двухфазная плен- ка из кристалликов с тетрагональной и гексагональ- ной решетками (рис. 2). Рис. 1. Микроэлектронограмма от пленки Cu-In-Se, выращенной на поверхности кристалла КCl с подслоем PbS при 400 оС, расположенного над источником меди Тетрагональную решетку имеют фазы α-CIS (CuInSe2) и β-CIS (CuIn3Se5), а гексагональную ре- шетку – фаза γ-CIS (CuIn5Se8). Остановимся подробнее на анализе микроди- фракционной картины от пленки Сu–In–Se с тетра- гональной решеткой (см. рис. 1). На ней помимо сильных рефлексов типа (220) и (400), принадлежа- щих структуре халькопирита (α-CIS), наблюдаются рефлексы типа (002) и (110). В идеальной, стехио- метрической структуре халькопирита CuInSe2 отра- жения типа (002) и (110) запрещены структурным фактором. В [9,10] показано, что такие отражения разреше- ны для фазы β-CIS с упорядоченными вакансиями в подрешетке меди. Геометрически правильный мотив в расположе- нии основных рефлексов (200), (220) и (400) β-CIS и PbS указывает на то, что имеет место эпитаксиаль- ный рост β-CIS на поверхности (001) PbS. Кристал- лики β-CIS растут на поверхности (001) PbS в двух эквивалентных эпитаксиальных позициях: (001), [100] β-CIS \|\| (001), [100] и [010] PbS. В этот мотив органично вписываются рефлексы типа (101) β-CIS, еще двух эквивалентных эпитаксиальных ориента- ций: (010), [001] β-CIS \|\| (001), [100] и [010] PbS. Если принимать во внимание только геометриче- ский аспект сопряжения кристаллических решеток β-CIS и PbS, то все указанные ориентации являются эквивалентными, так как период тетрагональной решетки β-CIS вдоль оси с в два раза больше перио- да вдоль оси а. Поэтому отражения (200) и (004), (400) и (008) на микроэлектронограмме (см. рис. 1) совпадают. что указывает на наличие в пленке кристалликов Рис. 2. -Se На ми пленки с больши ики γ-CIS растут на поверхности PbS в ори но- гра Микроэлектронограмма от пленки Cu-I β-CIS β-CIS 220 β-CIS 220 PbS 004 β-CIS 002 101 110 β-CIS n на КCl с подслоем PbS от кристаллов, располо- женных над источником In2Se3 кродифракционной картине от м содержанием индия (см. рис. 2) в дополне- ние к рефлексам от кристалликов β-CIS в эпитакси- альных позициях появляются отражения типа (112) β-CIS, что свидетельствует об ухудшении эпитакси- ального роста, и дифракционные кольца (100) и (110), соответствующие фазе γ-CIS с гексагональной решеткой. Кристалл ентации (001), [001] γ-CIS \|\| (001), [001] PbS. Отличительной особенностью микроэлектро ммы (см. рис. 1) является наличие тяжей. Так, у рефлексов типа (200) наблюдаются тяжи, вытянутые вдоль направления [110] и [ 011 ]. На концах тяжей располагаются слабые рефл , которые не при- надлежат сечению обратной решетки (001). Подоб- ные группы рефлексов, соединенных тяжами, на- блюдаются также вблизи отражений (220) и (400). Объяснить происхождение таких тяжей и рефлексов можно следующим образом. Известно, что типич- ным дефектом тетрагональной кристаллической решетки β-CIS являются двойники по плоскостям (112). Узлы обратной решетки для этих двойников не попадают в сечение (001) обратной решетки мат- рицы. Но они образуют узловые плоскости, парал- лельные плоскости (001), причем, расстояние между этими плоскостями в три раза меньше, чем расстоя- ние между узловыми плоскостями обратной решет- ки матрицы. Поэтому рефлексы от двойников и рефлексы двойной дифракции, которые расположе- ны в плоскостях, соседних с плоскостью (001), про- ходящей через нулевой узел, могут появиться на дифракционной картине совместно с рефлексами от матрицы вследствие небольшого изгиба пленки. Такая ситуация наблюдалась в [11] на дифракцион- ных картинах от монокристаллических пленок золо- ексы 142 та. Появлению рефлексов от двойников в пленке β- CIS способствует также то, что она состоит из