Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
Представлены результаты исследований и разработки выключателей и переключателей с использованием p—i—n-диодов сосредоточенного типа, обеспечивающих время переключения единицы наносекунд. С целью увеличения развязки в закрытом состоянии (потерь запирания) около 40 дБ в устройствах применено каскадное...
Gespeichert in:
| Datum: | 2016 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115692 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн / Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.В. Ореховский, А.А. Тухаринов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 34-41. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Представлены результаты исследований и разработки выключателей и переключателей с использованием p—i—n-диодов сосредоточенного типа, обеспечивающих время переключения единицы наносекунд. С целью увеличения развязки в закрытом состоянии (потерь запирания) около 40 дБ в устройствах применено каскадное включение диодов в волноводную и микрополосковую линии передачи на электрической длине θ = π/2. Представлены результаты исследований по созданию коммутационных устройств коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн (f = 300 ГГц) с использованием продольно- и поперечно-распределенных p—i—n-структур. |
|---|