Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения - Шатерник, В.Е.; Шаповалов, А.П.; Шатерник, А.В.; Прихна, Т.А. (Металлофизика и новейшие технологии, 2016)
С использованием масочной технологии путём вакуумного осаждения были созданы и исследованы близостные MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходы и резонансно-перколяционные MgB₂—Si(W)—MoRe переходы Джозефсона на основе тонких плёнок диборида магния MgB₂. Повышенные значения характеристического напряжения ICRN = 30—38 мВ созданных переходов Джозефсона MgB₂—Si(W)—MoRe позволяют улучшить чувствительность двухконтактных СКВИДов в несколько раз за счёт увеличения коэффициента преобразования магнитный поток—напряжение.