мно- жества мелких кристалликов, находящихся в одной эпитаксиальной ориентации. В каждом кристаллике реализуются свои дифракционные условия, а в це- лом возникает дифракционная картина с полным набором рефлексов от двойников и экстра- рефлексов двойной дифракции. Известно, что если кристаллики в двойниковой поз рисут- ству представлен темнопольный снимок в свет ов иции очень тонкие, то на электронограмме они дадут длинные диффузные тяжи, перпендикулярные линии пересечения плоскости двойникования и плоскости (001). Именно такие тяжи и наблюдаются в области рефлексов (200), (220) и (400) на микро- электронограмме (см. рис. 1). Следовательно, ди- фракционная картина от эпитаксиальных кристал- ликов β-CIS ориентации (001) указывает на то, что эти кристаллики содержат большое количество пла- стинок микродвойников по плоскостям (112). Кристаллики β-CIS других ориентаций, п ющие в пленках Cu-In-Se, также содержат мик- родвойники. На рис. 3 е рефлекса (200) и примыкающей к нему группы рефлексов. Рис. 3. Темнопольный снимок в свете рефлекс ( )21 , 1 ( )211 и (200) от кристалликов β-CIS ориен- и (1 ) и (001) с двойниковыми прослойками эту группу входят рефлексы от двойников к таци 10 кри В сталликам ориентации (001) и рефлексы ( )211 и ( )211 от кристалликов β-CIS ориентации 0), нутых один относительно другого на 90 (11 развер ках ори ) у рефлек- сов сутст- вую к Рис а (110) т па (10 Методом одновр мического испаре- ния кристаллов KCl с подслоем PbS приготовлены плен- о. На снимке пластинки двойников в кристалли ентации (001) имеют трапециевидную форму (располагаются в плоскостях (112), которые накло- нены к электронному пучку), а пластинки двойни- ков в кристалликах ориентации (110) – форму иго- лочек (параллельно электронному пучку). Большое количество микродвойников роста в структуре пленки может указывать на то, что однофазные пленки β-CIS, которые формируются при увеличе- нии концентрации индия в пленке, наследуют структуру двухфазной пленки α-CIS+β-CIS, в кото- рой ультратонкие слои α-CIS с помощью двойнико- вых границ когерентно сопрягаются с ультратонки- ми кристалликами β-CIS. На микроэлектронограмме (см. рис. 1 типа (110) наблюдаются крестообразные тяжи, которые идут вдоль направлений [100] и [010] кри- сталлической решетки β-CIS. Кроме этого, рефлек- сы (101) дают тяжи вдоль направления [001]. Отметим, что тяжи вдоль [100] и [010] при т только у рефлексов, разрешенных для кри- сталлической структуры β-CIS с упорядоченными вакансиями в подрешетке меди, но запрещенных для α-CIS с такой же кристаллической структурой, но без вакансий. Можно предположить, что они происходят от двухмерных дефектов, принадлежа- щих катионной подрешетке из атомов Cu и In, но не изменяющих подрешетку из атомов Se. Природу таких двумерных дефектов можно объяснить сдви- гом в плоскости (001) β-CIS с тетрагональной ре- шеткой на вектор типа R=½[110], который сохраня- ет координаты атомов селенового остова тетраго- нальной элементарной ячейки, но переводит атомы меди в положение атомов индия. Это приводит к образованию антифазных границ по плоскостям (100) и (010), которые проявляют себя на электроно- грамме в виде размерного эффекта дифракции – длинных тяжей вдоль направлений [100] и [010]. На электронно-микроскопическом снимке множество доменов, разделенных антифазными границами, могут создавать полосчатый контраст вдоль направ- лений [100] и [010]. Пример такого контраста можно наблюдать в центральной части темнопольного электронно-ми роскопического снимка на рис. 4. Темнопольный снимок получен в свете рефлекса типа (110) ориентации (001) и рефлексов типа (101) от кристалликов ориентации (010), развернутых на 90˚ вокруг друг друга. . 