Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки - Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных характеристик фотоЭДС связана с вкладом в измеряемый сигнал нескольких составляющих ЭДС, которые генерируются на потенциальных барьерах гетеросистемы металл—полупроводник. Наблюдается изменение формы спектральных характеристик и знака фотоЭДС при освещении образца со стороны металла. Это обусловлено изменением соотношения между составляющими ЭДС, которые генерируются в слоях гетеросистемы с разным уровнем проводимости. Показано, что на вид спектральных зависимостей существенно влияет переходной полупроводниковый слой, который формируется у границы раздела контакта Шоттки.