4. Темнопольный снимок в свете рефлекс от кристалликов ориентации (001) и рефлексов ипа (101) от кристалликов ориентации (010), раз- вёрнутых на 90˚ один относительно другого Тяжи вдоль направления [001] у рефлексов ти 1) указывают на наличие плоских дефектов, пер- пендикулярных оси с. Это могут быть дефекты упа- ковки с R=½[110]. В протяженных областях с ори- ентацией (010), развёрнутых на 90о одна относи- тельно другой, наблюдаются плоские дефекты, пер- пендикулярные оси [001] своей области (см. рис. 4). ВЫВОДЫ еменного тер в вакууме меди и селенида индия In2Se3 из двух источников и конденсации их на поверхности (001) 0,2 мкм [001] [001] 0,15 мкм 143 ЛИТЕРАТУРА Th ки тройного соединения Cu-In-Se переменного со- става. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинар- ной диаграмме состояния Cu2Se–In2Se3. На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 оС 1. А. Rockett, F. Abou-Elfotouh // in Solid films. 1994, v.237, p.1-11. выращены эпи ок микродвойников по плоскостям (112) тет игом в плоскости (001) β- CIS Статья поступила в редакцию 11.02.2011 г ЕПІТАКСІЙНИЙ ЗРІСТ ПЛІВОК ОТРІЙНОЇ СИСТЕМИ Cu-In-Se На поверхні (001) кристалів KCl з під і підкладки 400 оС вирощені епітаксійні пл EPITAXIAL GROWTH OF TERNARY Cu-In-Se FILM SYSTEM β-CIS epitaxial films were grown on (00 layer at 400 оС. There were revealed the β- CIS 2. H.W. Schock et al. //J. Appl. Surf. Sc. 1996, v.92, p.606-616. T. Gödecke, 3. T. Haalboom // Zeitschrift fur Metall- cunde. 2000, v. 91, p.622. таксиальные пленки β-CIS, состоящие из кри- сталликов ориентаций: (001), [100] β-CIS \|\| (001), [100] и [010] PbS и (010), [001] β-CIS \|\| (001), [100] и [010] PbS. В кристалликах β-CIS установлено существова- ние пластин 4. L.S. Palatnik and E.I. Rogacheva // Neorgan. Mat. 1966, v.2, p. 478. 5. W. Hönle, G. Kühn, U.-C. Boehnke // Crystal Re- search and Technology. 1988, v. 23, p.1347. J. Nelson, G.S. Horner, K. Sinha, and M.H. Bode // 6. Appl. Phys.Lett. 1994, v.64 (26), p. 3600. рагональной решетки. Выявлена природа двумерных дефектов, кото- рую можно объяснить сдв 7. T. Negami, N. Kohara, M. Nishitani, and T. Wada // Jpn. J. Appl. Phys. 1994, v. 33, p.1251. J. Mater. Res. с тетрагональной решеткой на вектор типа R=½[110], который сохраняет координаты атомов селенового остова тетрагональной элементарной ячейки, но переводит атомы меди в положение ато- мов индия. Это приводит к образованию антифаз- ных границ по плоскостям (100) и (010) и дефектов упаковки по плоскостям (001). 8. O. Hellman et al. // 1996,v. 11, p.6. 9. M. Hornung et al. // J. of Crystal Growth. 1995, v. 154, p. 315 10. U.C. Boehnke, G. Kuhn // J. of Matherials Science. 1987, v. 22, p. 1635, 11. P.B. Hirsch et al. // Electron microscopy of thin crystals. London, Butterworks, 1965. . П С.Н. Григоров, А.В. Таран шаром PbS при температур івки β-CIS. У плівках виявлені зони існування β-CIS, й β- + γ-CIS, що відповідають псевдобінарної діагра- мі стану Cu2Se–In2Se3. У кристаликах β-CIS встановлені мікродвійники по площинах (112) й двовимірні де- фекти по (100). Двовимірні дефекти утворюються в результаті зрушення в площині (001) на вектор типу R=1/2[110]. Це приводить до утворення антифазних границь по площинах (100) й (010) та дефектів упаку- вання по площинах (001). S.N. Grigorov, А.V. Тaran 1) KCl surface with PbS sub and β- + γ-CIS zones, corresponding to Cu2Se–In2Se3 pseudo-binary phase diagram. β-CIS crystallites revealed microtwins on (112) planes and two-dimensional defects on (100). The nature of such two-dimensional defects can be explained as a shift in the (001) β-CIS plane by a vector R = 1/2[110]. As a result, an antiphase boundary appears along the (100) and (010) planes and stacking faults along (001) planes. 144

Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se

Institution

Ähnliche Einträge